Монокристаллические подложки из тунгстата кадмия (CdWO4) CY2532

Каталог нет.	CY2532
Размер	10x10x0,5 мм, или на заказ
Материал	CdWO4
Ориентация	(001), (010), (100), +/- 0,5 градуса
Метод роста	Техника Чохральского с низким тепловым градиентом

Монокристаллическая подложкаиз тунгстата кадмия (_CdWO4) широко используется в области рентгеновского детектирования. Stanford Advanced Materials (SAM) имеет более чем 20-летний опыт в производстве монокристаллической подложки тунгстата кадмия (_CdWO4).

Сопутствующие товары: Кристаллическая подложка LiAlO2, Кристаллическая подложка LAST, Кристаллическая подложка NdGaO3, Монокристаллическая подложка антимонида галлия.

Запрос

Описание

Технические характеристики

Видео

ПОСЛЕДНЯЯ РЕКОМЕНДАЦИЯ

GA2171 Пластина из арсенида галлия (GaAs)

NR2172 Пластина из нитрида галлия

Сапфировая пластина CY2173

Кремниевая пластина CY2174

Пластина из карбида кремния CY2175

GA2268 Пластина из галлиевой сурьмы (GaSb)

GA2269 Пластины из фосфида галлия (GaP)

IN2270 Пластина из антимонида индия

IN2271 Пластина из арсенида индия

ЗАПРОСИТЬ ЦЕНУ

Отправьте нам запрос сегодня, чтобы узнать больше и получить актуальные цены. Спасибо!

* Ваше имя

* Ваш e-mail

Для оперативной обработки просьба использовать адрес электронной почты вашей компании.

* Название продукта

* Ваш телефон

* Страна

Россия

Комментарии

Приложите чертежи:

Храните файлы здесь или

Принимаются файлы в форматах PDF, png, jpg, jpeg; если загружается сразу несколько файлов, каждый из них должен быть меньше 2 МБ.

* Проверочный код

Монокристаллическая подложка CdWO4
Кристаллическая структура	Моноклинная
Решетка (A)	a=5.028, b=5.859 c=5.071beta=91.^519o
Температура плавления ^oC	1325
Плотность г/см	7.9
Твердость (Mohn)	4 - 4.5
Ориентация	<001>、<010>、<100>
Терморасширение	10.2 ^x10-6/K
Длина волны миссии показателя преломления (нм)	2.2
Шероховатость поверхности	Ra <10A
Упаковка	в чистом пластиковом пакете класса 1000

Монокристаллическая подложка CdWO4
Кристаллическая структура	Моноклинная
Решетка (A)	a=5.028, b=5.859 c=5.071beta=91.^519o
Температура плавления ^oC	1325
Плотность г/см	7.9
Твердость (Mohn)	4 - 4.5
Ориентация	<001>、<010>、<100>
Терморасширение	10.2 ^x10-6/K
Длина волны миссии показателя преломления (нм)	2.2
Шероховатость поверхности	Ra <10A
Упаковка	в чистом пластиковом пакете класса 1000

Монокристаллические подложки из тунгстата кадмия (CdWO4) CY2532

Описание монокристаллической подложки тунгстата кадмия (CdWO4)

Технические характеристики монокристаллических подложек из тунгстата кадмия (CdWO4)

Применение монокристаллических подложек тунгстата кадмия (CdWO4)

Технические характеристики

SDS

Видео

ПОСЛЕДНЯЯ РЕКОМЕНДАЦИЯ

ЗАПРОСИТЬ ЦЕНУ

НУЖНА ПОМОЩЬ?

НАША КОМПАНИЯ

ПОПУЛЯРНЫЕ КАТЕГОРИИ