CY8560 Подложка из карбида кремния SiC 2 в 4H N-типа

Подложка SiC из карбида кремния 2 дюйма 4H N-типа Описание

Наша 2-дюймовая подложка из карбида кремния (SiC) типа 4H N обладает исключительными свойствами материала, обеспечивая превосходную производительность в мощных и высокочастотных приложениях. Благодаря широкой полосе пропускания и отличной теплопроводности эта подложка выдерживает экстремальные условия, сводя к минимуму потери энергии, что делает ее идеальной для современных силовых модулей, диодов Шоттки и МОП-транзисторов. Высокое напряжение пробоя обеспечивает надежную работу при высоких нагрузках, превосходя традиционные полупроводниковые материалы в сложных условиях.

Каждая пластина, изготовленная в соответствии со строгими стандартами контроля качества, проходит тщательную проверку, гарантирующую постоянную толщину, минимальное количество дефектов и равномерный уровень легирования. В сочетании с низкой плотностью дефектов политипная структура 4H способствует эффективной подвижности носителей заряда, повышая общую надежность и срок службы устройств. Эта подложка из карбида кремния - идеальная основа для электронных компонентов нового поколения, требующих бескомпромиссной производительности.

Подложка SiC из карбида кремния 2 в приложениях 4H N-типа

Подложки из карбида кремния (SiC) в 4H N-типа предлагают замечательные возможности для передовых электронных и промышленных приложений. Благодаря широкой полосе пропускания, высокой теплопроводности и исключительной химической стойкости эти подложки обеспечивают превосходную производительность в мощных и высокочастотных устройствах. Идеально подходящие для систем, требующих повышенной эффективности и надежности, 2-дюймовые SiC-подложки являются надежной платформой для технологий следующего поколения, охватывающих широкий спектр коммерческих и научных областей.

1. Электроника и полупроводниковая техника

-Разработка мощных транзисторов и диодов для эффективного управления питанием в центрах обработки данных

-Производство преобразователей и инверторов с низкими потерями для оборудования промышленной автоматизации

-Создание высокочастотных устройств для телекоммуникационных систем нового поколения

2. Автомобильные и электромобильные системы

-Интеграция в бортовые блоки управления питанием для повышения энергоэффективности и дальности хода

-Использование в компонентах инфраструктуры зарядки электромобилей для достижения более быстрой и надежной зарядки

-Применение в высокотемпературных датчиках для повышения безопасности и контроля производительности.

3. Возобновляемые источники энергии и преобразование энергии

-Солнечные инверторы, использующие широкую полосу пропускания пластин для снижения потерь проводимости

-Силовые модули для ветряных турбин, обеспечивающие большую термическую стабильность и увеличенный срок службы

-Высоковольтные системы преобразования постоянного тока, обеспечивающие эффективный поток электроэнергии в крупномасштабных сетях возобновляемой энергетики

Подложка SiC из карбида кремния 2 в упаковке N-типа 4H

Каждая пластина карбида кремния аккуратно помещается в статически рассеивающий носитель, а затем запечатывается во влагостойкий конверт для чистых помещений. Достаточное количество амортизирующих материалов защищает пластины во время транспортировки. Для предотвращения загрязнения пластины следует хранить в среде с контролируемой влажностью при температуре от 20 до 25 °C. Антистатические процедуры и протоколы чистых помещений помогают сохранить целостность кристаллов. Для удовлетворения особых требований к обработке и транспортировке предлагаются нестандартные варианты упаковки - например, вакуумные пакеты или специализированные кассетные системы.

Упаковка: Вакуумная упаковка, деревянная коробка или индивидуальная упаковка.

Карбид кремния подложка SiC 2 в 4H N-типа часто задаваемые вопросы

Q1: Каковы основные свойства материала подложки из карбида кремния SiC Substrate 2 in 4H N-type?

A1: 2-дюймовая подложка карбида кремния 4H N-типа обладает широкой полосой пропускания (~3,26 эВ), высокой теплопроводностью (~4,9 Вт/см-К), отличной подвижностью электронов и превосходным напряжением пробоя. Легирование N-типа обычно осуществляется азотом, что обеспечивает контролируемую концентрацию носителей для силовых устройств. Механическая прочность и химическая инертность делают его пригодным для использования в высокотемпературных и высокочастотных приложениях, а его однородное кристаллическое качество обеспечивает стабильные электрические характеристики.

В2: Как следует обращаться с этим продуктом и хранить его?

A2: С этими пластинами следует обращаться в чистых помещениях, чтобы предотвратить загрязнение или повреждение поверхности. Используйте неабразивные перчатки без латекса и специальный пинцет для пластин, чтобы избежать царапин. Храните их в специальных держателях или кассетах, обеспечивая минимальную вибрацию и воздействие влажности. Поддерживайте стабильную комнатную температуру и влажность, обычно 40-60 % относительной влажности, чтобы сохранить целостность кристаллов и электрические свойства, избегая попадания прямых солнечных лучей или статического разряда.

Q3: Какие стандарты качества и сертификаты применяются к подложке карбида кремния SiC Substrate 2 в 4H N-типа?

A3: Большинство производителей SiC-подложек 4H N-типа придерживаются системы управления качеством ISO 9001 для обеспечения последовательности производственных процессов и тщательного финального контроля. Соответствие стандартам SEMI, таким как SEMI M55 (спецификации на пластины из карбида кремния), является обычным для допусков на размеры пластин и требований к чистоте. Некоторые поставщики также получают дополнительные сертификаты, специально разработанные для полупроводниковой промышленности, подтверждающие надежную прослеживаемость, надежность продукции и жесткий контроль параметров при многократных производственных циклах.

Сопутствующая информация

1. Свойства и преимущества материала

Подложка из карбида кремния SiC Substrate 2 in 4H N-type, предназначенная для работы в высокочастотных и высокотемпературных приложениях, демонстрирует удивительно низкую плотность дефектов и исключительную химическую стабильность. Эта прочная структура пластин обеспечивает улучшенную теплопроводность по сравнению с обычными полупроводниковыми материалами, гарантируя надежную основу для устройств, требующих превосходного теплоотвода.

Разработанная с энергетической полосой пропускания около 3,26 эВ, пластина SiC 4H N-типа эффективно справляется с высокомощными операциями. Широкая полоса пропускания способствует улучшению характеристик переключения, значительно снижая потери энергии в силовых полупроводниковых приборах, тем самым повышая общую производительность и надежность системы.

2. Применение в передовых отраслях промышленности

Инженеры в аэрокосмической отрасли используют SiC-подложки 2 in 4H N-типа для критически важных компонентов, где эффективность и надежность имеют первостепенное значение. Присущее пластинам высокое напряжение пробоя обеспечивает стабильную работу даже в экстремальных условиях, что делает их идеальным кандидатом для передовых радарных систем, спутниковой силовой электроники и других критически важных приложений.

Благодаря растущему спросу на электромобили и возобновляемые источники энергии, SiC-подложка также находит широкое применение в преобразователях мощности и инверторах. Ее способность обеспечивать повышенную энергоэффективность в сочетании с долговременной прочностью делает ее материалом, способным изменить ситуацию в автомобильных тяговых системах, силовых модулях ветряных турбин и передовых промышленных приводах.