CY8567 Подложка из карбида кремния SiC 3 в 6H P-типа

Подложка SiC из карбида кремния 3 дюйма 6H P-типа Описание

Оцените исключительные характеристики нашей 3-дюймовой пластины из карбида кремния 6H P-типа, разработанной для обеспечения превосходных свойств материала для самых современных электронных и высокотемпературных приложений. Широкая полоса пропускания, выдающаяся теплопроводность и замечательная химическая стабильность обеспечивают надежную работу в сложных условиях. Политип 6H гарантирует однородную кристаллическую структуру и повышенную подвижность носителей, а легирование P-типа обеспечивает надежные характеристики проводимости, необходимые для силовых устройств и высокочастотных компонентов.

Каждая пластина, изготовленная в соответствии со строгими стандартами качества, проходит тщательное тестирование для соблюдения жестких допусков по толщине и поддержания минимального уровня дефектов. Такое внимание к качеству обеспечивает стабильную морфологию поверхности и надежный выход устройств. Наша подложка SiC 6H P-типа идеально подходит для применения в силовой электронике, датчиках, работающих в жестких условиях, и передовых научных исследованиях, устанавливая стандарты для высокопроизводительных полупроводниковых решений.

Подложка SiC из пластин карбида кремния 3 в приложениях 6H P-типа

Подложка из карбида кремния (SiC Substrate) 3 в 6H P-типа обладает надежными физическими и электронными характеристиками, подходящими для различных отраслей промышленности. Широкая полоса пропускания, высокая теплопроводность и прочные механические свойства позволяют создавать эффективные, надежные и долговечные устройства. Максимально увеличивая возможности преобразования энергии и отвода тепла, эта подложка помогает продвигать высокопроизводительные системы следующего поколения, стимулируя инновации в электронике, медицинском оборудовании и научных исследованиях.

1. Электроника и полупроводниковая промышленность

-Применение 1: Идеально подходит для силовых транзисторов в высоковольтных и высокочастотных схемах, благодаря широкой полосе пропускания и теплостойкости.

-Применение 2: Повышение надежности мощных преобразователей для энергоэффективных центров обработки данных и коммерческой электроники.

2. применение в медицине и здравоохранении

-Применение 1: Предлагает стабильные высокоточные модули датчиков для современного оборудования для визуализации.

-Применение 2: Способствует разработке компактных, термостойких медицинских устройств для мониторинга и диагностики состояния пациента.

3. исследовательские и научные инструменты

-Применение 1: служит надежным базовым материалом в платформах "лаборатория-на-чипе" для химического анализа

-Применение 2: позволяет повысить производительность спектроскопического оборудования благодаря превосходным тепловым и электрическим свойствам

Подложка из карбида кремния SiC Substrate 3 в упаковке 6H P-типа

Наши 3-дюймовые пластины карбида кремния (SiC) 6H P-типа индивидуально помещаются в защищенные от электростатических разрядов контейнеры, окруженные пенопластовыми вставками. Каждая пластина запечатана под вакуумом для усиленной защиты от влаги, что сводит к минимуму риски повреждения и загрязнения. Храните в сухом прохладном месте со стабильным уровнем влажности и минимальным воздействием ультрафиолетовых лучей. Во избежание загрязнения мы рекомендуем использовать для работы чистые помещения класса ISO. По запросу возможна индивидуальная упаковка, например, продувка азотом или двухслойное экранирование.

Упаковка: Вакуумная герметичная, деревянная коробка или индивидуальная упаковка.

Карбид кремния пластины SiC субстрат 3 в 6H P-типа FAQs

Q1: Каковы ключевые свойства материала карбида кремния пластины SiC субстрата 3 в 6H P-типа?

A1: 3-дюймовая пластина карбида кремния 6H P-типа обладает широкой полосой пропускания (~3 эВ), отличной теплопроводностью (~4,9 Вт/см-К) и высокой напряженностью электрического поля пробоя (~3 МВ/см). В качестве легирующего элемента P-типа обычно используется алюминий или бор, что обеспечивает стабильную дырочную проводимость. Гексагональная кристаллическая структура 6H обеспечивает превосходную подвижность электронов вдоль определенных осей. Этот материал также выдерживает высокие температуры, что позволяет использовать его в мощных и высокочастотных устройствах с минимальными токами утечки в экстремальных условиях.

Q2: Как следует обращаться с этим продуктом и хранить его, чтобы сохранить его целостность?

A2: Обращайтесь с пластинами за края, используя неабразивные перчатки, чтобы избежать появления царапин или загрязнений. Храните ее в чистом, сухом помещении с минимальным воздействием света и влаги. Используйте антистатические носители и поддерживайте стабильные условия температуры и влажности. При накоплении остатков на поверхности проводите тщательную очистку, используя только разрешенные растворители. Правильная маркировка и надежная упаковка предотвращают непреднамеренное смешивание или повреждение поверхности.

Q3: Какие стандарты качества и сертификаты применяются к подложке из карбида кремния SiC Substrate 3 in 6H P-type?

A3: Авторитетные производители соответствуют стандартам ISO 9001 для общего управления качеством и ISO 14001 для экологической ответственности. Кроме того, пластины, предназначенные для полупроводниковых приложений, часто соответствуют стандартам SEMI (например, SEMI M55), регулирующим толщину, ориентацию и плоскостность подложки. Некоторые поставщики также имеют сертификаты RoHS и REACH для обеспечения соответствия нормам по опасным веществам. Регулярные аудиты и документация гарантируют прослеживаемость, обеспечивая соответствие каждой пластины строгим требованиям к производительности и безопасности.

Сопутствующая информация

1. Свойства и преимущества материала

Подложка из карбида кремния SiC диаметром 3 дюйма и кристаллической структурой 6H обладает превосходной теплопроводностью, что делает ее идеальной для приложений, требующих эффективного отвода тепла. Легирование P-типа обеспечивает надежную электропроводность, позволяя стабильно работать в мощных цепях, например, в преобразователях мощности и высоковольтных коммутационных устройствах. Прочная решетчатая структура пластин придает им исключительную прочность на излом, способствуя увеличению срока службы устройств даже в сложных условиях эксплуатации.

Отличаясь широкой полосой пропускания, пластина 6H P-типа демонстрирует более низкие токи утечки при повышенных температурах по сравнению с обычными полупроводниковыми материалами. Ее высокая напряженность поля пробоя дополнительно повышает надежность устройства, минимизирует потери энергии и повышает общую эффективность системы. Кроме того, способность пластин выдерживать жесткие условия эксплуатации, включая экстремальные температуры и химическое воздействие, дает явное преимущество производителям, стремящимся к созданию долговечных компонентов нового поколения.

2. Применение в передовых отраслях промышленности

Передовые системы силовой электроники получают значительные преимущества от использования подложки из карбида кремния 6H P-типа благодаря ее способности выдерживать повышенные напряжения и токи. В электромобилях эти подложки используются в модулях управления питанием, где требуется высокая скорость переключения и минимальное рассеивание энергии, что повышает эффективность автомобиля и увеличивает запас хода аккумулятора. В аэрокосмической отрасли также используются термостойкие свойства пластин для управления тепловыми нагрузками в системах авионики, что повышает общую надежность и производительность.

Медицинские технологии используют пластины карбида кремния SiC Substrate 3 in 6H P-type благодаря их долговечности и стабильной работе в высокотемпературных условиях. Оборудование для визуализации и диагностики часто работает в условиях постоянных нагрузок, поэтому прочные, высокопроизводительные подложки необходимы для бесперебойной работы. Используя эти подложки, производители медицинского оборудования обеспечивают точный сбор данных и надежную работу систем, поддерживая постоянное стремление к инновациям в здравоохранении.