{{flagHref}}
Продукция
  • Продукция
  • Категории
  • Блог
  • Подкаст
  • Приложение
  • Документ
|
|
/ {{languageFlag}}
Выберите язык
Stanford Advanced Materials {{item.label}}
Stanford Advanced Materials
Выберите язык
Stanford Advanced Materials {{item.label}}
Пожалуйста, начните говорить

Обзор областей применения гафния

Гафний входит в четвертую группу периодической таблицы, наряду с Ti и Zr. Он имеет атомный номер 72 и атомную массу 178.
Геохимические свойства Hf и Zr очень похожи, поскольку ионный радиус Hf (71 пм) практически идентичен ионному радиусу Zr (72 пм). Все минералы Zr содержат Hf, а чистые минералы Hf известны нечасто.

nuclear sub
В целом, магматические и метаморфические породы содержат очень небольшое количество Hf. Гафний можно использовать в качестве указателя пути для Zr-минерализации. Повышенные значения Hf указывают на присутствие фельзитовых пород, особенно интрузивных массивов. Устойчивая природа минералов Hf ограничивает концентрацию Hf в природных водах. Гафний обычно присутствует в природных водах в концентрациях менее 0,1 мкг л-1.

Hafnium application
Сточные воды являются основным антропогенным источником Hf. Гафний используется в производстве нитей накаливания электрических ламп, рентгеновских катодных трубок, стержней управления реакторами, в качестве сплавов с Ti, Nb, Ta и Fe, а также в керамической промышленности. Несколько исследований, проведенных в 1960-70-х годах, показали, что концентрация Hf не повышена в районах промышленной деятельности, и, по-видимому, геологические источники Hf более важны, чем антропогенные.
У гафния нет известных биологических функций. О его токсичности имеется очень мало информации, но в целом он считается малотоксичным. О негативном воздействии на окружающую среду не сообщалось. Однако из-за недостатка данных о влиянии Hf на здоровье человека его следует рассматривать как потенциально токсичный элемент.

Об авторе

Chin Trento

Чин Тренто получил степень бакалавра прикладной химии в Университете Иллинойса. Его образование дает ему широкую базу, с которой он может подходить ко многим темам. Более четырех лет он занимается написанием статей о передовых материалах в Stanford Advanced Materials (SAM). Его основная цель при написании этих статей - предоставить читателям бесплатный, но качественный ресурс. Он приветствует отзывы об опечатках, ошибках или различиях во мнениях, с которыми сталкиваются читатели.

Оценки
{{viewsNumber}} Подумал о "{{blogTitle}}"
{{item.created_at}}

{{item.content}}

blog.levelAReply (Cancle reply)

Ваш адрес электронной почты не будет опубликован. Обязательные поля отмечены*

Комментарий*
Имя *
Электронная почта *
{{item.children[0].created_at}}

{{item.children[0].content}}

{{item.created_at}}

{{item.content}}

blog.MoreReplies

ОСТАВИТЬ ОТВЕТ

Ваш адрес электронной почты не будет опубликован. Обязательные поля отмечены*

Комментарий*
Имя *
Электронная почта *

ПОДПИСАТЬСЯ НА НАШУ РАССЫЛКУ

* Ваше имя
* Ваш e-mail
Успех! Теперь вы подписаны
Вы успешно подписались! Проверьте свой почтовый ящик, чтобы в ближайшее время получать отличные письма от этого отправителя.

Похожие новости и статьи

Подробнее >>
Перестройка оптоэлектронных материалов (LiNbO₃, YAG, SOI, Ge) с помощью легирования

В этой технической статье рассматривается, как легирование улучшает кристаллы ниобата лития (LN) и YAG, и как платформы SOI позволяют интегрировать фотонику. Изучите возможности применения в лазерах и модуляторах. Статья подготовлена компанией Stanford Advanced Materials (SAM), поставщиком этих высокочистых материалов.

УЗНАТЬ БОЛЬШЕ >
Оставьте сообщение
Оставьте сообщение
* Ваше имя:
* Ваш e-mail:
* Название продукта:
* Ваш телефон:
* Комментарии: