AL10293 Сапфировая пластина Al2O3 A плоскость (11-20) 100 мм x0.5 мм

Сапфировая пластина Al2O3 A plane (11-20) 100 мм x0,5 мм Описание

Сапфировая пластина Al2O3 A plane (11-20) 100 мм x0,5 мм изготовлена из высокочистого Al2O3 с заданной кристаллографической ориентацией (11-20). Диаметр 100 мм и толщина 0,5 мм обеспечивают совместимость со стандартным оборудованием для обработки полупроводников. Химическая инертность материала сводит к минимуму риск загрязнения при изготовлении устройств. Монокристаллическая структура материала с минимальным количеством дислокаций идеально подходит для приложений, требующих высокого качества поверхности и контролируемой ориентации.

Сапфировая пластина Al2O3 A плоскость (11-20) 100 мм x0,5 мм Применение

Электроника и производство полупроводников
- Используется в качестве подложки при изготовлении светодиодов и микроэлектронных устройств для достижения контролируемого теплоотвода за счет высокой теплопроводности.
- Применяется в качестве базового слоя для эпитаксиального роста в полупроводниковых устройствах для улучшения однородности слоя за счет низкого рассогласования решеток.

Оптоэлектроника
- Используется в качестве диэлектрической подложки в оптических компонентах для улучшения пропускания света за счет высокой прозрачности в видимом спектре.
- Используется в сенсорных платформах для достижения стабильной электрической изоляции за счет прочной химической инертности.

Сапфировая пластина Al2O3 A плоскость (11-20) 100 мм x0,5 мм Упаковка

Пластины упаковываются индивидуально в статически диссипативные пакеты с вакуумной герметизацией для уменьшения загрязнения частицами и механических нагрузок. Каждая единица помещается в антивибрационные пенопластовые вкладыши и хранится в жестких контейнерах с контролируемой температурой. Такой способ упаковки сохраняет целостность продукта при колебаниях окружающей среды. Для соответствия специальным лабораторным или промышленным стандартам возможна индивидуальная маркировка и упаковка по отделениям.

Часто задаваемые вопросы

Q1: Какие факторы влияют на структурную целостность сапфировой пластины в процессе обработки?
A1: Целостность пластины зависит от точного контроля условий роста кристаллов и постфабрикатной обработки поверхности. SEM и профилометрический анализ необходимы для обнаружения микротрещин и изменений толщины, которые могут повлиять на производительность при изготовлении полупроводниковых приборов.

Q2: Как ориентация (11-20) влияет на производительность подложек в высокотемпературных процессах?
A2: Ориентация (11-20) обладает определенными тепловыми свойствами, которые способствуют отводу тепла, снижая тепловое напряжение при высокотемпературной обработке. Эта контролируемая ориентация поддерживает равномерное распределение температуры в критически важных приложениях.

Q3: Можно ли настроить пластины для интеграции в конкретные технологические процессы?
A3: Возможности настройки включают изменение размеров, толщины и дополнительную полировку поверхности. Эти изменения могут быть согласованы с конкретными требованиями к оборудованию, обеспечивая совместимость с различными протоколами обработки полупроводников.

Дополнительная информация

Сапфировые подложки, состоящие из Al2O3, ценятся в материаловедении за их высокую химическую стабильность и исключительные тепловые свойства. Их монокристаллическая структура минимизирует дефекты, что очень важно для достижения превосходных характеристик устройств в полупроводниковых и оптоэлектронных приложениях. Исследователи продолжают изучать эти подложки, чтобы улучшить интеграцию с новыми технологиями.

Контролируемая кристаллографическая ориентация и стабильное качество поверхности сапфировых подложек имеют основополагающее значение для обеспечения воспроизводимого поведения материала в ходе высокоточных процессов изготовления. Технические характеристики, включая рентгеновскую дифракцию и электронную микроскопию, поддерживают постоянное совершенствование этих подложек для передовых промышленных применений.