CY11155 Кремниевая пластина с иридиевым (Ir) покрытием

Описание кремниевой пластины с иридиевым (Ir) покрытием

Кремниевая пластина с иридиевым (Ir) покрытием представляет собой кремниевую подложку с иридиевым слоем, нанесенным методом физического осаждения из паровой фазы. Тонкая металлическая пленка служит диффузионным барьером, предотвращающим окисление при высокотемпературной обработке. Стандартные размеры подложек обеспечивают совместимость с распространенным оборудованием для производства полупроводников. Присутствие иридия повышает термическую стабильность и минимизирует риски загрязнения при производстве устройств.

Характеристики кремниевых пластин с иридиевым (Ir) покрытием

*Приведенная выше информация о продукте основана на теоретических данных и предназначена только для справки. Фактические характеристики могут отличаться.

Применение кремниевых пластин с иридиевым (Ir) покрытием

Электроника и полупроводники
- Используется в качестве диффузионного барьера при обработке КМОП для ограничения окисления за счет использования иридиевой пленки; сохраняет целостность подложки при термической обработке.
- Применяется в качестве подложки при изготовлении микроэлектронных датчиков для обеспечения стабильности поверхности; покрытие минимизирует риски загрязнения и поддерживает стабильные результаты процесса.

Исследования и разработки
- Используется для исследования свойств тонких пленок в экспериментальных установках, обеспечивая равномерное покрытие; это облегчает воспроизводимый и точный анализ поверхности.
- Часто используется в материаловедческих исследованиях для оценки интерфейсов металл-полупроводник, что способствует улучшению конструкции полупроводниковых устройств.

Упаковка кремниевых пластин с иридиевым (Ir) покрытием

Кремниевые пластины с иридиевым (Ir) покрытием индивидуально запечатаны в антистатические пакеты и закреплены в жестких пенопластовых держателях для уменьшения механических ударов и загрязнения частицами. Они хранятся в условиях контроля температуры и влажности для сохранения целостности покрытия. Возможны индивидуальные варианты упаковки, включая лотки с раздельными отделениями и специальную маркировку, для удовлетворения специфических требований к процессу обработки.

Дополнительная информация

Кремниевые пластины являются краеугольным камнем современного производства полупроводников, служа первичными подложками для интегральных схем и современных электронных компонентов. Нанесение тонких металлических покрытий, таких как иридий, улучшает эти подложки, обеспечивая критические барьеры против диффузии и окисления во время высокотемпературной обработки. Такая интеграция металлических пленок и кремниевых подложек является фундаментальным аспектом материаловедения в производстве полупроводников.

Исследования в области осаждения тонких пленок продолжают развиваться, и такие методы, как осаждение напылением, позволяют точно контролировать характеристики пленки. Такие достижения способствуют улучшению характеристик устройств и их масштабируемости в различных промышленных приложениях, подчеркивая важность совместимости материалов и оптимизации процессов в электронике и материаловедении.