CY8561 Подложка SiC из карбида кремния 2 в 4H SEMI-типа (HPSI)

Описание Подложка из карбида кремния SiC 2 дюйма 4H SEMI-типа (HPSI)

Оцените исключительные характеристики нашей подложки из карбида кремния (SiC) 2" 4H SEMI-type (HPSI). Известная своей широкой полосой пропускания и превосходной теплопроводностью, эта подложка обеспечивает превосходную обработку мощности и поддерживает высокочастотный режим работы. Политип 4H обладает исключительной подвижностью электронов, что делает его подходящим для современных силовых устройств, радиочастотных приложений и высокотемпературной электроники. Его полуизолирующие свойства помогают минимизировать паразитную проводимость, обеспечивая более эффективную работу устройства и снижение потерь энергии.

Каждая пластина изготавливается под строгим контролем качества в соответствии со стандартами SEMI и проходит тщательную проверку на равномерность толщины, низкую плотность дефектов и качество поверхности. Это обеспечивает надежную и стабильную работу, позволяя инженерам и исследователям расширять границы силовой электроники, телекоммуникаций и других сложных приложений. Доверьтесь нашим пластинам SiC за их проверенную долговечность, термическую стабильность и непревзойденное качество материалов.

Подложка SiC из карбида кремния 2 в 4H SEMI-типа (HPSI) Применение

Подложка из карбида кремния SiC Substrate 2 in 4H SEMI-type (HPSI) известна своей превосходной широкой полосой пропускания, надежной химической стабильностью и высокой теплопроводностью. Эти ключевые свойства делают его универсальным выбором в различных областях, обеспечивая надежные, высокопроизводительные решения в промышленных, исследовательских и коммерческих условиях. Обладая превосходной прочностью и способностью выдерживать большие нагрузки, эта подложка поддерживает инновационные разработки в области передовой электроники и не только.

1. Промышленные применения

-Высокотемпературные датчики и модули управления питанием, используемые в автомобильном производстве, где термическая стабильность и высокая прочность на пробой имеют решающее значение.

-Коррозионностойкие компоненты в химической и нефтехимической промышленности, где используется превосходная химическая инертность подложки.

2. Исследовательские применения

-Прототипы полупроводников нового поколения, ориентированные на материалы с широкой полосой пропускания, для поддержки исследований в области передовой электроники.

-Эксперименты по определению характеристик материалов в университетских и частных научно-исследовательских лабораториях, использующих постоянное кристаллографическое качество подложки.

3. Коммерческие приложения

-Высокоэффективная силовая электроника в системах возобновляемых источников энергии, таких как солнечные инверторы, с использованием превосходной теплопроводности подложки.

-Решения для быстрой зарядки и модули питания портативных устройств для бытовой электроники, получающие выгоду от повышенной надежности и снижения тепловыделения.

Подложка из карбида кремния SiC Substrate 2 в упаковке 4H SEMI-типа (HPSI)

Каждая 2-дюймовая пластина карбида кремния типа 4H SEMI (HPSI) закрепляется с помощью вставок из антистатической пены в чистом герметичном контейнере для пластин, чтобы предотвратить загрязнение пылью или твердыми частицами. Затем контейнер герметично упаковывается в вакуумные влагонепроницаемые пакеты и маркируется для отслеживания. Для длительного хранения требуется контролируемая среда с низкой влажностью и стабильной температурой. Для удовлетворения уникальных требований к транспортировке, обработке или хранению могут быть разработаны индивидуальные упаковочные решения.

Упаковка: Вакуумная упаковка, деревянная коробка или по индивидуальному заказу.

Карбид кремния пластины SiC субстрат 2 в 4H SEMI-типа (HPSI) часто задаваемые вопросы

Q1: Каковы ключевые свойства материала карбида кремния пластины SiC субстрата 2 в 4H SEMI-типа (HPSI)?

A1: Политип 4H карбида кремния обладает широкой полосой пропускания около 3,26 эВ, исключительной теплопроводностью и высокой критической напряженностью электрического поля. Он также демонстрирует минимальное количество дефектов кристаллической решетки, что обеспечивает отличную подвижность носителей. Эти характеристики делают пластины идеальными для применения в мощных, высокочастотных и высокотемпературных приложениях. Кроме того, высококачественная кристаллическая структура обеспечивает равномерное легирование и надежную работу при производстве современных полупроводниковых устройств.

Q2: Как следует обращаться с этим продуктом и хранить его?

A2: Пластины из карбида кремния требуют осторожного обращения, чтобы избежать царапин на поверхности и загрязнения частицами. Используйте чистые неабразивные перчатки и при переносе касайтесь только краев. Храните пластины в контейнере, совместимом с чистым помещением, при минимальном воздействии влаги и частиц, находящихся в воздухе. Поддерживайте контролируемую среду со стабильным уровнем температуры и влажности. Регулярно проверяйте зону хранения на предмет риска загрязнения, чтобы сохранить целостность пластин.

Q3: Какие стандарты качества и сертификаты применяются к пластинам из карбида кремния SiC Substrate 2 in 4H SEMI-type (HPSI)?

A3: Эти пластины обычно соответствуют стандартам SEMI M55 и M59 для спецификаций SiC-подложек и определений пластин. Они проходят строгий контроль качества, включая оптический контроль и определение электрических характеристик. Многие производители придерживаются стандартов ISO 9001 для управления качеством и ISO 14001 для экологической практики. Дополнительные сертификаты, такие как IATF 16949, часто используются в автомобильных приложениях, обеспечивая надежность и стабильность характеристик.

Сопутствующая информация

1. Свойства и преимущества материала

Сочетая исключительную теплопроводность с широкой полосой пропускания, подложка из карбида кремния SiC Substrate 2 in 4H SEMI-type (HPSI) отличается высокой термостойкостью и превосходной электроизоляцией. Ее кристаллическая структура разработана с учетом низкой плотности дефектов кристаллической решетки, что обеспечивает повышенную подвижность носителей и стабильную работу в процессе эксплуатации. Эта специализированная пластина также демонстрирует замечательную химическую стабильность, что делает ее устойчивой к коррозионным средам и, следовательно, пригодной для использования в сложных условиях.

Тщательный контроль уровня легирования еще больше повышает ее полуизоляционные качества, что приводит к снижению токов утечки и улучшению чистоты сигнала. Благодаря постоянному профилю удельного сопротивления по всему 2-дюймовому диаметру устройства, изготовленные на этой подложке, демонстрируют стабильные электрические характеристики и минимальные помехи. Кроме того, низкая плотность дислокаций, присущая политипу 4H, снижает вероятность выхода устройств из строя, что подтверждает надежность этой подложки для передовых электронных приложений.

2. Применение в передовых отраслях промышленности

Обширные исследования продемонстрировали эффективность пластин HPSI 4H-SiC в высоковольтной электронике, в частности в компонентах переключения мощности для систем преобразования энергии. Отрасли, где требуются компактные, но мощные устройства, такие как производители электромобилей, получают значительные преимущества благодаря способности пластин выдерживать высокую скорость переключения при снижении потерь мощности. Это преимущество соответствует растущей потребности рынка в эффективных решениях, поддерживающих цели устойчивого развития энергетики.

Технологические инновации в аэрокосмических системах также используют надежную работу этой подложки в экстремальных условиях. Высокая радиационная стойкость и способность к быстрому отводу тепла обеспечивают надежную работу подложки в космическом пространстве и в условиях повышенного излучения. Эти уникальные преимущества делают подложку из карбида кремния SiC Substrate 2 in 4H SEMI-type (HPSI) ключевым активом в разработке и производстве устройств следующего поколения.