CY8564 Подложка из карбида кремния SiC 2 в 3C N-типа

Подложка SiC из карбида кремния 2 дюйма 3C N-типа Описание

Наша 2-дюймовая подложка из карбида кремния (SiC) 3C N-типа обладает исключительной теплопроводностью, широкой полосой пропускания и отличной механической прочностью, что делает ее идеальным выбором для передовых приложений силовой электроники и высокочастотных устройств. Политип 3C обеспечивает стабильную кристаллическую структуру, которая обеспечивает превосходные характеристики в сложных условиях, включая повышенные температуры и высокое напряжение. Эти уникальные свойства позволяют надежно работать в жестких условиях, снижая потери энергии и обеспечивая эффективное управление питанием.

Каждая пластина SiC изготавливается в соответствии со строгими стандартами качества и проходит тщательный контроль для обеспечения низкой плотности дефектов и равномерного уровня легирования. Такое внимание к деталям максимально увеличивает выход устройств и их воспроизводимость, обеспечивая стабильную платформу для исследований, разработок и коммерческого производства. Будь то передовые полупроводниковые исследования или высокопроизводительные промышленные системы, наша 2-дюймовая подложка SiC 3C N-типа обещает надежность и превосходные характеристики.

Подложка SiC из пластин карбида кремния 2 дюйма 3C N-типа

Подложка из карбида кремния (SiC Substrate 2 в 3C N-type) предлагает сочетание широкой полосы пропускания, высокой теплопроводности и отличной химической стабильности. Эти уникальные свойства обеспечивают превосходную производительность в мощных и высокочастотных устройствах при сохранении долговечности в жестких условиях эксплуатации. Надежность и эффективность делают его идеальной платформой для различных применений в различных отраслях промышленности - от передовой электроники до энергетических систем и не только.

1. Электроника и полупроводниковые приложения

-Преобразование энергии: улучшенное высоковольтное переключение в солнечных инверторах и промышленных источниках питания

-Радиочастотные устройства: высокочастотные транзисторы для телекоммуникационных базовых станций и беспроводных сетей.

2. Энергетика и возобновляемые источники энергии

-Фотоэлектрическое оборудование: Стабильные подложки для производства солнечных панелей и систем тестирования

-Электроника для ветряных турбин: Долговечные модули управления для эффективного регулирования мощности

3. исследовательские и научные приборы

-Материаловедческие исследования: Изучение кристаллических структур и характеристик устройств в экстремальных условиях

-Разработка передовых датчиков: Надежные сенсорные подложки для обнаружения температуры, давления и химических веществ

Подложка SiC из карбида кремния 2 в упаковке 3C N-типа

Каждая пластина карбида кремния аккуратно помещается между мягкими слоями ESD-безопасной пены и запечатывается в антистатический вакуумный пакет для защиты от влаги и загрязнений. Затем запечатанные пакеты упаковываются в прочные герметичные контейнеры. Пластины следует хранить в чистых помещениях с контролируемой влажностью. Мы также предлагаем индивидуальную маркировку, специальную толщину пенопласта и индивидуальные размеры контейнеров по запросу, чтобы соответствовать конкретным требованиям к обработке или транспортировке.

Упаковка: Вакуумная герметичная упаковка, деревянная коробка или индивидуальная упаковка.

Карбид кремния вафли SiC субстрат 2 в 3C N-типа часто задаваемые вопросы

Q1: Каковы ключевые свойства материала карбида кремния пластины SiC субстрата 2 в 3C N-типа?

A1: Подложки из карбида кремния (SiC) 2 дюйма 3C N-типа обычно обладают широкой полосой пропускания около 2,2 эВ, высокой теплопроводностью, превосходной химической инертностью и надежной механической прочностью. Политип 3C обладает уникальными преимуществами для силовых и высокочастотных приложений. Легирование N-типа обеспечивает контролируемую концентрацию электронов, что позволяет добиться стабильной электропроводности. Эти подложки особенно подходят для разработки передовых устройств в жестких условиях или в условиях высокой мощности.

В2: Как следует обращаться с этим продуктом и хранить его?

A2: Эти подложки хрупкие, и с ними необходимо работать в чистых неабразивных перчатках в контролируемой среде, чтобы предотвратить загрязнение или повреждение. Не прикасайтесь к поверхностям голыми руками или инструментами, которые могут оставить царапины или частицы. Храните их в чистом, контролируемом по температуре помещении с низкой влажностью. Для транспортировки используйте специальные носители или контейнеры, чтобы сохранить целостность подложки и минимизировать механические нагрузки.

Q3: Какие стандарты качества и сертификаты применяются к подложке из карбида кремния SiC Substrate 2 в 3C N-type?

A3: Подложка из карбида кремния SiC Substrate 2 in 3C N-type обычно отвечает строгим требованиям к чистоте и плотности дефектов, как указано в ISO 9001 и соответствующих стандартах качества полупроводников. Производители часто применяют передовые методы контроля, такие как рентгеновская топография и фотолюминесценция, для проверки кристаллического качества. Эти подложки также могут соответствовать директивам RoHS и REACH, обеспечивая соответствие экологическим нормам и нормам безопасности для глобального распространения.

Сопутствующая информация

1. Свойства и преимущества материала

Подложка из карбида кремния SiC Substrate 2 in 3C N-type состоит из кубического политипа, известного своими превосходными электрическими и тепловыми характеристиками. Широкая полоса пропускания материала поддерживает работу при высоких температурах и снижает потери мощности, что особенно полезно в компактных системах, требующих надежной и стабильной работы. Кроме того, его замечательная химическая стойкость помогает сохранить целостность подложки во время сложных этапов обработки, обеспечивая стойкость в жестких промышленных условиях.

Беспрецедентная стабильность структуры решетки отличает подложки 3C SiC от других полупроводниковых субстратов, обеспечивая минимальное количество дефектов кристалла, несмотря на сложные условия производства. Кроме того, легирование N-типа обеспечивает контролируемую проводимость электронов, что приводит к высокой подвижности носителей, необходимой для производства современных устройств. Эти свойства делают подложку лучшим претендентом на применение в силовой электронике, требующей меньшего количества проводящих элементов и обеспечивающей превосходное управление электрическим током.

2. Применение в передовых отраслях промышленности

Устойчивость пластин к высоким температурам и напряжениям позволяет использовать их в самых современных энергетических приложениях, что делает их лучшим кандидатом для силовых модулей электромобилей и инверторов возобновляемых источников энергии. Способность выдерживать значительные тепловые нагрузки без снижения производительности обеспечивает повышение эффективности в автомобильной и аэрокосмической промышленности, а также в системах предиктивного обслуживания, где плотность энергии и долговечность работы имеют первостепенное значение.

Различные сегменты нанотехнологий и оптоэлектроники также используют эту подложку 3C N-типа SiC для датчиков и приемопередатчиков нового поколения. Уникальное сочетание механической прочности и низкой плотности дефектов повышает надежность устройств, используемых в телекоммуникационной инфраструктуре, радарных системах и различных новейших технологиях. Таким образом, эта подложка способствует разработке передовых продуктов, что ставит ее на передовые позиции во многих высокотехнологичных отраслях.