AL2804 Селенид алюминия (Al2Se3) порошок (CAS 1302-82-5)

Селенид алюминия (CAS 1302-82-5) Описание

Селенид алюминия (CAS 1302-82-5) представляет собой химическое соединение Al2Se3 и используется в качестве предшественника селенида водорода, который выделяется при обработке твердого вещества кислотами. Его следует хранить вдали от влаги и воздуха, поскольку он гидролитически нестабилен. Гетероструктуры, сочетающие полупроводники III-VI и кремний, привлекают внимание (Fritsche et al 2002, Ueno et al 2002, Zheng et al 1996) благодаря близкому соответствию решеток и многообещающим оптоэлектронным свойствам. Al2Se3 - наименее изученный халькогенид группы III-VI (Schneider and Gattow 1954) по сравнению с другими представителями семейства полупроводников III-VI.

Технические характеристикиСеленид алюминия (CAS 1302-82-5)

Применение селенида алюминия (CAS 1302-82-5)

Селенид алюминия (CAS 1302-82-5) используется в качестве предшественника селенида водорода, который выделяется при обработке твердого вещества кислотами.

Кроме того, полупроводники на основе соединений, состоящих из элементов III и VI групп, такие как селенид алюминия, представляют интерес как с точки зрения физики, связанной с присущими им вакантными структурами, так и с точки зрения их перспективности в качестве материалов для будущих устройств. Соединения M2X3 (где M=Al, Ga или In и X=S, Se или Te) имеют структуру, основанную на цинк-бленде или вюртците тетраэдрически-связанных полупроводников III-V и II-VI, но в которых одна треть мест катионов вакантна. Внутренние вакансии в наиболее распространенных структурах объемных Al2Se3, Ga2Se3 и In2Se3 локализованы вдоль спиралей, (также обнаружены для γ-In2Se3), линий и плоскостей, соответственно. Это делает материалы M2X3, такие как селенид алюминия, интригующими кандидатами на функционализацию путем упорядочения вакансий (например, для создания анизотропных оптических свойств) и/или заселения вакансий дополнительными элементами (например, переходными металлами). Константы решетки Ga2Se3 и Al2Se3 близки к таковым у Si (0,1 и 1,3% несоответствия, соответственно), что позволяет объединить уникальные свойства этих материалов с внутренними вакансиями с кремниевой технологией.

Ссылка

Chih-Yuan Lu, Jonathan A. Adams, Qiuming Yu, Taisuke Ohta, Marjorie A. Olmstead, and Fumio S. Ohuchi: Heteroepitaxial Growth of the Intrinsic Vacancy Semiconductor Al2Se3 on Si(111): Начальная структура и морфология. http://faculty.washington.edu/olmstd/research/papers/Lu_Al2Se3_Si111_preprint.pdf