CY8543 Подложка для кремниевых (Si) кристаллов (110) Диам. 1 дюйм

Кристаллическая подложка из кремния (Si) (110) Диам. 1 дюйм Описание

Наша подложка для кристаллов кремния (Si) (110) диаметром 1 дюйм разработана для обеспечения превосходного качества кристаллов и исключительной однородности структуры. Ориентация (110) обеспечивает уникальное расположение атомов, которое очень благоприятно для применения в передовой микроэлектронике, фотовольтаике и исследованиях МЭМС. Благодаря высокой чистоте и низкой плотности дефектов эта подложка обеспечивает точный контроль легирующих элементов и минимальные деформации решетки, гарантируя надежную работу и воспроизводимые результаты как в экспериментальных, так и в производственных условиях.

Изготовленная в соответствии со строгими стандартами качества, каждая подложка подвергается тщательному контролю для проверки плоскостности поверхности, равномерности толщины и общей точности размеров. Такой тщательный контроль гарантирует оптимальное качество поверхности, пригодной для осаждения тонких пленок, фотолитографии и других процессов производства. Независимо от того, исследуете ли вы новые концепции устройств или наращиваете производство, наши кремниевые (Si) кристаллические подложки (110) обеспечивают стабильные свойства и надежную работу, необходимые для передовых технологических достижений.

Кристаллическая подложка из кремния (Si) (110) Диам. 1 дюйм Применение

Кристаллическая подложка из кремния (Si) (110) диам. 1 дюйм является универсальной основой для широкого спектра сложных методик. Благодаря высокой чистоте, однородной кристаллической структуре и точной ориентации, она обеспечивает стабильную работу во многих областях. Использование этих свойств приводит к высокой теплопроводности, превосходным электрическим характеристикам и надежной механической прочности, что делает его незаменимым для самых современных приложений.

1. Промышленные применения

-Высокопроизводительная электроника: Ориентация (110) обеспечивает эффективный перенос носителей, что идеально подходит для силовых транзисторов.

-Теплораспределители: исключительная теплопроводность помогает рассеивать тепло в промышленных условиях с высокими требованиями.

2. Исследовательские применения

-Эксперименты с полупроводниками: Стабильная ориентация кристаллов позволяет проводить расширенные исследования легирования и роста.

-Развитие фотоники: Равномерная толщина подложки помогает в точном проектировании и тестировании оптических компонентов.

3. коммерческое применение

-Производство потребительских устройств: однородность и прочность способствуют созданию надежных и долговечных продуктов.

-Сенсорные технологии: Высокая чистота обеспечивает точное обнаружение сигнала и стабильную работу в течение долгого времени.

Кристаллическая подложка из кремния (Si) (110) Диам. 1 дюйм Упаковка

Каждая кремниевая кристаллическая подложка диаметром 1 дюйм (110) индивидуально запечатана в полиэтиленовый пакет для чистых помещений с пенопластовыми вставками для амортизации. Для достижения наилучших результатов храните их в контролируемой среде при температуре 20-25°C и влажности ниже 50%. Меры по предотвращению загрязнения включают двойную упаковку и минимальное обращение. По запросу можно заказать индивидуальную защитную упаковку, например, вакуумную герметизацию и ESD-обманки. Четкая маркировка с указанием технических характеристик продукта обеспечивает прослеживаемость и эффективное управление запасами.

Упаковка: Вакуумная герметичная, деревянная коробка или по индивидуальному заказу.

Кристаллическая подложка из кремния (Si) (110) Диам. 1 дюйм Вопросы и ответы

Q1: Каковы основные свойства материала кремния (Si) кристалл субстрат (110) Диам. 1 дюйм?

A1: Кремний (Si) Кристалл субстрата (110) Диам. 1 дюйм обычно демонстрирует отличную механическую прочность, точное расположение атомов и стабильные параметры решетки. С кристаллографической ориентацией (110) она предпочтительна для микроэлектромеханических систем (MEMS) и специализированных электронных устройств, требующих направленного травления. Типичное удельное сопротивление составляет от 1 до 20 Ом-см в зависимости от типа легирования, что обеспечивает стабильную проводимость. Поверхность гладкая, с минимальной шероховатостью, что позволяет изготавливать высококачественные устройства.

Q2: Как следует обращаться с этим продуктом и хранить его?

A2: Правильное обращение с кремниевой (Si) кристаллической подложкой (110) диам. 1 дюйм предполагает использование перчаток для чистых помещений во избежание загрязнения и удержание подложки за края во избежание царапин. Подложку следует хранить в чистой, свободной от статического электричества среде с контролируемой влажностью и температурой. Избегайте прямого контакта с твердыми поверхностями и используйте мягкие контейнеры для транспортировки. Регулярный осмотр и тщательная очистка с использованием разрешенных растворителей сохранят целостность поверхности.

Вопрос 3: Какие стандарты качества и сертификаты применяются к кремниевой (Si) кристаллической подложке (110) диам. 1 дюйм?

A3: Кремниевая (Si) кристаллическая подложка (110) диам. 1 дюйм обычно соответствует стандартам ISO 9001 для управления качеством, обеспечивая последовательное производство и прослеживаемость. Кроме того, многие поставщики придерживаются спецификаций SEMI для геометрии пластин, плоскостности и точности кристаллографической ориентации. Для подтверждения минимального содержания опасных веществ часто проводится сертификация на соответствие стандарту RoHS. Регулярные проверки QC и метрологические процессы проводятся для подтверждения однородности толщины, удельного сопротивления и плотности дефектов перед отгрузкой продукции.

Сопутствующая информация

1. Производственный процесс

Для создания кремниевой (Si) кристаллической подложки (110) диам. 1 дюйм, обеспечивая равномерную структуру решетки и стабильную ориентацию. Эти подложки часто начинаются как кристаллы кремния высокой чистоты, выращенные с помощью таких методов, как процесс Чохральского, где кремний расплавляется, а затем тщательно вытягивается для формирования слитка. Ориентация (110) поддерживается с точностью на протяжении всей этой процедуры, способствуя постоянным свойствам и точности размеров подложки.

Затем следуют усовершенствованные процедуры нарезки и полировки, в ходе которых пластины вырезаются из слитка и подвергаются машинной полировке для достижения оптимальной гладкости. Во время полировки тщательно удаляются все неровности и загрязнения, чтобы получить зеркальную поверхность с жесткими требованиями к плоскостности. Такое внимание к деталям жизненно важно для достижения минимальных дефектов, что очень важно, когда подложка проходит последующие этапы изготовления устройств в исследовательских и коммерческих средах.

2. Применение в передовых отраслях промышленности

Высокая производительность микроэлектромеханических систем (МЭМС), полупроводниковых лазеров и микропроцессоров делает кремниевую (Si) кристаллическую подложку (110) диам. 1 дюйм неоценимой. Ее четко определенная кристаллическая ориентация обеспечивает стабильные характеристики терморегуляции, электропроводности и распределения напряжений, что очень важно для хрупких электронных устройств. Диаметр подложки в один дюйм делает ее особенно подходящей для специализированных производственных условий или опытно-промышленных экспериментов, направленных на разработку инновационных устройств.

Целевое использование в передовых отраслях, таких как оптоэлектроника и разработка датчиков, обусловлено значительной надежностью и точностью размеров этой подложки. Ее способность сохранять кристаллическую стабильность при различных условиях помогает исследователям и производителям оптимизировать производственный процесс, сократить отходы материалов и повысить качество продукции. Такая универсальность позволяет использовать кремниевую (Si) кристаллическую подложку (110) диам. 1 дюйм в качестве ключевого компонента для продвижения технологий следующего поколения во многих областях высоких технологий.