CY8580 Карбид кремния пластины SiC субстрат 12 в 4H SEMI-типа (HPSI)

Подложка карбида кремния SiC Substrate 12 in 4H SEMI-type (HPSI) Описание

Наша 12-дюймовая подложка из карбида кремния (SiC) 4H тщательно разработана для обеспечения исключительных свойств материала, необходимых для силовых и высокочастотных полупроводниковых устройств нового поколения. Благодаря технологии высокочистой полуизоляции (HPSI) эта подложка может похвастаться превосходной теплопроводностью, отличной химической стабильностью и превосходной подвижностью электронов. Эти качества помогают минимизировать потери мощности и повысить эффективность в сложных приложениях, что делает ее идеальной для передовой силовой электроники, радиочастотных усилителей и высоковольтных систем коммутации.

Каждая подложка изготавливается в соответствии со строгими стандартами SEMI, что обеспечивает постоянную толщину, низкую плотность дефектов и исключительное качество поверхности. Строгие внутренние проверки и жесткий контроль технологического процесса гарантируют воспроизводимые характеристики и надежность. Выбирая нашу подложку SiC 4H, вы получаете доступ к передовому материалу, предназначенному для поддержки производства высокопроизводительных устройств и обеспечения технологического прорыва в области широкозонных полупроводниковых приложений.

Подложка SiC из карбида кремния 12 для применения в 4H SEMI-типе (HPSI)

12-дюймовые подложки из карбида кремния (SiC) 4H SEMI-типа HPSI отличаются исключительной теплопроводностью, химической стабильностью и широкой полосой пропускания. Эти отличительные особенности обеспечивают превосходную производительность в высокомощных и высокочастотных приложениях, что делает их незаменимыми в различных отраслях гражданской промышленности. Идеально подходящие для работы в жестких условиях, эти подложки являются основой для электроники нового поколения, систем возобновляемой энергии и других передовых коммерческих разработок.

1. Применение в электронике и полупроводниках

-Применение 1: производство высоковольтных диодов и транзисторов для эффективного управления питанием в современных электронных схемах

-Применение 2: производство высокочастотных компонентов в телекоммуникационном оборудовании для ускорения передачи данных

2. Медицинские и здравоохранительные технологии

-Применение 1: разработка сверхточных датчиков и диагностических инструментов, которые выигрывают от химической стабильности подложки

-Применение 2: создание компактных, высокопроизводительных устройств визуализации, предназначенных для точной диагностики пациентов

3. Возобновляемые источники энергии и промышленные системы

-Применение 1: интеграция в солнечные инверторы и преобразователи мощности для повышения эффективности и терморегулирования

-Применение 2: использование в высокотемпературных машинах и оборудовании для химических процессов для повышения долговечности и надежности.

Подложка из карбида кремния SiC Substrate 12 в упаковке 4H SEMI-типа (HPSI)

Каждая карбидокремниевая пластина 12" 4H SEMI-типа HPSI тщательно упакована в ESD-безопасный держатель для пластин, выложенный пенопластом для защиты от механических ударов. Двухслойные антистатические пакеты и герметичные пакеты предотвращают попадание влаги и загрязнение частицами. Хранить рекомендуется в чистом помещении, поддерживая влажность 40-60 % и стабильную температуру. По запросу возможна индивидуальная маркировка, штрихкодирование или специальные варианты упаковки, обеспечивающие высочайший уровень защиты и прослеживаемости.

Упаковка: Вакуумная упаковка, деревянная коробка или индивидуальная упаковка.

Подложка из карбида кремния SiC Substrate 12 in 4H SEMI-type (HPSI) FAQs

Q1: Каковы ключевые свойства материала карбида кремния пластины SiC субстрат 12 в 4H SEMI-типа (HPSI)?

A1: Подложка из карбида кремния (SiC) 12 дюймов 4H SEMI-типа (HPSI) известна своей высокой теплопроводностью, широкой полосой пропускания (около 3,26 эВ) и отличной химической стабильностью. Ее гексагональная (4H) кристаллическая структура обеспечивает превосходную подвижность электронов, что делает ее идеальной для высокочастотных и мощных приложений. Кроме того, низкая плотность дефектов и полуизолирующие свойства обеспечивают стабильную работу устройства, уменьшение помех сигналу и повышенную общую надежность.

Q2: Как следует обращаться с этим продуктом и хранить его?

A2: Чтобы сохранить целостность подложки, необходимо работать с ней в чистых перчатках и использовать неметаллические пинцеты или держатели для подложек, чтобы минимизировать загрязнение частицами. Избегайте воздействия прямых солнечных лучей или экстремальных температур и храните ее в надежном, не статическом контейнере. Храните пластины в условиях низкой влажности, чтобы предотвратить появление дефектов, связанных с влажностью, и обеспечить стабильное качество поверхности и длительную жизнеспособность продукта.

Q3: Какие стандарты качества и сертификаты применяются к пластинам из карбида кремния SiC Substrate 12 in 4H SEMI-type (HPSI)?

A3: Подложка из карбида кремния SiC Substrate 12 in 4H SEMI-type (HPSI) обычно соответствует стандартам SEMI M55, которые определяют такие параметры, как допуски на размеры, качество поверхности и ориентацию пластин. Производители часто проходят сертификацию по стандарту ISO 9001 для обеспечения качества управления. Дополнительные испытания могут включать проверку дефектов с помощью рентгеновской топографии или фотолюминесценции, что гарантирует минимальную плотность микротрубок и высокую однородность кристаллов. Эти меры гарантируют надежную работу и соответствие отраслевым требованиям.

Сопутствующая информация

1. Процесс производства

Производство пластин из карбида кремния 12 in 4H SEMI-типа (HPSI) включает в себя сложную процедуру выращивания кристаллов, которая обеспечивает высокую чистоту и полуизоляционные характеристики. Сначала на специализированном оборудовании контролируются параметры температуры и давления, что позволяет материалу SiC формироваться в равномерные слои. Эта технология, часто применяемая при химическом осаждении из паровой фазы, создает подложку с чрезвычайно низкой плотностью дефектов. В результате пластина приобретает структурную целостность, необходимую для высокопроизводительных электронных приложений.

Во время последующего роста тщательно выполняются этапы прецизионной нарезки и полировки для достижения необходимой толщины и гладкости поверхности. Различные уровни контроля проверяют наличие микрокристаллов и неровностей поверхности, обеспечивая минимальное напряжение и высокую прочность. Эти тщательные процедуры финишной обработки необходимы для производства 12-дюймового формата в соответствии со стандартами SEMI, тем самым прокладывая путь к стабильному выходу устройств и повышенной надежности.

2. Применение в передовых отраслях промышленности

Передовые системы преобразования энергии полагаются на надежные электрические свойства пластин типа 4H SEMI (HPSI) для таких компонентов, как высоковольтные диоды и транзисторы. Превосходная теплопроводность карбида кремния позволяет этим устройствам эффективно работать в условиях высоких нагрузок, сводя к минимуму необходимость в громоздких системах охлаждения. Кроме того, превосходная напряженность поля пробоя пластин поддерживает сверхбыструю скорость переключения, что неоценимо для силовых модулей нового поколения для электромобилей и технологий возобновляемой энергетики.

В ключевых отраслях аэрокосмической промышленности и связи также используются SiC-подложки большого диаметра для обеспечения более быстрой передачи данных и высокой стабильности работы. Благодаря присущей им устойчивости к радиации, они хорошо подходят для спутниковых систем и систем глубокого космоса, где долговечность устройств имеет первостепенное значение. Повышение производительности в экстремальных условиях не только благоприятно сказывается на критически важных компонентах миссий, но и устанавливает новые ориентиры в научноисследовательских приложениях с высокими требованиями.