CY8294 Подложка для кристаллов сапфира из оксида алюминия, Al2O3 C-Plane (0001) Диам. 50,8 мм x 0,5 мм

Подложка под сапфировый кристалл оксида алюминия, Al2O3 C-Plane (0001) Диам. 50,8 мм x 0,5 мм Описание

Изготовленная из монокристалла Al₂O₃, эта сапфировая подложка с C-плоскостью (0001) является одним из самых надежных решений для высокопроизводительных устройств. При диаметре 50,8 мм и толщине 0,5 мм она обладает исключительной механической прочностью, химической инертностью и исключительной термической стабильностью. Эти свойства делают его идеальным для таких передовых приложений, как эпитаксия светодиодов, микроэлектроника и оптические системы. Его повышенная диэлектрическая проницаемость и низкие диэлектрические потери способствуют проведению высокочастотных операций.

Придерживаясь строгих отраслевых стандартов, каждая подложка проходит тщательное тестирование, чтобы гарантировать стабильное качество и минимальные дефекты поверхности. Полированные поверхности гарантируют равномерный эпитаксиальный рост и легкую интеграцию в сложные структуры устройств. Положитесь на эту сапфировую подложку Al₂O₃ C-plane для надежной работы, повышения эффективности устройств и непревзойденной долговечности в сложных условиях.

Кристаллическая подложка сапфира из оксида алюминия, Al2O3 C-плоскость (0001) диам. 50,8 мм x 0,5 мм Применение

Кристаллическая подложка из оксида алюминия и сапфира (Al2O3) C-plane (0001) Dia. 50,8 мм x 0,5 мм высоко ценится за исключительную оптическую чистоту, невероятную твердость и превосходную термическую стабильность. Эти характеристики делают его незаменимым материалом во многих отраслях промышленности, поддерживая передовые исследования и разработку коммерческих продуктов. Способность выдерживать жесткие условия окружающей среды, сохраняя при этом оптическую прозрачность, делает его особенно ценным для устройств, требующих надежной работы в сложных условиях.

1. Промышленные применения

- Защитные стекла для высокотемпературного оборудования, использующие превосходную термическую стабильность подложки

- Износостойкие компоненты, используемые в суровых промышленных условиях, благодаря исключительной твердости сапфира.

2. Исследовательские применения

- Подложка для исследований полупроводников, обеспечивающая стабильную платформу для эпитаксиального роста и изучения передовых материалов

- Оптические компоненты для экспериментов в области спектроскопии, благодаря высоким пропускающим свойствам кристалла.

3. Коммерческие применения

- Устойчивые к царапинам часовые кристаллы, использующие надежную механическую прочность сапфира

- Объективы камер высокого класса, использующие его замечательную прозрачность и низкое двулучепреломление

Подложка для кристаллов сапфира из оксида алюминия, Al2O3 C-Plane (0001) Диам. 50,8 мм x 0,5 мм Упаковка

Каждая сапфировая подложка Al2O3 C-plane (0001) (диаметр 50,8 мм x толщина 0,5 мм) тщательно упакована в антистатическую вакуумную упаковку с пенопластовой прокладкой для предотвращения механических повреждений. Подложки следует хранить в чистой среде с низкой влажностью, чтобы минимизировать загрязнение. Для обеспечения оптимальной сухости мы используем герметичные пластиковые контейнеры с влагопоглощающими пакетами. Индивидуальные варианты маркировки и конфигурации упаковки позволяют удовлетворить особые потребности в обращении, гарантируя, что каждая подложка останется первозданной для точного применения.

Упаковка: Вакуумная упаковка, деревянная коробка или по индивидуальному заказу.

Подложка для сапфировых кристаллов из оксида алюминия, Al2O3 C-Plane (0001) Dia. 50,8 мм x 0,5 мм Вопросы и ответы

Q1: Каковы основные свойства материала подложки кристалла оксида алюминия сапфира, Al2O3 C-Plane (0001) Диам. 50.8 мм x 0.5 мм?

A1: Сапфировые подложки из оксида алюминия (Al2O3) обладают исключительной твердостью (9 по шкале Мооса), высокой теплопроводностью (25-35 Вт/мК) и отличной химической стабильностью. Ориентация в плоскости C (0001) благоприятна для эпитаксиального роста, что обеспечивает хорошо выраженную поверхностную решетку. Благодаря низкой диэлектрической проницаемости и превосходному оптическому пропусканию эти подложки широко используются в микроэлектронике и оптоэлектронике. Диаметр 50,8 мм и толщина 0,5 мм соответствуют стандартным промышленным требованиям к подложкам.

Q2: Как следует обращаться с этим продуктом и хранить его?

A2: Из-за хрупкости и прецизионных поверхностей с подложкой следует обращаться в чистых помещениях, используя безворсовые перчатки и неабразивные инструменты. Для предотвращения царапин и загрязнений храните каждую пластину в защитном держателе или кассете, разделенных мягкими прокладками. Поддерживайте стабильную температуру и влажность, избегайте прямого контакта с голыми руками или агрессивными химическими веществами, чтобы сохранить целостность кристаллов.

Q3: Какие стандарты качества и сертификаты применяются к Алюминиевый оксид сапфира кристалл субстрат, Al2O3 C-плоскость (0001) Диам. 50.8 мм x 0.5 мм?

A3: Для сапфировых подложек полупроводникового класса соответствующие системы качества обычно включают ISO 9001 для общего управления производством и качеством, а также ISO 14001 для экологической практики. В некоторых случаях производители могут придерживаться стандартов SEMI, касающихся геометрии пластин, плоскостности и качества поверхности. Многие поставщики также проводят строгую собственную метрологию, такую как рентгеновская дифракция, измерение шероховатости поверхности и проверка дефектов, что гарантирует соответствие этих подложек строгим спецификациям микроэлектроники и оптоэлектроники.

Сопутствующая информация

1. Производственный процесс

Процесс производства подложки для кристаллов оксида алюминия-сапфира, Al2O3 C-Plane (0001), диам. 50,8 мм x 0,5 мм начинается с формирования слитка сапфира высокой чистоты. С помощью тщательно контролируемых технологий, часто включающих метод Вернейля или Чохральского, кристалл выращивается с целью минимизации структурных несовершенств и примесей. После того как слиток сформирован, его точно разрезают на диски требуемого диаметра 50,8 мм и подвергают тщательной шлифовке поверхности, что позволяет достичь оптимальной толщины в 0,5 мм.

После завершения этапов формовки подложка подвергается тщательной притирке и полировке для создания безупречной поверхности. Используя запатентованные полировочные составы и современное оборудование, производители обеспечивают минимальную шероховатость поверхности, что является решающим фактором для последующего изготовления устройства. Затем отполированная подложка проходит тестирование для подтверждения кристаллографической ориентации в плоскости C (0001), что гарантирует однородность и согласованность всех производственных партий.

2. Применение в передовых отраслях промышленности

В таких передовых отраслях, как оптоэлектроника, микроэлектроника и точное приборостроение, для достижения превосходных характеристик устройств часто используется данный тип подложки для кристаллов оксида алюминия и сапфира. Ее прочная структурная целостность и безупречное выравнивание кристаллов позволяют добиться минимальной деформации при эпитаксиальном выращивании полупроводников, таких как нитрид галлия (GaN). Такая надежность делает подложку особенно полезной при производстве высокочастотных радиоустройств и светодиодов с повышенной эффективностью и теплоотводом.

При обработке на уровне пластин исключительная термическая стабильность и химическая инертность подложки играют ключевую роль в обеспечении надежности устройств. В силовой электронике ее способность выдерживать повышенные температуры без деформации и разрушения способствует увеличению срока службы. Кроме того, диаметр 50,8 мм и толщина 0,5 мм обеспечивают совместимость со стандартным промышленным технологическим оборудованием, что еще больше расширяет сферу его применения в современных исследованиях в области нанотехнологий и фотоники.