AL10295 Шаблон из недопированного нитрида алюминия AlN на сапфире Al2O3 (0001) 10x10 ммx1000 нм

Шаблон из недопированного нитрида алюминия AlN на сапфире Al2O3 (0001) 10x10 ммx1000 нм Описание

Эта подложка представляет собой эпитаксиально выращенный слой нитрида алюминия на сапфировом (Al2O3) основании с ориентацией (0001). Размеры 10x10 мм обеспечивают совместимость со стандартным оборудованием для обработки полупроводников, а толщина пленки 1000 нм играет решающую роль в диэлектрических характеристиках и терморегулировании. Нелегированная природа пленки сводит к минимуму примесные помехи, что оптимизирует ее использование в высокочастотных схемах и при изготовлении электронных компонентов.

Шаблон из недопированного нитрида алюминия AlN на сапфире Al2O3 (0001) 10x10 ммx1000 нм Применение

Применение в электронике
- Используется в качестве изолирующего слоя в радиочастотных цепях для достижения снижения паразитной емкости за счет контролируемого кристаллического выравнивания пленки.
- Применяется в качестве диэлектрического барьера в силовой электронике для снижения теплового напряжения за счет использования высокой теплопроводности.

Промышленные применения
- Используется в качестве компонента подложки в сенсорных модулях для обеспечения стабильности выходного сигнала за счет использования преимуществ однородной морфологии пленки.
- Применяется в системах мониторинга высокотемпературных процессов для обеспечения электрической изоляции за счет химической инертности.

Шаблон недопированного нитрида алюминия AlN на сапфире Al2O3 (0001) 10x10 ммx1000 нм Упаковка

Подложка упакована в статически диссипативные носители и проложена пенопластовыми вставками для смягчения механических ударов. Она запечатана во влагонепроницаемый пакет для предотвращения загрязнения во время транспортировки. Для сохранения целостности материала рекомендуется хранить его в чистой, контролируемой по температуре среде. По запросу возможны нестандартные варианты упаковки с дополнительными мерами защиты от загрязнения и амортизации.

Часто задаваемые вопросы

Q1: Как эпитаксиальное осаждение влияет на характеристики подложки?
A1: Эпитаксиальное осаждение создает однородную кристаллическую структуру, которая улучшает диэлектрическую проницаемость и теплопроводность, необходимые для полупроводниковых устройств. Этот контролируемый рост минимизирует плотность дефектов и облегчает точную интеграцию с другими электронными компонентами.

Q2: Какие специальные процедуры обработки рекомендуются для этой подложки?
A2: Подложка требует обращения в чистом помещении с соблюдением антистатических мер предосторожности. Ее следует хранить при контролируемой температуре и влажности, чтобы предотвратить деградацию пленки AlN и сохранить целостность сапфирового основания.

Q3: Может ли подложка подвергаться дополнительным модификациям после обработки?
A3: Да, подложка может быть модифицирована после осаждения для интеграции в конкретные устройства, например, для утонения, полировки или нанесения рисунка. Эти модификации выполняются в строгом соответствии с протоколами чистых помещений для сохранения присущих материалу свойств.

Дополнительная информация

Керамические подложки из нитрида алюминия (AlN) широко используются в приложениях, требующих высокой теплопроводности и электроизоляции. Нелегированная природа пленки AlN сводит к минимуму рассеяние примесей, что очень важно для достижения стабильного поведения материала в условиях высокой мощности и высокой частоты.

Интеграция AlN на сапфире (Al2O3) сочетает в себе терморегулирующие свойства нитрида алюминия с гладкой и стабильной поверхностью, обеспечиваемой сапфиром. Такая комбинация поддерживает передовые полупроводниковые процессы, особенно в областях, требующих низкой плотности дефектов и высокой структурной целостности для эффективной работы устройств.