CY8574 Подложка из карбида кремния SiC 6 в 4H SEMI-типа (HPSI)

Подложка SiC из карбида кремния 6 дюймов 4H SEMI-типа (HPSI) Описание

6-дюймовая пластина из карбида кремния 4H (HPSI) обладает исключительными свойствами материала, которые делают ее незаменимой в передовых электронных и оптоэлектронных приложениях. Его высокочистая полуизолирующая структура и превосходная теплопроводность помогают снизить потери энергии, повысить эффективность устройств и обеспечить надежную работу при высоких напряжениях и экстремальных температурах. Широкая полоса пропускания 4H-SiC обеспечивает надежную работу и минимальное рассеивание мощности.

Тщательно разработанная в соответствии со строгими стандартами SEMI, эта подложка обеспечивает равномерную толщину и минимальную плотность дефектов. Каждая пластина проходит строгую проверку качества, чтобы обеспечить постоянную плоскостность и чистоту поверхности, что способствует высокопроизводительному производству устройств. Благодаря своим передовым характеристикам и проверенной надежности 6-дюймовая SiC-пластина 4H (HPSI) является оптимальным выбором для силовых устройств нового поколения, микроволновых компонентов и высокочастотных схем.

Карбидокремниевые пластины SiC Substrate 6 in 4H SEMI-type (HPSI) Applications

Подложка из карбида кремния (SiC) Substrate 6 in 4H SEMI-type (HPSI) отличается широкой полосой пропускания, исключительной химической стабильностью и превосходной теплопроводностью, что делает ее основным выбором для различных передовых приложений. Его надежные электрические характеристики поддерживают высокие напряжения и температуры, обеспечивая улучшенную работу в сложных условиях. Такие превосходные свойства обеспечивают повышенную надежность, снижение энергопотребления и увеличение срока службы.

1. Применение в электронике и полупроводниках

-Применение 1: высокочастотные транзисторы для инфраструктуры 5G и других систем связи, обеспечивающие снижение потерь мощности и надежную работу.

-Применение 2: силовые модули в инверторах возобновляемых источников энергии, обеспечивающие эффективное переключение и улучшенную терморегуляцию.

2. Медицина и здравоохранение

-Применение 1: биосенсоры и диагностические устройства, требующие сверхчистых, биосовместимых поверхностей с высокой химической стабильностью.

-Применение 2: прецизионные хирургические инструменты, пользующиеся преимуществами высокой термостойкости и долговечности пластин.

3. Промышленные и автомобильные приложения

-Применение 1: мощные преобразователи в трансмиссиях электромобилей для повышения эффективности и снижения тепловыделения.

-Применение 2: надежные датчики контроля технологических процессов в химическом производстве, где жесткие условия эксплуатации требуют повышенной стойкости материала.

Подложка из карбида кремния SiC Substrate 6 в упаковке типа 4H SEMI (HPSI)

Каждая пластина карбида кремния SiC Substrate 6" 4H SEMI-type (HPSI) индивидуально запечатана в статически рассеивающие рукава для защиты от загрязнения твердыми частицами в чистых помещениях. Затем пластины помещаются в пенопластовые держатели, предотвращающие механические нагрузки и обеспечивающие безопасную транспортировку. Храните их в условиях низкой влажности и контролируемой температуры от 15 до 25 °C. По запросу можно заказать дополнительные барьерные пакеты для усиленного контроля загрязнения. Также предлагаются индивидуальные варианты упаковки, такие как вакуумная герметизация или специальная маркировка.

Упаковка: Вакуумная герметизация, деревянная коробка или индивидуальная упаковка.

Подложка из карбида кремния SiC Substrate 6 in 4H SEMI-type (HPSI) Вопросы и ответы

Q1: Каковы ключевые свойства материала карбида кремния пластины SiC подложки 6 в 4H SEMI-типа (HPSI)?

A1: Эта пластина обладает широкой полосой пропускания (около 3,26 эВ), высокой теплопроводностью (в диапазоне 3-4 Вт/см-К), исключительной механической твердостью, отличной химической стабильностью, низкой плотностью дефектов (включая минимальную плотность микротрубок) и превосходной напряженностью поля пробоя. Политипная структура 4H обеспечивает эффективную подвижность носителей и часто используется в силовых полупроводниковых приборах. Его высокое удельное сопротивление также позволяет минимизировать паразитные токи в передовых конструкциях устройств.

Q2: Как следует обращаться с этим продуктом и хранить его?

A2: Обращайтесь с пластинами, используя подходящие перчатки для чистых помещений или пинцет, чтобы избежать загрязнения маслами или твердыми частицами. Храните ее в специально отведенном помещении с контролируемой влажностью, минимальной вибрацией и стабильной температурой. Используйте антистатическую упаковку или контейнеры, предназначенные для полупроводниковых пластин. Избегайте укладки незащищенных пластин во избежание механических нагрузок или повреждения поверхности. Для сохранения качества в течение всего срока хранения рекомендуется правильно маркировать и отслеживать.

Q3: Какие стандарты качества и сертификаты применяются к пластинам карбида кремния SiC Substrate 6 in 4H SEMI-type (HPSI)?

A3: Большинство производителей поддерживают сертифицированные по стандарту ISO 9001 системы управления качеством для обеспечения стабильного производства и строгого контроля процессов. Могут также применяться дополнительные сертификаты для полупроводников, такие как IATF 16949 для автомобильных требований. Соблюдение стандартов SEMI M55 для размеров и допусков SiC-подложек является критически важным. Некоторые поставщики подвергают свои пластины углубленной проверке, определяя такие параметры, как плотность микротрубок и качество поверхности, чтобы соответствовать отраслевым и клиентским рекомендациям.

Сопутствующая информация

1. Свойства и преимущества материалов

На фоне быстро развивающегося полупроводникового ландшафта пластины из карбида кремния SiC Substrate 6 in 4H SEMI-type (HPSI) выделяются своей замечательной теплопроводностью и высоким напряжением пробоя. Благодаря этим выдающимся характеристикам производители могут добиться превосходной эффективности работы устройств, что делает ее очень востребованной для силовой электроники, работающей в экстремальных условиях.

Благодаря высокой механической прочности и широкой полосе пропускания эта 6-дюймовая пластина особенно хорошо подходит для применения в мощных модулях, обеспечивая минимальные потери энергии. Политипная конфигурация 4H обеспечивает исключительную подвижность электронов, что еще больше повышает надежность изделия, снижая риск деградации под нагрузкой и сохраняя стабильную функциональность даже при повышенных температурах.

2. Применение в передовых отраслях промышленности

Передовые технологии в таких областях, как аэрокосмическая промышленность, возобновляемые источники энергии и телекоммуникации, в значительной степени зависят от сложных компонентов, изготовленных на основе подложки SiC из карбида кремния 6 в 4H SEMI-типа (HPSI). Инновационные преобразователи мощности, используемые в спутниках и инфраструктуре зарядки электромобилей, получают огромную выгоду от превосходной стойкости пластин, обеспечивающей долгосрочную надежность и снижение затрат на обслуживание.

Спрос на эти пластины распространяется также на ультразвуковые и микроволновые системы, где важна стабильная работа на высоких частотах. В этих специализированных областях полуизолирующие свойства пластин обеспечивают низкий уровень помех сигналам, что делает их надежным выбором для датчиков, генераторов и современного коммуникационного оборудования, работающего в широком диапазоне температур.