AL10263 Сапфировая пластина Al2O3 M Plane (10-10) 10x10x0.5 мм

Сапфировая пластина Al2O3 M Plane (10-10) 10x10x0.5 мм Описание

Эта монокристаллическая пластина сапфира, состоящая из оксида алюминия (Al2O3, CAS Number: 1344-28-1), имеет прецизионную огранку вдоль плоскости M (10-10) с размерами 10 мм x 10 мм и толщиной 0,5 мм. Определенная кристаллографическая ориентация обеспечивает однородные физические и оптические свойства, необходимые для производства полупроводников и других подложек. Контролируемые технологии обработки сводят к минимуму микродефекты, что делает его пригодным для исследований и промышленного использования.

Сапфировая пластина Al2O3 M Plane (10-10) 10x10x0,5 мм Применение

Применение в электронике
- Используется в качестве подложки в полупроводниковых приборах для достижения стабильных диэлектрических свойств за счет использования точных допусков на размеры.
- Применяется в качестве базового материала в светодиодных и лазерных системах для обеспечения равномерного пропускания света за счет использования атомарно гладкой поверхности M-плоскости.

Промышленные применения
- Используется в сенсорных модулях для обеспечения стабильной производительности за счет использования определенных кристаллографических свойств.
- Используется в качестве оконного компонента в оптических устройствах для минимизации рассеивания благодаря химической инертности и термической стабильности сапфира.

Сапфировая пластина Al2O3 M Plane (10-10) 10x10x0,5 мм Упаковка

Пластины индивидуально упаковываются в антистатический материал с пенопластовыми вставками для поглощения ударов и предотвращения механических повреждений. Затем она запечатывается в чистый, влагостойкий контейнер с влагопоглотителем для контроля влажности. Упаковка разработана таким образом, чтобы минимизировать загрязнение при транспортировке и хранении. Возможны варианты нестандартной упаковки, включая вакуумную герметизацию и специальную маркировку, исходя из конкретных требований пользователя.

Часто задаваемые вопросы

Q1: Каковы типичные допуски плоскостности поверхности для этой пластины?
A1: Пластины обрабатываются для достижения плоскостности поверхности в пределах нескольких микрометров. Для оценки плоскостности используются интерферометрические измерения, гарантирующие, что подложка соответствует строгим требованиям, предъявляемым к литографическим и прецизионным приложениям.

Q2: Можно ли обеспечить постоянство кристаллографической ориентации всей партии?
A2: Да, каждая пластина проходит рентгеноструктурный анализ для подтверждения однородности ориентации плоскости M (10-10). Этот этап контроля качества позволяет убедиться в том, что вся партия сохраняет стабильные кристаллографические свойства, необходимые для высокоточных процессов.

Q3: Как упаковка предотвращает загрязнение и повреждение?
A3: Пластины индивидуально запечатываются в антистатическую упаковку и амортизируются пенопластовыми вставками. Влагостойкий контейнер, а также влагопоглотители минимизируют риск загрязнения и механических воздействий во время транспортировки и хранения, сохраняя целостность поверхности пластин.

Дополнительная информация

Оксид алюминия (Al2O3) ценится в материаловедении за высокую твердость, химическую инертность и теплопроводность. При переработке в монокристаллические сапфировые пластины эти свойства оптимизируются, обеспечивая надежные подложки для электронных и оптических приложений. Точная кристаллографическая ориентация, достигаемая с помощью передовых методов резки, необходима для обеспечения однородного физического и электронного поведения в различных востребованных приложениях.

Достижения в области роста кристаллов и обработки подложек позволили улучшить контроль над плотностью дефектов и качеством поверхности. Понимание взаимосвязи между ориентацией кристаллов и их функциональными характеристиками имеет решающее значение для полупроводниковой и оптоэлектронной промышленности. Эти знания помогают материаловедам и инженерам выбирать подложки, отвечающие определенным критериям производительности как для исследовательских, так и для промышленных применений.