AL10285 Сапфировая пластина Al2O3 M Plane (10-10) Dia. 3 дюйма x 0,5 мм

Сапфировая пластина Al2O3 M Plane (10-10) Dia. 3 дюйма x 0,5 мм Описание

Сапфировая пластина Al2O3 M Plane (10-10) Dia. 3 дюйма x 0,5 мм использует высокочистый Al2O3 для создания подложки с ориентацией в плоскости M (10-10). Диаметр 3 дюйма и толщина 0,5 мм обеспечивают совместимость со стандартным оборудованием для обработки полупроводников. Заданная кристаллографическая ориентация способствует равномерному росту эпитаксиального слоя и снижает плотность дефектов при осаждении пленки. Такое точное качество подложки очень важно для приложений, требующих контролируемых свойств пленки и воспроизводимости процесса.

Сапфировая пластина Al2O3 M Plane (10-10) Dia. 3 дюйма x 0,5 мм Области применения

1.Электроника и производство полупроводников
- Используется в качестве подложки при изготовлении светодиодов и транзисторов для достижения равномерного осаждения пленки за счет точной ориентации М-плоскости.
- Применяется в качестве основы при сборке высокочастотных устройств для улучшения целостности сигнала благодаря своей химической инертности и стабильности.

2.Оптоэлектроника
- Используется в качестве платформы в структурах лазерных диодов для улучшения когерентности активного слоя за счет однородной кристаллической структуры.
- Используется в фотонных устройствах для минимизации потерь на рассеяние благодаря контролируемым характеристикам поверхности.

Сапфировая пластина Al2O3 M Plane (10-10) Dia. 3 дюйма x 0,5 мм Упаковка

Пластины упакованы в специально разработанный антистатический контейнер, выложенный мягкой пеной для предотвращения физических повреждений и загрязнений. Каждая пластина запечатана в пакет с инертной атмосферой для защиты от попадания влаги и твердых частиц. Рекомендации по хранению включают прохладные, сухие условия, а для различных требований к обращению и хранению доступны такие опции, как индивидуальная маркировка и модульные вставки.

Часто задаваемые вопросы

Q1: Какие методы обработки используются для проверки качества поверхности пластин?
A1: Подложка подвергается оценке поверхности с помощью оптической микроскопии высокого разрешения и интерферометрии. В ходе этой проверки выявляются дефекты поверхности и проверяется плоскостность, что гарантирует соответствие пластины строгим требованиям процессов осаждения.

Q2: Как ориентация в плоскости M (10-10) влияет на рост тонких пленок?
A2: Ориентация M Plane (10-10) обеспечивает равномерное расположение атомов на поверхности, что способствует равномерному зарождению и росту эпитаксиальных пленок. Это способствует минимизации плотности дефектов и улучшению электрических характеристик полупроводниковых приборов.

Q3: Какие протоколы хранения рекомендуются для сохранения целостности пластины?
A3: Пластины следует хранить в контролируемой среде с низкой влажностью и стабильной температурой для предотвращения загрязнения и сохранения свойств поверхности. Во время хранения и транспортировки необходимо использовать защитную упаковку, которая минимизирует вибрацию и воздействие твердых частиц.

Дополнительная информация

Подложки из оксида алюминия (Al2O3) играют важнейшую роль в различных полупроводниковых и оптоэлектронных приложениях благодаря своей термической стабильности и химической инертности. Кристаллографическая ориентация, особенно плоскость M (10-10) в данном случае, имеет жизненно важное значение для оптимизации эпитаксиального роста тонких пленок, обеспечивая последовательное осаждение всех слоев устройства. Исследователи часто учитывают эти факторы при выборе подложек для чувствительных приложений.

Подробные протоколы обработки поверхности и материалов, используемые в этих подложках, дают представление о передовых методах подготовки подложек. Понимание этих методов помогает предсказать поведение подложек во время последующих процессов изготовления устройств, что способствует общей оптимизации производительности устройств в промышленных условиях.