Гексагональный нитрид бора (h-BN): Структура, свойства и применение
Введение
Нитрид бора (BN) существует в нескольких кристаллических формах, включая кубическую (c-BN), гексагональную (h-BN) и аморфную фазы. Среди них наибольшее внимание привлек гексагональный нитрид бора благодаря своему структурному сходству с графитом и сочетанию термической стабильности, электроизоляции и химической инертности. Часто называемый "белым графитом", h-BN сегодня широко используется в микроэлектронике, высокотемпературной технике и современных композитах.
Структура и внутренние свойства
Гексагональный нитрид бора имеет слоистую гексагональную решетку с конфигурацией укладки ABAB. Каждый слой состоит из чередующихся атомов бора и азота, соединенных сильными ковалентными связями в плоскости. Межслойное взаимодействие, управляемое силами Ван-дер-Ваальса, делает материал механически анизотропным - жестким в плоскости и легко расщепляемым вне плоскости.
Хотя h-BN и графит имеют схожую геометрию решетки, их электронные структуры принципиально отличаются. Графит является проводящим благодаря делокализованным π-электронам, в то время как h-BN с ионными связями B-N является изолятором с широкой полосой пропускания (~5,9 эВ).
Ключевые свойства:
-
Кристаллическая структура: Гексагональная
-
Параметры решетки: a ≈ 2,50 Å, c ≈ 6,66 Å
-
Межслойное расстояние: ~3.33 Å
-
Межзонный промежуток: ~5,9 эВ (косвенный)
-
Плотность: ~2,1 г/см^3
Связанная статья: Каковы характеристики гексагонального нитрида бора?
Теплофизические и химические свойства
h-BN демонстрирует уникальное сочетание теплопроводности, термостабильности и химической стойкости:
-
Теплопроводность: До 200-400 Вт/м-К в плоскости; значительно ниже вне плоскости.
-
Тепловое расширение: Анизотропное; ~2 × 10^-6 K^-1 в плоскости, выше вне плоскости.
-
Химическая стабильность: Инертен к большинству кислот и щелочей, стабилен на воздухе до ~1000 °C.
-
Смазываемость: Низкий коэффициент трения, стабильность в вакууме и окислительных средах.
Эти свойства делают h-BN пригодным для использования в сложных условиях, сочетающих тепло, окисление и износ.
Методы синтеза
Маршрут синтеза гексагонального нитрида бора (h-BN) напрямую определяет качество его структуры, размер граней, контроль толщины и плотность дефектов - все это влияет на его пригодность для использования в электронных, тепловых и механических приложениях. В целом методы синтеза можно разделить на нисходящие стратегии эксфолиации и восходящие методы химического роста.
Методы "сверху вниз
Эти подходы начинаются с получения объемного h-BN и уменьшения его толщины до тонких чешуек или листов с несколькими слоями.
Механическое отшелушивание
Этот метод, часто называемый "скотчем", предполагает физическое отслаивание слоев от объемного кристалла h-BN с помощью адгезивных материалов. Преимущество метода заключается в высокой кристалличности и низкой плотности дефектов получаемых чешуек, которые идеально подходят для фундаментальных исследований или высокопроизводительных двумерных устройств. Однако этот процесс является ручным, трудоемким и по своей сути малопроизводительным, что делает его непригодным для крупномасштабного или коммерческого производства.
Жидкофазное отшелушивание (LPE)
Для расслаивания объемного h-BN на несколько слоев нанолистов используется ультразвук или высокоскоростное перемешивание в подходящих растворителях (например, N-метил-2-пирролидоне, изопропаноле или водных растворах ПАВ). Этот процесс обладает более высокой производительностью, чем механическое отшелушивание, и масштабируется до уровня грамма и выше. Однако в процессе часто возникают структурные дефекты, окисление краев или фрагментация листов, что может ухудшить электрические и механические свойства. Для отбора чешуек нужной толщины и распределения по размерам после отшелушивания обычно используется центрифугирование.
Проблемы, связанные с методами "сверху вниз":
-
Контроль над боковыми размерами и толщиной остается ограниченным.
-
Сложно полностью удалить поверхностно-активные вещества или растворители.
-
Высокая плотность дефектов в LPE может ограничивать тепловые и электронные характеристики.
Методы "снизу вверх
Методы "снизу вверх" позволяют контролировать рост пленки на атомном уровне и являются предпочтительными, когда важны однородность, точность толщины и интеграция.
Химическое осаждение из паровой фазы (CVD)
CVD - наиболее перспективный метод синтеза нескольких слоев или монослоев h-BN в масштабах пластины. Обычные прекурсоры включают:
-
Аммиачный боран (NH3-BH3): Генерирует BN путем термического разложения.
-
Боразин (B3N3H6): Циклическое соединение с уже имеющимися связями B-N, обеспечивающее более высокую степень кристалличности.
-
Также были исследованыB-трихлорборазин (B3N3Cl3) и смеси диборана с аммиаком.
Рост обычно происходит на подложках из переходных металлов, таких как медь, никель или железная фольга, при температуре от 900 °C до 1100 °C. Тип подложки влияет на плотность зарождения, размер зерен и выравнивание. Для интеграции h-BN на изолирующие или полупроводниковые поверхности требуются процессы переноса.
Ключевые параметры, влияющие на качество CVD:
-
Скорость потока прекурсора и его чистота
-
Давление в камере (CVD при низком давлении дает более крупные домены)
-
Кристалличность и ориентация подложки
-
Скорость охлаждения после роста (влияет на формирование границ зерен).
Керамика на основе полимеров (PDC)
Синтез PDC включает пиролиз бор- и азотсодержащих полимерных прекурсоров, таких как полиборазилен или поли[B-трихлорборазин]. В контролируемой атмосфере (часто аммиачной или азотной) эти прекурсоры разлагаются на керамику из нитрида бора. Этот метод подходит для изготовления объемных или формованных h-BN-компонентов, таких как тигли, изоляторы или покрытия. Процесс допускает интеграцию с волокнистыми армирующими элементами или пористыми подложками, что делает его идеальным для создания структурных композитов.
Преимущества PDC:
-
Точный стехиометрический контроль
-
Возможность придания индивидуальной формы перед пиролизом
-
Возможность получения плотной, непористой керамики для механического и термического использования.
Резюме и компромиссы
Метод | Кристалличность | Масштабируемость | Контроль толщины | Пригодность для применения |
---|---|---|---|---|
Механическое отшелушивание | Очень высокий | Низкий | Умеренная | Лабораторная электроника, прототипирование |
Жидкофазное отшелушивание | Умеренная | Высокий | Плохо-умеренно | Наполнители, покрытия, добавки для композитов |
CVD | Высокая | Умеренно-высокий | Превосходно | Электроника, двумерные гетероструктуры |
PDC | Умеренный | Высокий | Изготовление объемных материалов | Огнеупоры, покрытия, композиты |
Области применения
Электроника и изоляционные системы
Будучи атомарно плоским изолятором с высокой диэлектрической прочностью, h-BN широко используется в двумерных электронных устройствах в качестве затворного диэлектрика, подложки или инкапсулирующего слоя, особенно в гетероструктурах на основе графена и ТМД.
Высокотемпературные компоненты
Благодаря устойчивости к тепловым ударам и инертности h-BN используется в компонентах печей, тиглей и в аэрокосмической промышленности, например, в системах тепловой защиты.
Твердые смазочные материалы и покрытия
h-BN сохраняет смазочные свойства при высоких температурах и на воздухе, обеспечивая преимущества перед графитом в окислительных средах, таких как обработка металлов давлением и аэрокосмические узлы.
Полимерные и керамические композиты
Включение h-BN в полимеры или керамику улучшает теплопроводность и стабильность размеров, сохраняя при этом электроизоляцию. Типичные области применения включают материалы для тепловых интерфейсов (TIM) и структурные изоляторы.
Фотоника и УФ-оптика
Высокая оптическая прозрачность h-BN в ультрафиолете и его фонон-поляритонное поведение перспективны для фотоники глубокого ультрафиолета и нелинейно-оптических приложений.
6. Заключение
Гексагональный нитрид бора обладает редким сочетанием широкой полосы пропускания, высокой теплопроводности и отличной химической стойкости. Его анизотропная структура и совместимость с другими двумерными материалами делают его важным строительным блоком для электроники, оптики и тепловых систем нового поколения. Текущие исследования расширяют возможности его интеграции в..:
-
Масштабируемые платформы 2D-материалов на основе CVD
-
Высокопроизводительные композиты со специальными интерфейсами
-
Оптические устройства, использующие гиперболическую дисперсию фононов.
Stanford Advanced Materials (SAM) поставляет высокочистые порошки h-BN, покрытия и спеченные формы для промышленных и исследовательских применений. Свяжитесь с нашей технической группой, чтобы узнать, как наши материалы на основе нитрида бора могут быть использованы в вашем следующем проекте.