CB10342 Подложка из высокоориентированного пиролитического графита (HOPG) (класс SPI-2) 10x10X1.0 мм

Highly Oriented Pyrolytic Graphite (HOPG) Substrate (SPI-2 Grade) 10x10X1.0 mm Описание

Highly Oriented Pyrolytic Graphite (HOPG) Substrate (SPI-2 Grade) 10x10X1.0 mm - углеродная подложка, изготовленная с использованием передовых методов графитизации, что обеспечивает высокую степень выравнивания слоев. Размер 10x10 мм при толщине 1,0 мм обеспечивает постоянство рельефа поверхности, что делает ее пригодной для калибровки и аналитических исследований. Его плоская и химически инертная поверхность сводит к минимуму нежелательные взаимодействия с чувствительными материалами и оборудованием в исследовательских средах.

Подложка из высокоориентированного пиролитического графита (HOPG) (класс SPI-2) 10x10X1,0 мм Области применения

Научно-исследовательские работы и испытания полупроводников
- Используется в качестве калибровочного стандарта в оборудовании для изучения поверхности для достижения точных базовых измерений за счет использования атомарно плоской и инертной поверхности.
- Применяется в качестве тестовой подложки в исследованиях по осаждению тонких пленок для поддержания постоянных свойств интерфейса, что облегчает сравнительный анализ материалов.

Аналитические приборы
- Часто используется в качестве подложки в системах сканирующей зондовой микроскопии для повышения четкости изображения за счет использования однородной топографии.
- Служит в качестве опорной поверхности при спектроскопических измерениях для достижения низкого уровня фоновых помех благодаря стабильной структуре углеродных связей.

Подложка из высокоориентированного пиролитического графита (HOPG) (класс SPI-2) 10x10X1,0 мм Упаковка

Подложка индивидуально упакована в защитный конверт, не содержащий статического электричества, и помещена в коробки с пенопластовой прокладкой для защиты от механических воздействий и загрязнений. Для сохранения целостности углеродной поверхности рекомендуется хранение в условиях контролируемой влажности и температуры. Антистатические меры и чистые процедуры обращения применяются, а варианты индивидуальной маркировки и разделения доступны по запросу.

Часто задаваемые вопросы

Q1: Какую роль играет кристаллографическая ориентация в этой графитовой подложке?
A1: Кристаллографическое выравнивание обеспечивает атомарно ровную поверхность, что очень важно для точной калибровки. Оно минимизирует шероховатость поверхности, уменьшая расхождения измерений в чувствительных методах определения характеристик.

Q2: Как поддерживается целостность поверхности во время производства?
A2: SAM использует такие методы определения характеристик поверхности, как спектроскопия комбинационного рассеяния и электронная микроскопия, для мониторинга и контроля плотности дефектов. Эти тесты проверяют целостность подложки, гарантируя ее соответствие строгим требованиям, предъявляемым к исследовательским и аналитическим приложениям.

Q3: Существуют ли особые меры предосторожности при обращении с этой HOPG-подложкой?
A3: Да, из-за хрупкой поверхности подложки с ней следует обращаться в антистатических перчатках и хранить в чистой среде с низкой влажностью. Это минимизирует возможное загрязнение и механические нагрузки, которые могут повлиять на свойства поверхности.

Дополнительная информация

Графитовые подложки, такие как HOPG, играют важную роль в исследованиях в области материаловедения благодаря своей ярко выраженной слоистой структуре и химической инертности. Процесс графитизации улучшает выравнивание графеновых слоев, что делает эти подложки ценными для приложений, требующих плоских, стабильных поверхностей. Понимание взаимосвязи между морфологией поверхности и поведением материала необходимо для развития исследований в области нанотехнологий и физики поверхности.

Уделяя особое внимание контролируемому производству и строгому контролю качества, подложки этой категории поддерживают различные аналитические методы и процессы калибровки. Изучение материалов на основе углерода продолжает развиваться, оказывая влияние на различные области - от исследований полупроводников до передовой спектроскопии.