AL10309 Шаблон из недопированного нитрида алюминия AlN на кремнии (Si <111> тип P) 10 ммx10 мм x 200 нм

Шаблон недопированного нитрида алюминия AlN на кремнии (Si <111> P тип) 10 ммx10 мм x 200 нм Описание

Шаблон из недопированного нитрида алюминия (AlN) на кремнии (Si <111> P-типа) производится с помощью точного процесса осаждения, который создает пленку AlN толщиной 200 нм на кремниевой подложке размером 10 мм x 10 мм. Такая конфигурация обеспечивает контролируемую электрическую изоляцию и эффективное терморегулирование, необходимые для интеграции полупроводниковых устройств. Равномерная кристаллическая ориентация подложки обеспечивает постоянство процесса и совместимость со стандартными протоколами микрофабрикации.

Шаблон недопированного нитрида алюминия AlN на кремнии (тип Si <111> P) 10 ммx10 мм x 200 нм Применение

1.
Электроника и полупроводниковая техника
- Используется в качестве изолирующего слоя при изготовлении интегральных схем для уменьшения утечки электричества за счет использования его диэлектрических свойств.
- Применяется в качестве пассивирующего слоя в сенсорных устройствах для повышения термической стабильности и защиты от загрязнений благодаря однородной структуре пленки.

2.
Промышленное применение
- Используется в качестве подложки в модулях силовых устройств для обеспечения эффективного теплоотвода за счет использования присущей ему теплопроводности.
- Служит в качестве носителя для тонкопленочных процессов при сборке микроэлектроники для обеспечения однородности процесса за счет стабильной и гладкой поверхности.

Шаблон нитрида алюминия AlN на кремнии (тип Si <111> P) 10 ммx10 мм x 200 нм Упаковка

Подложка надежно упакована в антистатический контейнер с пенопластовой прокладкой и влагозащитными пакетами для уменьшения загрязнения и механических повреждений. Конструкция упаковки включает надежную маркировку с четким указанием технических характеристик продукта и инструкций по обращению с ним. Для сохранения целостности пленки ее следует хранить в условиях пониженной влажности и контроля температуры. Возможны варианты нестандартной упаковки для обеспечения защиты в соответствии с особыми требованиями к транспортировке или хранению.

Часто задаваемые вопросы

Q1: Как толщина пленки влияет на интеграцию подложек в полупроводниковые процессы?
A1: Толщина пленки AlN 200 нм обеспечивает контролируемую изоляцию и терморегулирование, что важно для снижения утечки электричества и улучшения отвода тепла при производстве полупроводников. Равномерная пленка также способствует согласованности всех этапов обработки.

Q2: Какие методы контроля качества применяются в процессе осаждения AlN?
A2: В процессе осаждения используются СЭМ-изображения высокого разрешения и метрология поверхности для контроля однородности пленки и обнаружения дефектов. Эти проверки обеспечивают соблюдение допусков на размеры и однородность материала на протяжении всего производства.

Q3: Какие условия хранения рекомендуются для сохранения характеристик подложки?
A3: Подложку следует хранить в условиях низкой влажности и при контролируемой температуре. Защитная упаковка минимизирует воздействие загрязняющих веществ и механических нагрузок, сохраняя структурную и функциональную целостность подложки.

Дополнительная информация

Нитрид алюминия - это керамический материал, известный своей исключительной теплопроводностью и электроизоляционными свойствами. В качестве подложки его способность управлять теплом и обеспечивать стабильный диэлектрический слой имеет решающее значение в производстве полупроводников, поддерживая точные электронные и микроэлектронные приложения.

Понимание процесса осаждения и микроструктуры подложки важно для оптимизации производительности интегральных схем и силовой электроники. Тщательный контроль толщины пленки и кристаллической ориентации повышает совместимость со стандартными процессами обработки полупроводников, способствуя повышению эффективности и надежности устройств.