CY8584 Карбид кремния заготовки SiC заготовки 6 в 4H SEMI-типа (HPSI)

Карбид кремния SiC Ingot 6 in 4H SEMI-type (HPSI) Описание

Диаметр 6 дюймов, этот карбид кремния 4H SEMI-типа (HPSI) устанавливает новый стандарт в области широкополосных полупроводниковых материалов. Благодаря исключительной теплопроводности, высокому напряжению пробоя и низкому тепловому расширению он обеспечивает превосходную работу в экстремальных условиях. Однородная кристаллическая структура 4H обеспечивает постоянную подвижность электронов, что позволяет стабильно работать устройствам при повышенных температурах и напряжениях. Этот слиток тщательно выращен с использованием передовых технологий, обеспечивающих минимальное количество дефектов и исключительную однородность кристалла.

Каждый слиток, предназначенный для силовой электроники, радиочастотных устройств и других высокотемпературных и высокочастотных применений, отвечает строгим стандартам SEMI, что позволяет использовать его в самых современных производственных процессах. Контроль качества на каждом этапе производства гарантирует чистоту и надежность, снижая эксплуатационные расходы и повышая эффективность устройств. Используйте этот слиток SiC для создания высокопроизводительных полупроводниковых решений будущего.

Слиток карбида кремния SiC Ingot 6 in 4H SEMI-type (HPSI) Applications

Карбид кремния (SiC Ingot) 6 in 4H SEMI-type (HPSI) обладает выдающейся теплопроводностью, химической стабильностью и высокими электрическими характеристиками, что делает его необходимым для различных передовыхприложений . Инженеры и исследователи ценят его широкую полосу пропускания и механическую прочность для использования в мощных устройствах, суровых условиях и сложных промышленных процессах. Ниже приведены несколько ярких примеров использования этого замечательного материала.

1. Промышленные применения

-Применение 1: силовые электронные компоненты для работы при высоких температурах, использующие превосходную теплопроводность и свойства широкой полосы пропускания

-Применение 2: коррозионностойкое оборудование для химической обработки, использующее сильную химическую стабильность и твердость SiC

-Применение 3: автомобильные силовые модули, использующие эффективный теплоотвод и прочную механическую прочность.

2. Исследовательские приложения

-Применение 1: Высокочастотные устройства в лабораториях полупроводниковой промышленности, использующие низкую плотность дефектов и широкую полосу пропускания для проведения точных экспериментов

-Применение 2: передовые испытания материалов, где механическая прочность SiC имеет решающее значение для анализа напряжений и деформаций

-Применение 3: разработка прототипов мощных переключателей, использующих превосходные электрические характеристики материала.

3. Коммерческие приложения

-Применение 1: компоненты солнечных инверторов для систем возобновляемой энергетики, использующие термостойкие свойства материала для повышения эффективности

-Применение 2: Высокопроизводительная бытовая электроника, получающая преимущества от снижения потерь мощности и эффективного терморегулирования

-Применение 3: специализированное производственное оборудование, требующее стабильных, высокопрочных подложек для повышения надежности и увеличения срока службы.

Слиток карбида кремния SiC Ingot 6 в упаковке типа 4H SEMI (HPSI)

Каждый слиток карбида кремния SiC Ingot 6 in 4H SEMI-type (HPSI) упакован в вакуумную защитную пленку, а затем помещен в усиленный контейнер для минимизации загрязнения. Для оптимального хранения храните слиток в чистой, контролируемой по влажности среде при комнатной температуре. Вторичный барьер обеспечивает минимальное количество твердых частиц, сохраняя чистоту слитка. Индивидуальная маркировка, размеры контейнеров и амортизирующие материалы могут быть подобраны в соответствии с конкретными требованиями к транспортировке и хранению.

Упаковка: Вакуумная герметичная упаковка, деревянная коробка или по индивидуальному заказу.

Карбид кремния заготовки SiC заготовки 6 в 4H SEMI-типа (HPSI) Вопросы и ответы

Q1: Каковы ключевые свойства материала карбида кремния Ingot SiC Ingot 6 в 4H SEMI-типа (HPSI)?

A1: Политип 4H карбида кремния известен своей широкой полосой пропускания (около 3,26 эВ), высокой теплопроводностью и отличной подвижностью электронов. Эта форма слитка отличается минимальной плотностью микротрубок и однородным профилем легирования, что делает ее особенно подходящей для высоковольтных приложений и силовой электроники. Он также обладает превосходной механической прочностью, химической стабильностью и исключительной надежностью, обеспечивая оптимальную работу устройств в сложных промышленных и исследовательских сценариях.

В2: Как следует обращаться с этим продуктом и хранить его?

A2: Поскольку слитки карбида кремния относительно хрупкие, с ними следует обращаться в чистых безворсовых перчатках, чтобы предотвратить загрязнение и минимизировать механические нагрузки. В идеале их следует хранить в помещении с контролируемой температурой и низкой влажностью, вдали от прямых солнечных лучей и взвешенных в воздухе частиц. Перед резкой или полировкой обеспечьте правильное крепление и используйте рекомендованные абразивные материалы на алмазной основе. Периодическая проверка на наличие дефектов поверхности также необходима для поддержания качества пластин.

Q3: Какие стандарты качества и сертификаты применяются к слиткам карбида кремния SiC Ingot 6 in 4H SEMI-type (HPSI)?

A3: Эти слитки обычно соответствуют спецификациям SEMI M55 в отношении геометрии и ориентации пластин SiC, а также производятся в соответствии с системами качества, сертифицированными по стандарту ISO 9001. Многие производители следуют строгим внутренним протоколам контроля качества, таким как расширенная рентгеновская топография и фотолюминесцентное сканирование, для проверки низкой плотности дефектов. Независимые сертификаты третьих сторон, а также соответствие применимым директивам RoHS и REACH дополнительно подтверждают надежность, стабильность и экологическую безопасность слитков.

Сопутствующая информация

1. Производственный процесс

Используя хорошо зарекомендовавший себя метод физического переноса паров (PVT), слиток карбида кремния SiC Ingot 6 in 4H SEMI-type (HPSI) выращивается под точным контролем температуры и давления. Благодаря этому методу слиток сохраняет высокую кристаллическую целостность и минимальную плотность дислокаций. На протяжении всего цикла выращивания используются специализированные тигли, графитовые вкладыши и системы индукционного нагрева для создания оптимальной среды для осаждения паров, эффективно контролируя концентрацию растворителей и морфологию кристаллов.

После термической стабилизации слиток проходит тщательную процедуру нарезки для формирования пластин постоянной толщины. Передовая технология распиловки проволоки позволяет снизить потери пропила, а последующая обработка поверхности устраняет остаточные дефекты и загрязнения. В результате получается прочный, высокоэффективный материал, характеризующийся значительно меньшей плотностью микротрубок, что делает его идеальным для самых современных полупроводниковых приложений.

2. Применение в передовых отраслях промышленности

Карбид кремния SiC Ingot 6 in 4H SEMI-type (HPSI) широко востребован при разработке силовых электронных устройств нового поколения, особенно в таких отраслях, как электромобили, системы возобновляемых источников энергии и аэрокосмическая промышленность. Его впечатляющая теплопроводность и повышенное напряжение пробоя позволяют силовым модулям работать при более высоких температурах и напряжениях, существенно повышая общую эффективность системы. Обеспечивая большую плотность мощности при снижении требований к охлаждению, этот слиток оптимизирует производительность устройств для критически важных приложений.

Применение слитков SiC типа 4H SEMI продолжает расширяться в высокочастотных электронных системах, где их широкая полоса пропускания обеспечивает превосходную скорость переключения при минимизации потерь на проводимость. Эта характеристика оказывается бесценной в радиочастотных (RF) системах, телекоммуникационных инфраструктурах и передовых радарных технологиях. Интегрируя эти слитки карбида кремния в специализированные устройства, промышленные предприятия получают выгоду от улучшенного преобразования энергии, повышения точности сигнала и увеличения срока службы.