CY8921 CVD монослой диселенида вольфрама на C-плоскости сапфировой подложки WSe2 пленка 10x10 мм

CVD монослой диселенида вольфрама на C-плоскости сапфировой подложки WSe2 пленка 10x10 мм Описание

Монослойная пленка диселенида вольфрама (WSe₂), полученная методом CVD, выращена на сапфировой подложке размером 10×10 мм в плоскости C, что позволяет получить высокооднородный и атомарно тонкий полупроводниковый слой. Точный процесс химического осаждения из паровой фазы обеспечивает превосходную кристалличность, низкую плотность дефектов и минимальные границы зерен, что делает его идеальным для исследований и разработок в области электроники следующего поколения. Прямая полоса пропускания и сильная фотолюминесценция обеспечивают повышенную производительность в оптоэлектронных устройствах, а присущая ему высокая подвижность носителей и гибкость расширяют возможности его использования в новых 2D-приложениях.

Каждая пленка WSe₂, изготовленная в соответствии со строгими протоколами контроля качества, проходит тщательную проверку на однородность толщины, целостность структуры и чистоту монослоя. Такой строгий подход позволяет получать стабильные и воспроизводимые результаты, что делает наш CVD-монослой диселенида вольфрама на сапфировой подложке исключительным выбором для передовых исследований в области фотовольтаики, сенсорных устройств и наноэлектронных инноваций.

CVD монослой диселенида вольфрама на C-плоскости сапфировой подложки WSe2 пленка 10x10 мм Применение

Созданная с использованием современных технологий CVD, монослойная пленка диселенида вольфрама (WSe2) на сапфировой подложке в C-плоскости обеспечивает исключительные электронные и оптические характеристики в удобном формате 10x10 мм. Этот сверхчистый двумерный материал обеспечивает превосходную подвижность носителей, сильную спин-орбитальную связь и прочную гибкость, что делает его хорошо подходящим для изготовления передовых устройств. Его высококачественная кристаллическая структура обеспечивает надежную работу в различных условиях, стимулируя инновации в области электроники, научных исследований и потребительских товаров.

1. Электроника и полупроводниковые приложения

-Интеграция в ультратонкие транзисторы для уменьшения площади устройства и повышения скорости переключения

-Использование в высокочувствительных фотодетекторах благодаря сильному поглощению света и эффективному переносу заряда.

2. исследования и научные приборы

-Изучение новых квантовых явлений, возникающих благодаря ярко выраженной полосовой структуре монослоя WSe2

-Исследование новых оптоэлектронных свойств для академических и промышленных научно-исследовательских инициатив

3. потребительские и промышленные инновации

-Потенциальное включение в гибкие дисплеи или носимую электронику для повышения долговечности и производительности

-Разработка датчиков для химического и экологического мониторинга с использованием превосходной поверхностной чувствительности.

CVD-монослой диселенида вольфрама на C-плоскости сапфировой подложки Пленка WSe2 10x10 мм Упаковка

Этот продукт тщательно упакован в специальную защитную коробку с антистатической прокладкой из пеноматериала для защиты от ударов и вибрации. Прочный пластиковый корпус с пакетом влагопоглотителя помогает поддерживать сухость, а герметичный пластиковый пакет предотвращает загрязнение пылью. Храните в сухом прохладном месте, вдали от прямых солнечных лучей. По запросу возможна индивидуальная маркировка и специальные защитные слои для удовлетворения уникальных требований к обращению.

Упаковка: Вакуумная герметичная, деревянная коробка или по индивидуальному заказу.

CVD монослой диселенида вольфрама на C-плоскости сапфировой подложки WSe2 Film 10x10 мм Вопросы и ответы

Q1: Каковы ключевые свойства материала CVD монослоя диселенида вольфрама на C-плоскости сапфировой подложки WSe2 пленки 10x10 мм?

A1: Эта монослойная пленка WSe2 имеет атомарно тонкую структуру, обеспечивающую прямую полосу пропускания около 1,6 эВ для эффективной оптоэлектронной работы. Она демонстрирует сильную фотолюминесценцию с высокой энергией связи экситонов, что делает ее идеальной для фотонных и электронных устройств. Подложка из сапфира в плоскости c обеспечивает превосходное соответствие решетки, повышая кристалличность и уменьшая количество дефектов. Характерные свойства включают равномерную толщину, высокую подвижность носителей и стабильное термомеханическое поведение для надежной интеграции устройств.

Q2: Как следует обращаться с данным продуктом и хранить его?

A2: Обращайтесь с монослойной пленкой WSe2, используя протоколы чистых помещений, чтобы избежать загрязнения частицами. Надевайте перчатки, чтобы избежать прямого контакта с поверхностью, и используйте неабразивные пинцеты или вакуумные палочки, чтобы минимизировать механические нагрузки. Храните подложку в условиях низкой влажности, в идеале - в инертном газе или вакууме, чтобы защитить ее от окисления. Поддерживайте умеренную температуру и избегайте воздействия чрезмерного света или химических паров, которые могут разрушить материал.

Q3: Какие стандарты качества и сертификаты применяются к CVD-монослойной пленке WSe2 10x10 мм из диселенида вольфрама на C-плоскости сапфировой подложки?

A3: Эти пленки WSe2 обычно соответствуют стандартным отраслевым протоколам для тонкопленочного осаждения, таким как ISO 9001 для систем управления качеством. Постоянная толщина монослоя, минимальное загрязнение и надежная кристалличность проверяются с помощью оптических характеристик, спектроскопии комбинационного рассеяния и атомно-силовой микроскопии. Кроме того, прослеживаемость продукции и документирование параметров осаждения поддерживают надежную производственную практику, обеспечивая воспроизводимость результатов и соответствие ожиданиям качества коммерческого и исследовательского уровня.

Сопутствующая информация

1. Производственный процесс

Монослойный диселенид вольфрама CVD на подложке из сапфира в плоскости c изготавливается с помощью тщательно контролируемого метода термического осаждения. Этот процесс включает в себя введение точного соотношения вольфрама и селена прекурсоров в реакционной камере при оптимизированных условиях температуры и давления. Сапфировая подложка выбрана из-за ее стабильной кристаллической решетки, которая помогает достичь равномерного монослоя WSe2 на площади 10x10 мм. Сложная аппаратура обеспечивает стабильную скорость роста, что позволяет формировать высококачественные слои при минимальном количестве дефектов.

В тщательно регулируемых условиях подложка предварительно обрабатывается для удаления загрязнений и обеспечения оптимальной адгезии пленки WSe2. Важнейшим аспектом процедуры является поддержание равномерной температуры во всей камере, что обеспечивает надежное зарождение и боковое расширение монослоя диселенида вольфрама. Благодаря точной настройке таких параметров, как расход прекурсора, состав газа-носителя и время наращивания, производители могут получить высокочистый, атомарно тонкий слой, который обеспечивает исключительные оптические и электронные свойства, необходимые для передовых приложений в устройствах.

2. Применение в передовых отраслях промышленности

Передовые отрасли фотоники и оптоэлектроники получают значительные преимущества благодаря точным характеристикам монослойной пленки WSe2. Ее структура с прямой полосой пропускания в видимом и ближнем инфракрасном диапазоне обеспечивает эффективное поглощение и излучение света, что делает ее очень подходящей для фотоприемников, светоизлучающих диодов и других инновационных оптических компонентов. Кроме того, его исключительная подвижность носителей способствует улучшению производительности и снижению энергопотребления современных электронных устройств, что вызывает повышенный интерес со стороны производителей, стремящихся расширить технологические границы.

Растущий спрос на миниатюрные и гибкие электронные системы усилил роль пленки в секторах, требующих компактных и высокопроизводительных решений. В таких областях, как гибкие дисплеи, сенсоры и транзисторы нового поколения, монослой WSe2 размером 10x10 мм на сапфире может быть интегрирован в ключевые компоненты, требующие одновременно прочности и универсальности. Сочетая ультратонкую геометрию с замечательными электрическими свойствами, этот слой диселенида вольфрама, выращенный методом CVD, прокладывает путь к созданию передовых продуктов, способных процветать в постоянно меняющихся технологических ландшафтах.