CY8542 Подложка для кристаллов кремния (Si) (100) Диам. 1 дюйм

Кристаллическая подложка из кремния (Si) (100) Диам. 1 дюйм Описание

Кристаллическая подложка из кремния (Si) (100) Dia. 1 дюйм тщательно разработана для обеспечения исключительной однородности и чистоты, что делает ее идеальной основой для широкого спектра микроэлектронных и фотонных приложений. Отличаясь низкой плотностью дефектов и жестким допуском по толщине, эта монокристаллическая пластина обеспечивает стабильные результаты в таких процессах, как эпитаксиальный рост, осаждение тонких пленок и изготовление устройств. Кристаллографическая ориентация (100) обеспечивает оптимальные электрические и механические свойства, а также стабильную структуру решетки, способствующую высокоточным приложениям.

Изготовленная в соответствии со строгими стандартами контроля качества, эта подложка соответствует или превосходит отраслевые стандарты по шероховатости поверхности, точности размеров и составу материала. Ее превосходная теплопроводность и высокая механическая прочность гарантируют надежную работу даже в сложных условиях. Независимо от того, используется ли эта силиконовая подложка в исследованиях, при создании прототипов или в крупносерийном производстве, она обеспечивает постоянство и долговечность, которые требуются современным высокотехнологичным инновациям.

Кремниевая (Si) кристаллическая подложка (100) Диаметр. 1 дюйм Применение

В передовой электронике и исследованиях современных материалов кремниевая (Si) кристаллическая подложка (100) диам. 1 дюйм отличается однородной структурой, высокой чистотой и отличной термической стабильностью. Эти характеристики обеспечивают эффективную подвижность носителей заряда и прочную механическую целостность. Таким образом, эта подложка позволяет производителям, исследователям и предпринимателям расширять границы производительности устройств, научных открытий и инновационных решений.

1. Промышленные применения

-Производство полупроводниковых приборов: Использование равномерной ориентации кристаллов и высокой чистоты для производства надежных интегральных схем с оптимизированными характеристиками.

-Производство высокоточных датчиков: Использование превосходной термической стабильности для производства датчиков, требующих точных и стабильных измерений в сложных условиях.

2. Научные приложения

-Исследования в области квантовых вычислений: Использование преимуществ превосходной подвижности носителей заряда для изучения квантовых процессов и разработки вычислительных архитектур следующего поколения.

-Оптические и фотонные эксперименты: Обеспечивает стабильную платформу для исследования технологий на основе света и прорывов в материаловедении.

3. Коммерческие приложения

-Развитие бытовой электроники: Позволяет создавать более быстрые, компактные и энергоэффективные устройства благодаря надежной механической целостности и постоянным возможностям легирования.

-Тонкопленочные солнечные элементы: Представляет собой надежную подложку для революционных фотоэлектрических конструкций, которые стремятся максимально повысить эффективность преобразования энергии.

Кристаллическая подложка из кремния (Si) (100) Диаметр. 1 дюйм Упаковка

Каждая кристаллическая подложка кремния (Si) (100) диаметром 1 дюйм запечатана в чистом помещении и защищена двухслойным антистатическим полиэтиленовым пакетом. Помещенная в мягкий пластиковый держатель или контейнер с пенопластовой прокладкой, подложка остается защищенной от механических воздействий и загрязнений. Храните ее в сухом помещении с контролируемой температурой, чтобы сохранить целостность подложки. Дополнительные меры защиты, такие как герметичные корпуса с азотной продувкой, предоставляются по запросу, обеспечивая полностью индивидуальные упаковочные решения.

Упаковка: Вакуумная герметичная упаковка, деревянная коробка или по индивидуальному заказу.

Кристаллическая подложка из кремния (Si) (100) Диам. 1 дюйм Вопросы и ответы

Вопрос 1: Каковы основные свойства материала кремниевой (Si) кристаллической подложки (100) диам. 1 дюйм?

A1: Подложка обычно имеет монокристаллическую структуру, выровненную по ориентации (100) для равномерного профиля легирования. Она известна высокой электронной подвижностью, постоянной толщиной и точным удельным сопротивлением, часто в диапазоне ом-см. Теплопроводность также заслуживает внимания, способствуя отводу тепла. Низкий уровень примесей обеспечивает минимальное количество дефектов, что делает его пригодным для высокопроизводительных полупроводниковых приложений.

В2: Как следует обращаться с этим продуктом и хранить его?

A2: Для безопасного обращения необходимо всегда надевать чистые перчатки или напальчники, чтобы предотвратить загрязнение маслами или частицами. Избегайте прямого прикосновения к полированной поверхности, а при перемещении подложки используйте чистые антистатические пинцеты или вакуумные палочки. Храните подложку в защитном футляре или герметичном контейнере в среде с контролируемой влажностью, чтобы минимизировать окисление и накопление частиц. Регулярно проверяйте условия хранения для поддержания качества подложек.

Вопрос 3: Какие стандарты качества и сертификаты применяются к кремниевой (Si) кристаллической подложке (100) диам. 1 дюйм?

A3: Производители обычно придерживаются стандарта ISO 9001 для управления качеством, обеспечивая последовательные производственные процессы и строгую документацию. Подложки часто соответствуют стандартам SEMI по размерам пластин, плоскостности и обработке поверхности, что обеспечивает их сопоставимость в полупроводниковой промышленности. Дополнительные сертификаты, такие как ISO 14001, также могут иметь значение, подчеркивая экологическую ответственность. Каждая партия часто поставляется с данными проверки материала, подтверждающими такие характеристики, как ориентация, толщина, шероховатость поверхности и удельное сопротивление.

Сопутствующая информация

1. Свойства и преимущества материала

Изготовленные с постоянным диаметром 1 дюйм, кремниевые (Si) кристаллические подложки (100) ценятся за свою равномерную кристаллическую решетку и высокую чистоту. Уникальное кристаллографическое выравнивание обеспечивает стабильное электрическое поведение, что крайне важно для высокоточных приложений, таких как микроэлектронные компоненты и оптоэлектронные устройства. Механическая жесткость - еще одна важная характеристика, обеспечивающая большую устойчивость к деформации и тепловым нагрузкам в ходе длительных процессов производства.

В отличие от пластин большего размера, подложка меньшего диаметра обеспечивает повышенную универсальность при разработке прототипов или производстве в лабораторных условиях. Ее компактный размер упрощает обращение с ней и снижает вероятность повреждения, что делает ее идеальным выбором для исследовательских центров, изучающих специализированные полупроводниковые конструкции. В сочетании с надежной плоскостностью и жестким контролем толщины она обеспечивает надежную основу для достижения точных результатов в экспериментах с передовыми устройствами.

2. Применение в передовых отраслях промышленности

Получившая признание благодаря своим прецизионным поверхностям, кремниевая (Si) кристаллическая подложка (100) диам. 1 дюйм является неотъемлемой частью передовых областей, включая фотонику, нанотехнологии и сенсорную инженерию. В фотонных предприятиях последовательная ориентация подложки способствует равномерному распространению волн, обеспечивая превосходную манипуляцию светом, необходимую для оптических систем нового поколения. В лабораториях нанотехнологий ее жесткая атомная структура обеспечивает надежную нанофабрику, что способствует инновациям в области миниатюрных схем и платформ для обнаружения биомолекул.

Инженеры в области электроники интегрировали эту подложку в силовые устройства, транзисторные массивы и передовые беспроводные модули. Стабильная ориентация (100) уменьшает количество дефектов кристалла, что позволяет увеличить выход устройств и улучшить производительность в высокочастотных приложениях. Компактный диаметр в сочетании с однородностью поверхности делает ее предпочтительным вариантом для точного склеивания пластин и процессов послойного осаждения, что еще раз подчеркивает ее ключевую роль в современном полупроводниковом прогрессе.