CY8553 Подложка для кремниевых (Si) кристаллов (111) Диам. 4 дюйма

Кристаллическая подложка из кремния (Si) (111) Диам. 4 дюйма Описание

Наша 4-дюймовая кристаллическая подложка (111) из кремния (Si) отличается исключительной кристаллографической однородностью и высокой чистотой состава, что делает ее лучшим выбором для передовых исследований и промышленных применений. Ориентация (111) обеспечивает уникальные структурные свойства, которые позволяют точно контролировать процессы эпитаксиального роста и легирования, необходимые для изготовления полупроводниковых приборов. Эта подложка отполирована до зеркального блеска, что обеспечивает минимальные дефекты поверхности и превосходную адгезию пленки.

Каждая пластина, изготовленная в соответствии со строгими стандартами качества, проходит тщательный контроль и тестирование, гарантирующие постоянство толщины, плоскостности и удельного сопротивления. В результате получается надежная платформа для производства высокопроизводительной электроники, датчиков и фотонных устройств. Обладая превосходными тепловыми и электрическими характеристиками, эта подложка Si (111) разработана для обеспечения надежных результатов в ряде важнейших исследовательских и коммерческих начинаний.

Кристаллическая подложка из кремния (Si) (111) Диам. 4 дюйма Применение

Кристаллическая подложка кремния (Si) (111) диам. 4 дюйма широко известна благодаря своей стабильности, возможности равномерного легирования и превосходным механическим свойствам, что делает ее незаменимой в различных отраслях промышленности. Его четкая кристаллографическая ориентация обеспечивает превосходные электронные свойства, уменьшение количества дефектов и эффективную терморегуляцию. От прецизионной электроники до передовых решений в области возобновляемой энергетики - эта высококачественная подложка находит свое место в многочисленных гражданских приложениях, где надежность, производительность и масштабируемость имеют первостепенное значение.

1. Электроника и полупроводниковые приложения

-Передовое производство транзисторов: Ориентация (111) обеспечивает превосходный контроль дефектов и равномерность легирования для улучшения характеристик устройств.

-Высокоскоростные интегральные схемы: Превосходная кристаллическая структура обеспечивает быструю обработку сигналов в бытовой и промышленной электронике.

2. Медицинские приборы и приборы для здравоохранения

-Массивы датчиков: Однородная кристаллическая решетка обеспечивает точное обнаружение и измерение в системах мониторинга состояния пациента.

-Имплантируемая электроника: Отличная биосовместимость и теплопроводность обеспечивают надежную и безопасную работу в течение длительного времени.

3. Решения для возобновляемых источников энергии

-Фотоэлектрические элементы: Стабильная структура подложки способствует эффективному преобразованию солнечной энергии в электрическую.

-Компоненты концентрированной солнечной энергии: Высокая теплопроводность помогает управлять тепловым потоком для повышения надежности системы.

Кристаллическая подложка из кремния (Si) (111) Диам. Упаковка 4 дюйма

Каждая 4-дюймовая кремниевая (Si) кристаллическая подложка (111) индивидуально запечатана в антистатический пакет с мягкой поролоновой прокладкой для защиты от механических ударов и загрязнений. Рекомендуемые условия хранения включают чистую, контролируемую температуру и низкую влажность. Для предотвращения загрязнения используется вакуумная упаковка и герметичная защита краев. По запросу возможны нестандартные варианты упаковки и маркировки, обеспечивающие безопасную транспортировку и легкую идентификацию для различных исследовательских и промышленных применений.

Упаковка: Вакуумная герметичная упаковка, деревянная коробка или по индивидуальному заказу.

Кристаллическая подложка из кремния (Si) (111) Диам. 4 дюйма Вопросы и ответы

Q1: Каковы основные свойства материала кремния (Si) кристалл субстрат (111) Диам. 4 дюйма?

A1: Монокристаллическая кремниевая подложка диаметром 4 дюйма с ориентацией (111) обычно имеет постоянную решетки около 5,43 Å и толщину около 525 мкм. Она отличается высоким уровнем чистоты (99,9999 % или выше) и исключительной кристаллографической однородностью. Удельное сопротивление может варьироваться от нескольких миллиом-см до нескольких сотен ом-см в зависимости от легирования. Эта ориентация предпочтительна для применения в передовых устройствах благодаря уникальному расположению атомов.

Q2: Каковы рекомендуемые процедуры обращения и условия хранения 4-дюймовых кремниевых подложек с ориентацией (111)-?

A2: С этими подложками следует работать в чистом помещении в неопудренных перчатках, чтобы предотвратить загрязнение частицами или ионами. Используйте пинцеты для пластин с фиксированным краем или вакуумные палочки, чтобы избежать повреждений при контакте. Храните их в держателях или кассетах для пластин, чтобы минимизировать механические нагрузки и царапины на поверхности. Поддерживайте низкую влажность и стабильную температуру, обычно около 21°C, чтобы обеспечить минимальное окисление и накопление частиц.

Вопрос 3: Какие стандарты качества и сертификаты применяются к кремниевой (Si) кристаллической подложке (111) диам. 4 дюйма?

A3: Производители часто придерживаются спецификаций SEMI M1 для геометрии, толщины и качества поверхности подложек, а также сертификации системы управления качеством ISO 9001. Некоторые поставщики также соблюдают директивы RoHS и REACH для обеспечения соответствия экологическим нормам. Дополнительная документация может включать сертификат анализа, подтверждающий кристаллографическую ориентацию, концентрацию легирования, удельное сопротивление и плотность дефектов. Эти стандарты позволяют гарантировать однородность, прослеживаемость и стабильную работу устройств.

Сопутствующая информация

1. Отраслевые стандарты и сертификаты

Широкий набор международных стандартов гарантирует, что кремниевые (Si) кристаллические подложки (111) диам. 4-дюймовые пластины отвечают строгим требованиям к качеству материала. Придерживаясь спецификаций SEMI, эти подложки обычно проходят тщательное тестирование на кристаллографическую ориентацию, допустимую толщину и плоскостность поверхности, что подтверждает их соответствие ведущим мировым стандартам.

Органы сертификации B, такие как ISO и другие признанные в отрасли организации, обеспечивают подтверждение производственной практики и подходов к контролю качества третьей стороной. Для 4-дюймовых (111)-ориентированных кремниевых пластин эти сертификаты гарантируют клиентам, что каждая подложка производится в контролируемой среде и отвечает конкретным критериям производительности для передовых приложений.

2. Меры контроля качества

Всесторонние проверки качества проводятся на различных этапах производства пластин, от выращивания кристаллов до окончательной полировки. Неразрушающие методы оценки, включая дифракцию рентгеновских лучей и оптическую профилометрию, проверяют соответствие каждой подложки требуемым показателям равномерности толщины и шероховатости поверхности.

Высокоточные приборы контролируют плоскостность 4-дюймовых (111) кремниевых подложек, чтобы свести к минимуму прогиб или искривление пластин. Такое внимание к деталям помогает поддерживать высокие электрические характеристики и снижает вероятность возникновения дефектов, обеспечивая конечным пользователям стабильные и высокопроизводительные материалы, необходимые им для критически важных полупроводниковых процессов.