Подложка из монокристаллического алюминия нитрида CY3435

Описание подложки AlN из одноосного кристалла

Подложка из одноосного кристалла AlN является полупроводниковым материалом с широким зонным зазором и исключительными характеристиками.

Зонный зазор составляет 6,2 эВ и является прямым. Это важный материал для излучения синего и ультрафиолетового света; обладает высокой теплопроводностью, высокой температурой плавления, высоким сопротивлением, сильным полем пробоя и низким диэлектрическим коэффициентом. Это отличный электронный материал для устройств высокой температуры, высокой частоты и высоких мощностей; AlN, ориентированный вдоль оси c, имеет очень хорошие пьезоэлектрические свойства и высокоскоростные свойства распространения поверхностных акустических волн, и является отличным пьезоэлектрическим материалом для устройств на основе поверхностных акустических волн.

Учитывая отличные физические свойства упомянутых материалов AlN, кристаллы AlN являются идеальными подложками для технических материалов GaN, AlGaN и AlN. По сравнению с подложками из сапфира или SiC, AlN и GaN имеют более высокую теплотехническую совместимость и химическую совместимость, и напряжение между подложкой и эпитаксиальным слоем меньше. Следовательно, при использовании кристалла AlN в качестве эпитаксиальной подложки GaN, дефекты в устройстве могут быть значительно уменьшены, что улучшает характеристики устройства и имеет хорошие перспективы применения в создании электронных устройств высокой температуры, высокой частоты и высокой мощности.

Характеристики подложки AlN из одноосного кристалла

Применение подложки AlN из одноосного кристалла

Подложки из одноосного кристалла алюминия нитрида (AlN) ценятся за высокую теплопроводность, отличное электрическое изолирование и широкий зонный зазор, что делает их необходимыми в различных современных приложениях. В устройствах высокой частоты и высокой мощности они используются в радиочастотных и микроволновых устройствах, а также в силовой электронной технике для эффективного рассеивания тепла. В оптоэлектронике они поддерживают УФ-светодиоды и лазерные диоды с отличным терморегулированием. Устройства MEMS выигрывают от пьезоэлектрических свойств и термостойкости подложек AlN. Подложки AlN имеют ключевое значение в полупроводниковых устройствах, особенно для роста полупроводников GaN и AlGaN, что улучшает характеристики устройств высокой мощности, высокой частоты и высокой температуры. Они также используются в пьезоэлектрических устройствах, таких как фильтры и генераторы на основе SAW и BAW, в современных фотонных устройствах и теплоотводах в приложениях с высокой мощностью. Кроме того, подложки AlN применяются в датчиках высокой температуры, пьезоэлектрических актуаторах, подложках для квантовых вычислений и в решениях для светодиодного освещения, включая системы на основе лазеров. Их универсальность и исключительные свойства делают подложки из одноосного кристалла AlN основополагающими для разработки следующих поколений электроники, оптоэлектроники, MEMS, фотоники и технологий терморегулирования.

Упаковка подложки AlN из одноосного кристалла

Наша подложка из одноосного кристалла AlN аккуратно обрабатывается во время хранения и транспортировки для сохранения качества нашего продукта в его первоначальном состоянии.

Часто задаваемые вопросы

Q1 Почему AlN является предпочтительным материалом для подложек в силовой электронике?

Алюминий нитрид (AlN) высоко ценится в качестве подложки для силовой электроники благодаря своей исключительной теплопроводности (около 200-300 Вт/м·К), что позволяет эффективно рассеивать тепло, генерируемое устройствами высокой мощности. Кроме того, AlN является электрически изолирующим, что делает его подходящим для приложений высокой мощности без риска коротких замыканий. Его способность выдерживать высокие температуры и тяжелые условия эксплуатации еще больше добавляет к его популярности.

Q2 Каковы ключевые свойства подложек из одноосного кристалла AlN?

Ключевые свойства подложек из одноосного кристалла AlN включают:

• Высокая теплопроводность: одна из лучших среди изолирующих материалов, необходимая для силовой электроники и тепловых устройств.
• Электрическое изолирование: AlN является отличным электрическим изолятором, предотвращающим нежелательное течение тока в чувствительных приложениях.
• Пьезоэлектрические свойства: AlN проявляет сильные пьезоэлектрические свойства, что делает его идеальным для датчиков и актуаторов.
• Широкий зонный зазор: AlN имеет большой зонный зазор около 6,2 эВ, что позволяет ему хорошо работать в условиях высокой мощности и высокой температуры.
• Механическая прочность: Подложки AlN обладают высокой прочностью и твердостью, что делает их долговечными в жестких условиях.

Q3 Как AlN сравнивается с другими подложками, такими как сапфир или кремний, в электронике?

AlN имеет несколько преимуществ по сравнению с такими материалами, как сапфир и кремний в определенных приложениях:

• Теплопроводность: AlN имеет значительно более высокую теплопроводность, чем сапфир и кремний, что делает его более подходящим для силовой электроники, где критично важно рассеивание тепла.
• Электрическое изолирование: В отличие от сапфира, который не является эффективным электрическим изолятором, AlN обладает хорошими изоляционными свойствами, что делает его идеальным для высоковольтных приложений.
• Пьезоэлектрические свойства: AlN имеет превосходные пьезоэлектрические свойства по сравнению с другими материалами, что делает его более подходящим для датчиков, актуаторов и резониров.