AL1885 AlSiC Алюминий Карбид Кремния IGBT Base Plate

Описание базовой пластины IGBT из карбида алюминия и кремния

AlSiC был впервые использован в подложке чипа военного радара США для замены вольфрамовой меди. После замены эффект теплоотвода стал превосходным, а общая потеря веса радара составила 10 кг, что заставило материал на основе карбида алюминия-кремния привлечь внимание. Сильноточные модули IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором) выделяют большое количество тепла во время работы. Материал AlSiC обычно используется для изготовления подложки IGBT, а мощный модуль IGBT надежно упакован, так что чип можно использовать в условиях вибрации, высокой температуры и пыли. Алюминиево-карбидо-кремниевая базовая пластина IGBT очень легкая, ее вес составляет всего 1/3 веса меди, но прочность на изгиб не уступает стали. Это делает ее превосходной по сейсмическим характеристикам, превосходящей медную подложку. Таким образом, в мощной электронной упаковке алюминиево-кремниево-карбидные IGBT-базовые пластины являются незаменимыми материалами благодаря уникальному сочетанию высокой теплопроводности, низкого коэффициента теплового расширения и прочности на изгиб.

Технические характеристики базовых пластин IGBT из карбида кремния и алюминия

Применение алюминиево-кремниевой карбидной IGBT-базовой пластины

Базовая пластина IGBT из карбида кремния иалюминия имеет следующие области применения:

-Бытовые приборы,
-Транспорт,
-энергетика
-Возобновляемая энергия
-умная сеть
-Управление дорожным движением
-Преобразование электроэнергии
-Промышленные двигатели
-Бесперебойники
-Питание
-Ветровое и солнечное оборудование
-Преобразователи частоты для автоматического управления

Упаковка базовой пластины IGBT из карбида кремния и алюминия

Мы используем вакуумное уплотнение для заполнения коробки, чтобы предотвратить удар. Мы тщательно следим за тем, чтобы избежать любых повреждений, которые могут быть вызваны во время хранения или транспортировки алюминиевого карбида кремния IGBT Base Plate.