CY8544 Подложка для кристаллов кремния (Si) (111) Диам. 1 дюйм

Кристаллическая подложка из кремния (Si) (111) Диам. 1 дюйм Описание

Откройте для себя исключительное качество и надежность нашей подложки для кристаллов кремния (Si) (111) диаметром 1 дюйм, предназначенной для прецизионных микроэлектронных и оптоэлектронных приложений. Созданные с использованием передовых процессов выращивания монокристаллов, эти подложки имеют высокооднородную кристаллическую решетку и превосходный уровень чистоты, обеспечивая минимальное количество дефектов и отличную подвижность носителей. Ориентация (111) обеспечивает отличные электрические и механические характеристики, что делает их идеальными для исследовательских лабораторий, производства полупроводников и разработки новейших устройств.

Каждая подложка соответствует строгим промышленным стандартам плоскостности поверхности и плотности дефектов, что обеспечивает стабильную производительность и уменьшение вариаций при изготовлении устройств. Если вам требуется создание прототипов для инновационных нанотехнологий или создание надежных интегральных схем, наши кремниевые (Si) кристаллические подложки (111) обеспечивают надежное качество, стабильность и воспроизводимость для поддержки ваших производственных и исследовательских начинаний.

Кристаллическая подложка из кремния (Si) (111) Диам. 1 дюйм Применение

Кремниевая (Si) кристаллическая подложка (111) диам. 1 дюйм ценится за точную молекулярную структуру и отличную теплопроводность. Эта прочная подложка может иметь различные конфигурации, что делает ее незаменимой в отраслях, где требуются высокопроизводительные компоненты. Ее однородная поверхность в сочетании с надежными механическими характеристиками позволяет изготавливать самые современные устройства, а ориентация (111) улучшает процессы роста и осаждения кристаллов в различных областях применения.

1. Промышленные применения

-Изготовление высокочастотных микроэлектронных устройств, где ориентация (111) поддерживает точность наслоения и улучшает производительность

-Производство МЭМС-датчиков, где используется исключительная термическая и механическая стабильность подложки для надежной работы датчиков.

2. Исследовательские приложения

-Передовые исследования эпитаксиального роста, использующие постоянную кристаллическую ориентацию для изучения новых полупроводниковых материалов

-Фундаментальные материаловедческие эксперименты, направленные на изучение профилей легирования и проектирование кристаллических решеток для электроники следующего поколения.

3. коммерческие приложения

-Технология получения изображений высокого разрешения, использующая однородность и превосходную проводимость подложки для повышения эффективности датчиков

-Компоненты бытовой электроники, обеспечивающие стабильную платформу для интегральных схем в смартфонах и других портативных устройствах.

Кристаллическая подложка из кремния (Si) (111) Диам. 1 дюйм Упаковка

Каждая кремниевая (Si) кристаллическая подложка (111) диам. 1 дюйм индивидуально вложена в пенопластовый вкладыш, не подверженный статическому электричеству, и запечатана в влагонепроницаемый пакет для чистых помещений. Упаковка хранится при контролируемой температуре и влажности, чтобы минимизировать окисление и накопление частиц. Внешняя коробка обеспечивает дополнительную защиту от ударов и предотвращает загрязнение при транспортировке. Опциональная настройка включает в себя индивидуальное брендирование и маркировку штрих-кодом, обеспечивая точную прослеживаемость для специализированных приложений.

Упаковка: Вакуумная герметичная упаковка, деревянная коробка или индивидуальная упаковка.

Кристаллическая подложка из кремния (Si) (111) Диам. 1 дюйм Вопросы и ответы

Вопрос 1: Каковы основные свойства материала кремниевой (Si) кристаллической подложки (111) диам. 1 дюйм?

A1: Кремний (Si) Кристалл субстрата (111) Диам. 1 дюйм обычно имеет кристаллическую ориентацию, которая способствует высокой подвижности электронов, минимальным дефектам кристаллической решетки и отличной однородности. Имея полосу пропускания около 1,12 эВ, она обеспечивает хорошую теплопроводность и стабильную механическую прочность. Ориентация подложки 111 особенно полезна для расширенного эпитаксиального роста и изготовления устройств, обеспечивая постоянную толщину слоя, низкое коробление подложки и точный контроль легирования.

Q2: Как следует обращаться с этим продуктом и хранить его?

A2: Для правильного обращения необходимо надевать перчатки для чистых помещений и использовать неметаллические пинцеты для предотвращения загрязнения. Храните подложку в условиях низкой влажности, без пыли, при стабильной комнатной температуре, в идеале - в антистатическом контейнере для пластин. Избегайте прямого контакта с кожей или воздействия агрессивных химических веществ. Регулярно осматривайте поверхность на предмет повреждений или скопления частиц. Обращайтесь только с гранями, чтобы сохранить первозданную поверхность кристалла, необходимую для надежной работы устройства и точности измерений.

Вопрос 3: Какие стандарты качества и сертификаты применяются к кремниевой (Si) кристаллической подложке (111) диам. 1 дюйм?

A3: Эти подложки обычно соответствуют стандартам SEMI (Semiconductor Equipment and Materials International) по допускам на размеры, равномерности толщины и плотности дефектов. Они также могут соответствовать стандарту управления качеством ISO 9001 для обеспечения стабильности и надежности производства. Дополнительные сертификаты могут включать соответствие стандартам REACH и RoHS, что гарантирует соблюдение экологических норм и правил безопасности. Производители подвергают каждую партию подложек строгим протоколам проверки, чтобы гарантировать чистоту, точность ориентации и низкий уровень загрязнения частицами.

Сопутствующая информация

1. Свойства и преимущества материалов

Предназначенная для удовлетворения самых строгих требований к полупроводникам, подложка для кристаллов кремния (Si) (111) диам. 1 дюйм обеспечивает исключительную механическую стабильность и однородность по всей поверхности. Благодаря строго контролируемой кристаллической структуре она обладает превосходной теплопроводностью и постоянными параметрами решетки, что делает ее надежной основой для прецизионных микроэлектронных приложений.

Изготовленная в соответствии со стандартами высокой чистоты, ориентация (111) этой подложки обеспечивает идеальную плоскость для сложного эпитаксиального роста и наслаивания устройств. Благодаря минимизации дислокаций и плотности дефектов подложка обеспечивает оптимальные электрические характеристики критически важных компонентов, таких как силовые устройства, датчики и современные интегральные схемы.

2. Применение в передовых отраслях промышленности

Отличаясь превосходным выравниванием кристаллов, кремниевая (Si) кристаллическая подложка (111) диам. Ее точная структура и стабильные электронные свойства позволяют исследователям и производителям создавать инновационные устройства, требующие строгих технических требований к материалам.

Интеграция этой подложки в технологии нового поколения позволяет повысить чувствительность датчиков, надежность высоковольтных приложений и эффективность фотовольтаики. Ее уникальные кристаллографические свойства в сочетании со строгим контролем размеров обеспечивают точность, необходимую для инноваций в масштабе пластины и новых высокопроизводительных решений.