CY10327 Двухсторонняя полированная подложка для кристаллов фторида кальция CaF2 (100) 10x10x0.5 мм

Двухсторонняя полированная подложка для кристаллов фторида кальция CaF2 (100) 10x10x0,5 мм Описание

Двухсторонняя полированная подложка для кристаллов фтористого кальция CaF2 (100) 10x10x0,5 мм изготовлена из высокочистого CaF2 с ориентацией (100). Двухсторонняя полировка минимизирует шероховатость поверхности и снижает потери на рассеяние, что очень важно для оптических систем высокого разрешения. Точные размеры 10x10 мм и толщина 0,5 мм обеспечивают совместимость со стандартным оптическим и полупроводниковым технологическим оборудованием, а также стабильную платформу для дальнейшего осаждения тонких пленок.

Двухсторонняя полированная подложка для кристаллов фторида кальция CaF2 (100) 10x10x0,5 мм Применение

1.оптические приборы
- Используется в качестве прецизионного оптического окна в ультрафиолетовых и инфракрасных приборах для достижения улучшенного светопропускания за счет использования низких поглощающих свойств.
- Применяется в качестве подложки для линз в системах формирования изображений высокого разрешения для минимизации поверхностного рассеяния и повышения четкости изображения.

2.Производство полупроводников
- Используется в качестве подложки в системах фотолитографии для обеспечения точного переноса рисунка благодаря равномерной поверхности.
- Применяется в качестве подложки-носителя в процессах тонкопленочного осаждения для сохранения стабильности размеров при высокотемпературной обработке.

3.научные исследования
- Используется в качестве держателя образцов в спектроскопических установках для уменьшения интерференции и паразитного света за счет высокой однородности поверхности.
- Применяется в компонентах лазерных систем для достижения стабильного распространения луча благодаря его точной кристаллографической ориентации.

Двухсторонняя полированная подложка для кристаллов фторида кальция CaF2 (100) 10x10x0,5 мм Упаковка

Подложки индивидуально упакованы в антистатические носители и закреплены в контейнерах с пенопластовой прокладкой для предотвращения механических повреждений и загрязнений. Они хранятся в контролируемых условиях низкой влажности для сохранения целостности полированных поверхностей. В соответствии с особыми требованиями к хранению и обработке возможна дополнительная индивидуализация, например, продувка азотом и маркировка.

Часто задаваемые вопросы

Q1: Как двухсторонняя полировка улучшает характеристики подложки?
A1: Двусторонняя полировка уменьшает шероховатость поверхности и минимизирует потери на рассеяние, что повышает оптическую чистоту и производительность в системах высокого разрешения. Этот процесс очень важен для приложений, требующих точного распространения света и минимальных поверхностных помех.

Q2: Какие меры предосторожности рекомендуются при обращении с этими подложками?
A2: С этими подложками следует работать в чистой среде, используя безворсовые перчатки, чтобы избежать загрязнения. Они должны храниться в условиях, контролируемых по температуре и влажности, чтобы сохранить целостность полированных поверхностей и общую точность размеров.

Q3: Можно ли настроить подложку под конкретные требования к обработке?
A3: Да, доступны варианты настройки размеров, обработки поверхности и упаковки. Можно внести коррективы, чтобы удовлетворить особые требования, такие как специальная толщина или особые условия хранения, для удовлетворения конкретных потребностей оптических или полупроводниковых процессов.

Дополнительная информация

Подложки из фторида кальция (CaF2) широко используются в оптических приложениях благодаря низкому коэффициенту преломления и минимальному оптическому поглощению в ультрафиолетовом и инфракрасном спектрах. Присущие этому материалу химическая инертность и термическая стабильность делают его подходящим вариантом для высокоточных оптических компонентов и изготовления интегральных схем.

Достижения в области обработки материалов позволили получить подложки CaF2 с контролируемой кристаллографической ориентацией и улучшенной поверхностью. Такие усовершенствования способствуют их применению в сложных системах формирования изображений и полупроводниковых процессах, где точный контроль размеров и низкая плотность дефектов имеют первостепенное значение.