AL10287 Сапфировая пластина Al2O3 R Plane 100 мм Dia x 0.525 мм

Сапфировая пластина Al2O3 R Plane 100 мм Диаметр x 0,525 мм Описание

Эта пластина, состоящая из сапфира (Al2O3), имеет кристаллографическую ориентацию R-плоскости, что улучшает выравнивание слоев при эпитаксиальной обработке. Диаметр 100 мм и толщина 0,525 мм соответствуют стандартным требованиям к полупроводниковым инструментам. Его химическая инертность и термическая стабильность способствуют применению в выращивании кристаллов и изготовлении устройств. Контролируемая плоскостность поверхности и минимальная плотность дефектов достигаются благодаря тщательному мониторингу процесса, что обеспечивает надежную интеграцию в передовые производственные процессы.

Сапфировая пластина Al2O3 R Plane диаметром 100 мм x 0,525 мм Области применения

Электроника и полупроводники
- Используется в качестве подложки для эпитаксиального осаждения слоев в полупроводниковых приборах для достижения контролируемого кристаллографического выравнивания за счет использования однородных свойств поверхности.
- Применяется в качестве базового слоя при изготовлении светодиодов для улучшения терморегулирования за счет высокой теплопроводности материала.

Промышленное технологическое оборудование
- Используется в качестве структурного компонента в сборках датчиков для достижения точности измерений за счет химической инертности и термической стабильности.
- Используется в качестве платформы для систем высокотемпературной обработки для поддержания стабильных характеристик благодаря контролируемым свойствам материала.

Сапфировая пластина Al2O3 R Plane диаметром 100 мм x 0,525 мм Упаковка

Подложки индивидуально запечатаны в антистатические пакеты для чистых помещений и помещены в жесткие контейнеры с пенопластовой прокладкой для предотвращения механических ударов и загрязнения. Упаковка разработана таким образом, чтобы исключить попадание пыли и влаги, поддерживая контролируемую инертную среду. Для хранения и транспортировки рекомендуются климатические условия. По запросу клиента возможны нестандартные варианты упаковки, включая конфигурации с вакуумным уплотнением и специальную маркировку.

Часто задаваемые вопросы

Q1: Как сохраняется ориентация R-плоскости при изготовлении?
A1: R-плоскость достигается благодаря точным протоколам резки и выравнивания. Оптический контроль в процессе производства проверяет кристаллографическую ориентацию, чтобы обеспечить соблюдение заданных допусков, необходимых для последующих этапов осаждения слоев.

Q2: Какие методы измерения используются для оценки качества?
A2: Плоскостность поверхности, толщина и плотность дефектов оцениваются с помощью интерферометрии, сканирующей электронной микроскопии и профилометрии. Эти методы обеспечивают количественную обратную связь, необходимую для поддержания постоянства процесса.

Q3: Является ли допуск по толщине строго определенным и что он подразумевает?
A3: Да, толщина 0,525 мм поддерживается в жестких пределах допуска для обеспечения совместимости размеров с инструментами для обработки полупроводников. Такой строгий контроль сводит к минимуму отклонения, которые могут повлиять на характеристики устройства при высокоточном производстве.

Дополнительная информация

Сапфировые подложки, состоящие из кристаллического Al2O3, широко используются в различных промышленных и исследовательских приложениях благодаря своим превосходным тепловым, электрическим и химическим свойствам. Присущая им механическая прочность и высокая температура плавления делают их пригодными для высокотемпературных процессов. Ориентация в R-плоскости способствует улучшению характеристик поверхности, что очень важно в таких процессах, как эпитаксиальный рост и производство современных полупроводниковых приборов.

В более широком контексте материаловедения обработка сапфировых пластин включает в себя строгие меры контроля качества. Детальное определение характеристик с помощью передовой микроскопии и интерферометрии создает основу для работы сложных узлов. Исследователи и инженеры выигрывают от понимания этих параметров для оптимизации интеграции как в экспериментальные, так и в производственные среды.