AL10300 Шаблон из недопированного нитрида алюминия AlN на сапфире Al2O3 (0001) 10x10 ммx5000 нм

Шаблон из недопированного нитрида алюминия AlN на сапфире Al2O3 (0001) 10x10 ммx5000 нм Описание

Шаблон из недопированного нитрида алюминия AlN на сапфире Al2O3 (0001) 10x10 ммx5000 нм представляет собой монокристаллическую керамическую подложку, объединяющую тонкую пленку AlN толщиной 5000 нм на основе сапфира (Al2O3) размером 10x10 мм. Определенная толщина слоя способствует равномерному осаждению пленки, а недопированная природа AlN сводит к минимуму примесные интерференции. Такая структура обеспечивает стабильные диэлектрические свойства и улучшенную терморегуляцию, решая проблемы, возникающие в жестких процессах производства электроники.

Шаблон из недопированного нитрида алюминия AlN на сапфире Al2O3 (0001) 10x10 ммx5000 нм Применение

Электроника
- Используется в качестве диэлектрического слоя в радиочастотных модулях для достижения точной изоляции сигналов за счет стабильных тепловых и диэлектрических свойств материала.
- Применяется в качестве теплораспределителя в светодиодных сборках для улучшения теплоотдачи за счет использования микроструктуры композита.

Производство полупроводников
- Используется в качестве подложки при эпитаксиальном выращивании пленок для достижения равномерного осаждения благодаря гладкой поверхности сапфира и контролируемым свойствам AlN.

Шаблон недопированного нитрида алюминия AlN на сапфире Al2O3 (0001) 10x10 ммx5000 нм Упаковка

Подложки упакованы в антистатические контейнеры с пенопластовой прокладкой для снижения механических нагрузок и загрязнения. Они заключены в жесткие коробки для защиты от физического воздействия. Упаковка рассчитана на хранение в условиях окружающей среды с контролируемой влажностью, обеспечивая минимальное воздействие влаги. По запросу возможны нестандартные варианты упаковки, например, коробки с вакуумным уплотнением или продувкой инертным газом.

Часто задаваемые вопросы

Q1: Какие проблемы с обработкой могут возникнуть при использовании этой подложки в высокотемпературных средах?
A1: Сохранение плоскостности подложки во время быстрого термоциклирования может быть сложной задачей. Правильная регулировка температуры и калибровка технологического оборудования помогают избежать коробления или микротрещин во время осаждения.

Q2: Как толщина пленки 5000 нм влияет на осаждение последующих слоев?
A2: Равномерная толщина 5000 нм обеспечивает равномерное зарождение, создавая устойчивую платформу для дальнейшего роста пленки и сводя к минимуму дефекты, вызванные напряжением при изготовлении полупроводников.

Q3: Можно ли применять стандартные методы постобработки, не нарушая границы раздела AlN/Al2O3?
A3: Да, можно применять такие методы, как плазменная очистка и селективное травление. Тщательно оптимизированные параметры процесса необходимы для сохранения микроструктурной целостности на границе раздела AlN/Al2O3.

Дополнительная информация

Подложки из нитрида алюминия известны своей теплопроводностью и низкой диэлектрической проницаемостью, что делает их подходящими для высокотемпературных и электронных применений. В сочетании с сапфиром полученный композит обеспечивает хороший теплоотвод и стабильные электрические характеристики, что очень важно для производства полупроводниковых приборов.

Интеграция недопированного AlN с сапфиром (Al2O3) позволяет использовать свойства материалов, присущие обоим соединениям. Контролируемые методы осаждения и строгие процессы проверки улучшают однородность пленки и гладкость поверхности, что необходимо для точного изготовления устройств и терморегулирования в сложных условиях эксплуатации.