CY8577 Подложка из карбида кремния SiC 8 в 4H N-типа

Подложка карбида кремния SiC 8 дюймов 4H N-типа Описание

Наша 8-дюймовая подложка из карбида кремния (SiC) типа 4H N стоит в авангарде высокопроизводительных полупроводниковых материалов, обеспечивая исключительную теплопроводность, превосходную подвижность носителей и замечательное напряжение пробоя. Ее политипная структура 4H разработана для сложных приложений, обеспечивая улучшенный транспорт электронов и уменьшенную плотность дефектов. Благодаря использованию легирования N-типа эта SiC-подложка обеспечивает стабильные электрические характеристики, что делает ее идеальной для силовой электроники, радиочастотных устройств и автомобильных систем нового поколения.

Изготовленная в соответствии со строгими стандартами качества, каждая пластина может похвастаться исключительной однородностью поверхности и контролируемым профилем легирования, отвечающим жестким требованиям производства современных устройств. Сочетание прочной структурной целостности и минимальных дефектов кристалла делает эту подложку надежной и эффективной платформой для передовых технологий, обеспечивая превосходные характеристики устройств в широком диапазоне высоковольтных, высокочастотных и высокотемпературных приложений.

Подложка SiC из карбида кремния с 8-дюймовой пластиной 4H N-типа

8-дюймовая подложка из карбида кремния (SiC) типа 4H N отличается исключительными электрическими свойствами, превосходной теплопроводностью и прочностью материала. Эти характеристики делают ее идеальной для передовых электронных решений в различных гражданских, коммерческих и промышленных отраслях. Широкая полоса пропускания подложки обеспечивает повышенную эффективность и надежность, позволяя создавать инновационные, высокопроизводительные приложения.

1. Промышленные применения

-Высокотемпературные датчики в химической и нефтехимической промышленности, где долговечность и надежность имеют решающее значение

-Прочные подложки для усовершенствованного преобразования энергии в производственном оборудовании, оптимизирующие энергопотребление и производительность

-Термостойкие компоненты в системах возобновляемой энергетики, позволяющие создавать эффективные инверторы и преобразователи.

2. Исследовательские приложения

-Эксперименты с полупроводниками в университетских и лабораторных условиях, изучение передовых структур устройств

-Исследование перспективных материалов с упором на высокочастотные и высоковольтные прототипы

-Исследования в области терморегулирования, направленные на повышение энергоэффективности развивающихся технологий.

3. коммерческие приложения

-Автомобильная электроника, поддержка усовершенствованных силовых модулей для электрических и гибридных транспортных средств

-Телекоммуникационная инфраструктура, обеспечивающая более быстрые и надежные компоненты сетей 5G и будущих сетей

-Производство медицинского оборудования, где высоко ценится стабильная работа и минимальное тепловое расширение

Пластины карбида кремния SiC Substrate 8 в упаковке 4H N-типа

Каждая пластина упаковывается в двухслойный транспортный контейнер с антистатической пеной, герметично закрытый в среде сухого азота для уменьшения проникновения влаги. Амортизирующие материалы защищают от механических воздействий. Рекомендуемые условия хранения - 15-25°C при относительной влажности менее 40%. Меры защиты от загрязнения включают индивидуально запечатанные гильзы для предотвращения прилипания частиц. Индивидуальная маркировка, специальные размеры контейнеров и защитные вкладыши также доступны для удовлетворения специфических требований клиента.

Упаковка: Вакуумная герметичная, деревянная коробка или индивидуальная.

Карбид кремния вафли SiC субстрат 8 в 4H N-типа часто задаваемые вопросы

Q1: Каковы ключевые свойства материала карбида кремния пластины SiC субстрата 8 в 4H N-типа?

A1: Подложки из карбида кремния (SiC) 4H N-типа обладают широкой полосой пропускания около 3,26 эВ, высокой теплопроводностью около 3,7-4,9 Вт/см-К и отличной подвижностью электронов. Они также характеризуются высоким электрическим полем пробоя, обычно превышающим 2,0 МВ/см, и постоянной концентрацией легирующих элементов, обеспечивающей стабильную проводимость N-типа. Эти свойства делают SiC-подложки 8 in 4H идеальными для силовой электроники, высокочастотных устройств и высокотемпературных приложений.

Q2: Как следует обращаться с этим продуктом и хранить его?

A2: Операторы всегда должны работать с подложками SiC типа 8 in 4H N в перчатках для чистых помещений, чтобы предотвратить загрязнение и микроцарапины. Используйте специальные держатели для пластин или кассеты с антистатическими материалами и поддерживайте в зоне хранения условия с низким содержанием твердых частиц в воздухе. Храните пластины в условиях контролируемой влажности, обычно в диапазоне 40-60 % относительной влажности, и избегайте попадания прямых солнечных лучей или резких перепадов температуры, чтобы сохранить целостность подложки.

Q3: Какие стандарты качества и сертификаты применяются к подложке карбида кремния SiC Substrate 8 in 4H N-type?

A3: Эти SiC-подложки 8 in 4H N-типа в целом соответствуют стандартам управления качеством ISO 9001:2015, обеспечивая стабильные параметры подложек и возможность отслеживания на протяжении всего производства. Они также соответствуют стандартам SEMI по толщине пластин, плоскостности и допускам на размеры. Некоторые производители могут иметь дополнительные сертификаты экологичности или безопасности, такие как соответствие стандартам RoHS и REACH, указывающие на ограниченный уровень содержания вредных веществ и соблюдение глобальных нормативных требований.

Сопутствующая информация

1. Свойства и преимущества материала

Подложка SiC из карбида кремния 8 в 4H N-типа отличается замечательной теплопроводностью и широкой полосой пропускания, что позволяет добиться превосходной мощности и эффективности в высокопроизводительных электронных устройствах. Обладая идеальной кристаллической структурой, она поддерживает более высокую скорость переключения и надежную работу в сложных условиях эксплуатации, что отражает ее пригодность для высоковольтных и высокотемпературных приложений.

Используя политип 4H, эта подложка SiC обеспечивает повышенную подвижность электронов и снижение потерь проводимости. Легирование N-типом обеспечивает постоянную и контролируемую концентрацию носителей заряда, что способствует стабильной работе высокочастотных схем. В сочетании с превосходной точностью размеров эти подложки способствуют производственным процессам, требующим точного выравнивания и минимальной плотности дефектов.

2. Применение в передовых отраслях промышленности

Производители полупроводников в таких отраслях, как аэрокосмическая и телекоммуникационная, часто используют подложки из карбида кремния 4H N-типа для создания силовых устройств нового поколения. Эти подложки способны выдерживать интенсивные механические нагрузки и резкие перепады температур, что делает их неотъемлемой частью систем, требующих стабильной эффективности в течение длительного срока службы.

Передовые исследования в области силовых установок электромобилей, решений для возобновляемых источников энергии и промышленной автоматизации также опираются на SiC-подложки. Обеспечивая более высокую плотность мощности и снижение потерь энергии, эти подложки позволяют создавать компактные, легкие инверторы и преобразователи. Способность выдерживать повышенные токи и напряжения делает их незаменимыми в расширении границ современной силовой электроники.