CY8550 Кремниевая (Si) кристаллическая подложка (111) Диам. 3 дюйма

Кристаллическая подложка из кремния (Si) (111) Диам. 3 дюйма Описание

Эта кремниевая (Si) кристаллическая подложка с кристаллографической ориентацией (111) и диаметром 3 дюйма разработана для обеспечения превосходной производительности в передовых полупроводниковых процессах. Ее высокоупорядоченная кристаллическая структура обеспечивает превосходную однородность и оптимальные электрические свойства, что делает ее идеальной для передовых приложений, таких как микроэлектроника, фотоника и производство датчиков. Благодаря низкой плотности дефектов и исключительной плоскостности поверхности эта подложка обеспечивает надежные характеристики устройств и стабильные результаты производства.

Изготовленная в соответствии со строгими промышленными стандартами, каждая пластина проходит жесткие протоколы контроля качества, включая прецизионные измерения толщины и тщательный контроль поверхности. Такое пристальное внимание к деталям помогает обеспечить равномерный выход продукции и стабильные характеристики устройств, позволяя исследователям и производителям поддерживать точные параметры процесса. Выберите эту кристаллическую подложку из кремния (111), чтобы достичь высочайшего уровня надежности и производительности в ваших самых требовательных проектах.

Кристаллическая подложка из кремния (Si) (111) Диам. 3 дюйма Применение

Кристаллическая подложка кремния (Si) (111) диам. 3 дюйма - это высококачественная пластина, известная своей превосходной ориентацией кристаллов, надежностью и однородностью. Благодаря точному контролю легирования и минимальному количеству дефектов, эта подложка обеспечивает стабильную платформу, необходимую для передового производства и исследований. Превосходная механическая прочность, теплопроводность и функциональная универсальность делают ее важнейшим компонентом в многочисленных промышленных, научных и коммерческих приложениях.

1. Промышленные применения

-Высокоэффективное производство полупроводниковых приборов благодаря равномерному легированию подложки и минимальной плотности дефектов

-Надежное соединение пластин и изготовление МЭМС, обеспечивающее механическую прочность и термическую стабильность.

2. Исследовательские приложения

-Современные испытания по определению характеристик материалов и выращиванию тонких пленок

-Эксперименты квантового масштаба, требующие постоянной кристаллической ориентации для точных измерений

3. коммерческие приложения

-Оптические датчики и плазменная обработка, полагающиеся на высокую чистоту и долговечность пластин

-Прототипы солнечных элементов, где контролируемое легирование и превосходное качество кристаллов улучшают преобразование энергии.

Кристаллическая подложка кремния (Si) (111) Диам. 3 дюйма Упаковка

Каждая кремниевая (Si) кристаллическая подложка (111) диаметром 3 дюйма индивидуально запечатана в двухслойный пакет, соответствующий классу чистоты, заполненный инертным технологическим газом. Пенопластовые вставки и антистатические материалы защищают подложку от механических нагрузок, а герметичные контейнеры типа "клэмпшелл" блокируют попадание пыли и влаги. Хранить в условиях, контролирующих температуру и влажность. Опциональная упаковка включает в себя специальную маркировку, вакуумные пакеты и статические лотки для предотвращения загрязнения.

Упаковка: Вакуумная упаковка, деревянная коробка или индивидуальная упаковка.

Кристаллическая подложка из кремния (Si) (111) Диам. 3 дюйма Вопросы и ответы

Q1: Каковы основные свойства материала кремния (Si) кристалл субстрат (111) Диам. 3 дюйма?

A1: Кристаллические подложки из кремния (Si) в ориентации (111), размером три дюйма в диаметре, обычно отличаются высокой степенью кристаллического совершенства, с низкой плотностью дислокаций. Они обладают превосходной теплопроводностью, умеренным уровнем легирования для достижения необходимого электрического сопротивления и низкой шероховатостью поверхности (менее 1 нм) для изготовления устройств. Ориентация (111) особенно хорошо подходит для некоторых процессов эпитаксиального роста, обеспечивая равномерное качество слоя.

Q2: Как следует обращаться с этим продуктом и хранить его?

A2: Правильное обращение с кремниевой (Si) кристаллической подложкой (111) диам. 3 дюйма необходимо для сохранения качества поверхности и предотвращения загрязнения. Операторы должны использовать перчатки для чистых помещений и неабразивный пинцет, обрабатывая подложки только за края. Подложки следует хранить в надежном вакуумном контейнере для пластин или в среде, очищенной азотом, чтобы свести к минимуму окисление. Контроль температуры и влажности очень важен для предотвращения коробления, образования трещин или деградации поверхности под воздействием влаги.

Вопрос 3: Какие стандарты качества и сертификаты применяются к кремниевой (Si) кристаллической подложке (111) диам. 3 дюйма?

A3: Подложка из кремния (Si) Crystal Substrate (111) Dia. 3 дюйма обычно соответствует стандартам SEMI M1 для полупроводниковых материалов, касающимся допусков на размеры, плоскостности поверхности, равномерности легирования и контроля дефектов. Дополнительные стандарты, такие как ISO 9001, обеспечивают надежное управление качеством, а строгие процессы квалификации поставщиков гарантируют чистоту подложек. Соответствие экологическим нормам и нормам безопасности, включая RoHS и REACH, еще раз подчеркивает приверженность надежности, отслеживаемости и глобальному признанию продукции.

Сопутствующая информация

1. Свойства и преимущества материала

Изготовленная из монокристалла с ориентацией (111), кремниевая (Si) кристаллическая подложка диам. 3 дюйма демонстрирует превосходное выравнивание атомов, что повышает подвижность носителей и минимизирует дефекты кристалла. Такая ориентация также обеспечивает четкий рельеф поверхности, способствуя равномерному эпитаксиальному осаждению, что очень важно для надежных электронных устройств. Кроме того, изысканное расположение кристаллической решетки подложки способствует равномерной толщине и минимальным подповерхностным повреждениям, обеспечивая превосходную механическую стабильность при высокотемпературных процессах.

Благодаря тщательной полировке и строгому контролю размеров эта кремниевая (Si) кристаллическая подложка отвечает высоким стандартам качества в отношении плоскостности и шероховатости поверхности. Диаметр 3 дюйма позволяет производителям оптимизировать выход продукции без ущерба для целостности пластин. Обеспечивая высокую кристаллическую чистоту и исключительную теплопроводность, она поддерживает сложные этапы микрофабрикации, такие как литография и легирование, обеспечивая в конечном итоге высокую производительность как в исследовательских, так и в промышленных приложениях.

2. Применение в передовых отраслях промышленности

Применяемая в высокоспециализированных исследованиях полупроводников, подложка для кристаллов кремния (Si) (111) диам. 3 дюйма играет ключевую роль в разработке инновационных технологий для силовой электроники и высокоскоростных интегральных схем. Ее ориентация помогает обеспечить превосходный перенос заряда, позволяя разработчикам устройств добиваться максимальной эффективности в своих приложениях. От высокочастотных транзисторов до передовых микроэлектромеханических систем (MEMS) - эта подложка является универсальной основой для многих передовых проектов.

Подходящие для прецизионных оптических компонентов, эти подложки также используются в фотонике и процессах производства датчиков, требующих кристаллической целостности высочайшего уровня. Их способность поддерживать сложную гетерогенную интеграцию открывает новые возможности в квантовых вычислениях и нанотехнологиях, где строгий контроль свойств интерфейса имеет первостепенное значение. Сочетая превосходную термическую стабильность с неизменным качеством поверхности, кремниевая (Si) кристаллическая подложка (111) диам. 3 дюйма отвечает растущим потребностям передовых отраслей промышленности, стремящихся к расширению границ производительности.