CY10315 Подложка высокоориентированного кристалла теллурида висмута Bi2Te3 (001) неправильной формы (около 5x5x0.1 мм)

Подложка высокоориентированного кристалла теллурида висмута Bi2Te3 (001) неправильной формы (около 5x5x0.1 мм) Описание

Подложка из теллурида висмута (Bi2Te3) с высокоориентированной плоскостью (001) имеет неправильную геометрию размером примерно 5x5x0,1 мм. Материал синтезирован с использованием комбинации этапов роста из расплава и последующей полировки, что обеспечивает равномерную ориентацию кристаллов. Его специфические размеры обеспечивают совместимость с испытательными установками в электронных и термоэлектрических экспериментах при минимизации граничных дефектов. Химическая стабильность и контролируемая обработка поверхности способствуют применению в прецизионных измерениях и калибровке устройств.

Высокоориентированная кристаллическая подложка из теллурида висмута Bi2Te3 (001) неправильной формы (около 5x5x0,1 мм) Применение

Электроника
- Используется в качестве подложки в термоэлектрических модулях для достижения эффективного преобразования тепла в электричество за счет использования контролируемой ориентации (001).
- Применяется в качестве испытательной платформы в микроэлектронных исследованиях для улучшения оценки поведения носителей заряда благодаря своим точным размерам.

Промышленность и исследования
- Служит калибровочным эталоном при разработке датчиков для обеспечения точных результатов измерений за счет использования его постоянных кристаллографических свойств.
- Часто используется в материаловедческих исследованиях для оценки анизотропных транспортных свойств, что способствует воспроизводимости эксперимента.

Подложка высокоориентированного кристалла теллурида висмута Bi2Te3 (001) неправильной формы (около 5x5x0.1 мм) Упаковка

Подложка индивидуально упакована в антистатический, влагостойкий конверт и помещена в жесткий контейнер с пенопластовой прокладкой. Такая упаковка минимизирует механические нагрузки и загрязнения при транспортировке и хранении. Продукт хранится при контролируемых условиях окружающей среды и по запросу может быть снабжен дополнительными разделителями или маркировкой для конкретных лабораторий.

Часто задаваемые вопросы

Q1: Какие меры используются для обеспечения сохранения кристаллографической ориентации?
A1: В процессе производства используются поточные SEM- и рентгенодифракционные анализы для постоянного контроля ориентации (001). Эти измерения подтверждают, что выравнивание кристаллов соответствует установленным допускам, обеспечивая стабильность характеристик в чувствительных электронных и термоэлектрических приложениях.

Q2: Как размеры подложки могут повлиять на ее интеграцию в экспериментальные установки?
A2: Размер примерно 5x5x0,1 мм позволяет использовать подложку в стандартных лабораторных держателях и измерительных приспособлениях. Ее заданная геометрия обеспечивает точное выравнивание и уменьшает краевые эффекты, что очень важно для получения стабильных экспериментальных результатов при создании прототипов и калибровке устройств.

Q3: Какие условия хранения рекомендуются для сохранения целостности поверхности подложки?
A3: Рекомендуется хранить подложку в условиях низкой влажности и контролируемой температуры. Упаковка минимизирует загрязнение и механические повреждения, тем самым защищая деликатную поверхность, необходимую для высокоточных измерений.

Дополнительная информация

Теллурид висмута (Bi2Te3) часто исследуется на предмет его термоэлектрических свойств, что делает его предметом обширных исследований в области преобразования энергии и рекуперации отработанного тепла. Контролируемая кристаллографическая ориентация в таких подложках повышает производительность материала в лабораторных исследованиях и прототипах устройств.

В материаловедении точный контроль над ориентацией и морфологией кристаллов вносит значительный вклад в воспроизводимость экспериментов. Такие подложки помогают совершенствовать методы обработки полупроводников и исследования квантовых материалов, обеспечивая надежную платформу для академических исследований и промышленных применений.