CY8547 Подложка для кристаллов кремния (Si) (111) Диам. 2 дюйма

Кристаллическая подложка из кремния (Si) (111) Диам. 2 дюйма Описание

Оцените превосходную производительность с нашей подложкой для кристаллов кремния (Si) (111) Dia. 2 дюйма, тщательно разработанной для передовых исследований в области полупроводников и фотоники. Кристаллографическая ориентация (111) обеспечивает исключительное качество кристаллов, что делает ее идеальной для производства передовых устройств, таких как силовая электроника и микроэлектромеханические системы (MEMS). Каждая подложка полируется до зеркального блеска и имеет жесткие допуски по толщине, что обеспечивает минимальную плотность дефектов и стабильные условия обработки.

Наши кремниевые (111) подложки отвечают строгим промышленным стандартам и стандартам качества, включая всесторонние проверки шероховатости поверхности, целостности кристаллической структуры и точности размеров. Эта приверженность совершенству гарантирует стабильные, повторяемые результаты как в научно-исследовательских работах, так и в крупносерийном производстве. Разрабатываете ли вы новую оптику или интегральные схемы нового поколения, наша кремниевая (Si) кристаллическая подложка (111) диам. 2 дюйма обеспечивает требуемую надежность и производительность.

Кристаллическая подложка из кремния (Si) (111) диам. 2 дюйма Применение

Кристаллическая подложка из кремния (Si) (111) диаметром 2 дюйма - это ключевой материал, который демонстрирует исключительную однородность структуры, определенную ориентацию и замечательную термическую стабильность. Ориентация (111) обеспечивает превосходную поверхность для эпитаксиального роста, что позволяет создавать высококачественные слои, необходимые для производства современных устройств. Благодаря контролируемому уровню примесей и низкой плотности дефектов эта подложка обеспечивает точность и надежность в различных промышленных, исследовательских и коммерческих приложениях.

1. Промышленные применения

-Применение 1: производство высокотемпературных датчиков и приводов с использованием замечательной термической стабильности подложки

-Применение 2: силовые электронные устройства, использующие низкую плотность дефектов для повышения производительности и долговечности.

2. Исследовательские приложения

-Применение 1: исследования в области квантовых вычислений, использование точного контроля легирования для стабилизации кубитов

-Применение 2: исследования в области материаловедения, оценка роста кристаллов и образования дефектов на (111) ориентированных поверхностях.

3. коммерческие приложения

-Применение 1: массовое производство высокотехнологичных интегральных схем с использованием преимуществ структурной однородности

-Применение 2: Технологии дисплеев нового поколения, использующие превосходную кристаллическую поверхность для надежного эпитаксиального наслаивания.

Кристаллическая подложка кремния (Si) (111) Диам. 2 дюйма Упаковка

Каждая кремниевая кристаллическая подложка диаметром 2 дюйма (111) индивидуально запечатана под вакуумом в защитный полиэтиленовый пакет с низким содержанием частиц, а затем помещена в прочный контейнер, совместимый с чистым помещением. Во избежание загрязнения при работе с ними надевайте перчатки и храните в сухом помещении с контролируемым климатом. Дополнительные антистатические и влагозащитные слои обеспечивают максимальную чистоту. Индивидуальная маркировка, количество упаковок и специализированные контейнеры доступны по запросу, что обеспечивает гибкость для различных исследований и производственных требований.

Упаковка: Вакуумная герметичная упаковка, деревянная коробка или по индивидуальному заказу.

Кристаллическая подложка из кремния (Si) (111) Диам. 2 дюйма Вопросы и ответы

Вопрос 1: Каковы основные свойства материала кремниевой (Si) кристаллической подложки (111) диам. 2 дюйма?

A1: Кристаллическая подложка из кремния (Si) с ориентацией (111) обычно обладает высокой механической стабильностью, высокой кристаллографической чистотой и равномерным уровнем легирования, когда это применимо. Ее диаметр 2 дюйма соответствует точному стандарту пластин для научных исследований и промышленного использования. Теплопроводность составляет около 150 Вт/мК, а толщина подложки обычно составляет 275-525 мкм, что обеспечивает совместимость с различными процессами микрофабрикации.

Вопрос 2: Как следует обращаться и хранить кремниевую (Si) кристаллическую подложку (111) диам. 2 дюйма следует обращаться и хранить?

A2: При работе с кремниевой (Si) кристаллической подложкой всегда надевайте неопудренные перчатки, чтобы избежать загрязнения и отпечатков пальцев. Используйте пластиковый или тефлоновый пинцет, чтобы избежать царапин на хрупкой поверхности подложки. Храните подложку в контейнере, совместимом с чистым помещением, в условиях низкой влажности и отсутствия пыли, чтобы свести к минимуму окисление и образование твердых частиц. Избегайте резких перепадов температуры, так как тепловой шок может вызвать коробление или микротрещины.

Вопрос 3: Какие стандарты качества и сертификаты применяются к кремниевой (Si) кристаллической подложке (111) диам. 2 дюйма?

A3: Кристаллические подложки из кремния (Si) обычно соответствуют стандартам SEMI M1, регулирующим размеры пластин, плоскостность поверхности и чистоту материала. Дополнительные сертификаты ISO, такие как ISO 9001, также могут применяться для обеспечения последовательности производства и управления качеством. Поставщики часто предоставляют сертификат соответствия, включая проверку удельного сопротивления и толщины. Соблюдение этих стандартов обеспечивает надежные и воспроизводимые результаты при изготовлении устройств, исследовании полупроводников и в других сложных областях применения.

Сопутствующая информация

1. Свойства и преимущества материалов

Начиная с тщательно ориентированной плоскости (111), кремниевая (Si) кристаллическая подложка Dia. 2 дюйма демонстрирует исключительную кристаллическую однородность, что повышает ее электронную и структурную целостность. Такая ориентация значительно уменьшает дефекты решетки, что делает ее особенно подходящей для производства современных устройств, где важны постоянство и высокая надежность работы. Прецизионный диаметр 2 дюйма обеспечивает оптимальный баланс между гибкостью компоновки устройств и экономичностью, а стабильные характеристики теплового расширения подложки минимизируют искажения при высокотемпературной обработке.

Усиленная прочной ковалентной связью, эта подложка из кремниевого кристалла обеспечивает надежную основу, способную выдержать целый ряд сложных приложений. Более низкая плотность дефектов в ориентации (111) способствует лучшей подвижности носителей, что приводит к более эффективному транспорту электронов в силовой электронике и высокоскоростных схемах. Кроме того, высокая химическая стабильность и плоская поверхность позволяют создавать разнообразные тонкопленочные слои, открывая путь к новым применениям в микроэлектромеханических системах (МЭМС) и квантовых устройствах.

2. Применение в передовых отраслях промышленности

Благодаря низкой шероховатости поверхности и исключительной ориентации кристаллов, кремниевая (Si) кристаллическая подложка (111) диам. 2 дюйма широко используется при изготовлении современных силовых транзисторов, датчиков и другой микроэлектроники. Способность сохранять верность структуры в агрессивных условиях обработки делает ее лучшим кандидатом для интеграции составных полупроводниковых гетероструктур, что расширяет сферу ее применения в передовой оптоэлектронике. Сочетание точного контроля толщины и однородных профилей легирования обеспечивает надежные результаты, что является решающим фактором в отраслях, где требуется постоянное качество от партии к партии.

Сложные технологии литографии также используют поверхность (111) кремния для достижения точного разрешения линий, что открывает путь к созданию передовых фотонных и наноэлектронных компонентов. При использовании в высокопроизводительных системах передачи данных или в специализированных автомобильных сенсорных системах эта подложка отличается стабильными электрическими характеристиками, которые способствуют стабильной работе устройств. По мере того как различные области продолжают внедрять все более сложные полупроводниковые технологии, способность кремниевой подложки (111) обеспечивать плавную интеграцию и высокопроизводительное производство остается важной для расширения границ современных электронных инноваций.