GA2269 Пластины из фосфида галлия (GaP)

Каталог нет.	GA2269
Материал	GaP
Толщина	400um
Тип проводника	N - тип
Диаметр	Ø 2"
Размер	2'' диам. x 400um-500um толщина, 5x5x0.3-0.5мм, 10x10x0.45мм,
Отделка поверхности	Полированная/Неполированная/Односторонняя полировка (SSP)/Двусторонняя полировка (DSP)

Подложка из фосфида галлия (GaP) - важный полупроводниковый материал, обладающий уникальными электрическими свойствами по сравнению с другими материалами из соединений III-V. Stanford Advanced Materials (SAM) поставляет высококачественные монокристаллические пластины GaP (фосфид галлия) для электронной и оптоэлектронной промышленности диаметром до 2 дюймов.

Сопутствующие товары: пластина из нитрида галлия, сапфировая пластина, пластина из карбида кремния, кремниевая пластина, пластина из арсенида галлия, пластина из германия (Ge-пластина).

Запрос

Описание

Технические характеристики

ПОСЛЕДНЯЯ РЕКОМЕНДАЦИЯ

VD0621 Медно-галлиевые (Cu/Ga) испарительные материалы

VD0690 Испарительные материалы на основе оксида индия-галлия-цинка (InGaZnOx)

VD0744 Оксид цинка, легированный оксидом галлия (ZnO/Ga2O3) Испарительные материалы

VD0843 Испарительные материалы на основе индий-галлий-селенида меди (CIGS)

VD0846 Испарительные материалы на основе селенида галлия (Ga2Se3)

VD0860 Материалы для испарения теллурида галлия (GaTe)

OX1127 Оксид галлия (Ga2O3) порошок (CAS No.12024-21-4)

GA1143 Металлический галлий (Ga Metal)

NR1144 Порошок нитрида галлия (GaN) (CAS No.25617-97-4)

ЗАПРОСИТЬ ЦЕНУ

Отправьте нам запрос сегодня, чтобы узнать больше и получить актуальные цены. Спасибо!

* Ваше имя

* Ваш e-mail

Для оперативной обработки просьба использовать адрес электронной почты вашей компании.

* Название продукта

* Ваш телефон

* Страна

Россия

Комментарии

Приложите чертежи:

Храните файлы здесь или

Принимаются файлы в форматах PDF, png, jpg, jpeg; если загружается сразу несколько файлов, каждый из них должен быть меньше 2 МБ.

* Проверочный код

Кристаллическая структура	Кубическая. a =5.4505 ?
Метод выращивания	CZ (LEC)
Плотность	4,13 ^г/см3
Температура плавления	1480 ^oC
Термическое расширение	5,3 ^x10-6 / ^oC
Допант	S легированный	недолепированный
Ось роста кристалла	<111> или <100	<100> или <111
Тип проводимости	N	N
Концентрация носителя	2 ~ 8 ^x1017 ^/cm3	4 ~ 6 ^x1016 ^/cm3
Удельное сопротивление	~ 0,03 Вт-см	~ 0,3 Вт-см
EPD	< ^3x105	< ^3x105

Кристаллическая структура	Кубическая. a =5.4505 ?/FONT>
Метод выращивания	CZ (LEC)
Плотность	4,13 ^г/см3
Температура плавления	1480 ^oC
Термическое расширение	5,3 ^x10-6 / ^oC
Допант	S легированный	недолепированный
Ось роста кристалла	<111> или <100	<100> или <111
Тип проводимости	N	N
Концентрация носителя	2 ~ 8 ^x1017 ^/cm3	4 ~ 6 ^x1016 ^/cm3
Удельное сопротивление	~ 0,03 Вт-см	~ 0,3 Вт-см
EPD	< ^3x105	< ^3x105

GA2269 Пластины из фосфида галлия (GaP)

Описание пластины фосфида галлия

Технические характеристики пластин фосфида галлия

Области применения пластин фосфида галлия

Технические характеристики

SDS

ПОСЛЕДНЯЯ РЕКОМЕНДАЦИЯ

ЗАПРОСИТЬ ЦЕНУ

НУЖНА ПОМОЩЬ?

НАША КОМПАНИЯ

ПОПУЛЯРНЫЕ КАТЕГОРИИ