CY8922 CVD монослой диселенида вольфрама на подложке SiO2/Si Пленка WSe2 10x10 мм

CVD монослойный диселенид вольфрама на SiO2/Si подложке Пленка WSe2 10x10 мм Описание

Оцените исключительные характеристики нашей монослойной CVD-пленки диселенида вольфрама (WSe2), точно нанесенной на сапфировую подложку SiO₂/Si размером 10×10 мм. Этот ультратонкий слой отличается удивительной однородностью, обеспечивая постоянную толщину вплоть до атомного масштаба. Прямая полоса пропускания и сильная спин-орбитальная связь делают его идеальным для передовых электронных и оптоэлектронных устройств, таких как транзисторы, фотодетекторы и гибкие схемы.

Созданный в результате тщательного процесса роста, монослой WSe2 отвечает строгим стандартам качества по чистоте, кристалличности и воспроизводимости. В результате мы получаем стабильную и эффективную платформу для исследователей и производителей, стремящихся расширить границы нанотехнологий. Инвестируйте в надежное решение, известное своей прочностью, мобильностью и совместимостью с различными приложениями в передовых полупроводниковых исследованиях и разработке продуктов.

Монослойный диселенид вольфрама CVD на SiO2/Si подложке Пленка WSe2 10x10 мм Применение

Монослойный диселенид вольфрама (WSe2), выращенный методом CVD на подложке SiO2/Si, представляет собой прочный двумерный полупроводник, известный своей стабильной слоистой структурой и прямым зазором. Эта пленка размером 10x10 мм обладает исключительными электронными и оптическими свойствами, что делает ее очень подходящей для различных приложений нового поколения. Тонкость материала в сочетании с превосходной подвижностью носителей и оптическим поглощением позволяет создавать высокопроизводительные решения в различных отраслях промышленности, от электроники и энергетики до передовых исследовательских инициатив.

1. Промышленные применения

-Высокочувствительные химические датчики в нефтехимических средах, использующие превосходную реакционную способность поверхности WSe2.

-Долговечная и высокопроизводительная автомобильная электроника благодаря превосходной подвижности носителей в пленке.

-Передовое производственное оборудование, в котором стабильные полупроводниковые слои повышают эффективность устройств.

2. Прикладные исследования

-Фундаментальные исследования двумерных материалов, изучение квантовых эффектов и структуры электронных полос, уникальных для WSe

2.

-Разработка прототипов фотонных устройств для оптической связи и исследований на основе лазеров.

-Исследования полупроводниковых архитектур следующего поколения, использующих масштабируемость монослоя.

3. Коммерческие приложения

-Носимые интеллектуальные устройства с использованием тонких, гибких пленок WSe2 для повышения комфорта пользователя.

-Компоненты дисплеев высокого разрешения, использующие сильное оптическое поглощение и прозрачность.

-Потребительская электроника, требующая компактных, энергоэффективных транзисторов, построенных на ультратонких полупроводниках.

Монослойный CVD-диселенид вольфрама на подложке SiO2/Si Пленка WSe2 10x10 мм в упаковке

Каждая пленка WSe₂ размером 10×10 мм аккуратно помещена в антистатический рукав с инертной прокладкой, затем запечатана под вакуумом, чтобы минимизировать воздействие влаги и частиц. Для предотвращения окисления пленку следует хранить в условиях низкой влажности и отсутствия пыли, в идеале - под азотом или аргоном. Рекомендуется строгий контроль загрязнения, включая использование чистых перчаток и стерильных поверхностей для работы. По запросу возможны индивидуальные варианты упаковки, включая дополнительные защитные слои или маркировку.

Упаковка: Вакуумная герметичная упаковка, деревянная коробка или индивидуальная упаковка.

CVD монослой диселенида вольфрама на SiO2/Si подложке WSe2 пленка 10x10 мм Вопросы и ответы

Q1: Каковы ключевые свойства материала CVD монослой вольфрама диселенид на SiO2/Si субстрата WSe2 фильм 10x10 мм?

A1: Монослойные пленки диселенида вольфрама (WSe2), выращенные методом CVD на подложке SiO2/Si или сапфире размером 10×10 мм, обладают превосходными электрическими и оптическими свойствами, включая прямую зону пропускания около 1,6 эВ, высокую подвижность носителей и сильную фотолюминесценцию. Они также демонстрируют замечательную химическую стабильность и механическую гибкость. Благодаря этим свойствам они хорошо подходят для передовых оптоэлектронных устройств, фотоприемников и гибкой электроники, обеспечивая высокую производительность при меньшей толщине.

В2: Как следует обращаться с этим продуктом и хранить его?

A2: Из-за чувствительности к загрязнениям и механическим нагрузкам с монослойными пленками WSe2 следует обращаться в чистой среде с низкой влажностью. Избегайте прямого контакта с пальцами или пинцетом без защитных покрытий. Рекомендуется хранить их в антистатическом контейнере в инертных или вакуумных условиях для предотвращения поверхностных реакций. Бережное обращение сохраняет целостность пленки и максимально повышает производительность устройства.

Q3: Какие стандарты качества и сертификаты применяются к CVD-монослойной пленке WSe2 10x10 мм из диселенида вольфрама на SiO2/Si подложке?

A3: Эти CVD-пленки WSe2 обычно соответствуют общим отраслевым стандартам для тонкопленочных материалов, таким как ISO 9001 для управления качеством и ISO 14001 для охраны окружающей среды. Авторитетные поставщики могут также предоставить дополнительную документацию о чистоте, однородности и прослеживаемости. Обеспечение постоянной толщины монослоя, минимального количества дефектов и соблюдение строгих протоколов собственной метрологии позволяет гарантировать надежную работу передовых промышленных и исследовательских приложений.

Сопутствующая информация

1. Свойства и преимущества материала

Монослой диселенида вольфрама (WSe2), изготовленный методом химического осаждения из паровой фазы на подложке SiO2/Si, обладает замечательным сочетанием оптических и электронных характеристик. Ультратонкая природа этой пленки размером 10x10 мм обеспечивает прямую конфигурацию полосы пропускания, что позволяет эффективно поглощать и излучать свет, что очень полезно для интеграции оптоэлектронных устройств. Одноатомная структура также обеспечивает отличную подвижность носителей заряда, что делает ее исключительным кандидатом для компонентов, требующих быстрого электронного отклика и минимальных потерь проводимости.

Наряду с исключительной однородностью, этот материал демонстрирует высокую термическую стабильность и механическую прочность. Эти качества дополнительно подчеркиваются прочным межфазным сцеплением с подложкой, что обеспечивает надежность устройства в течение длительных рабочих циклов. По сравнению с более толстыми или поликристаллическими пленками, монослойный WSe2 отличается меньшей плотностью дефектов, более гладкой морфологией поверхности и превосходной сплошностью слоев, что повышает производительность устройств и открывает путь к созданию инновационных электронных структур.

2. Применение в передовых отраслях промышленности

В различных передовых отраслях промышленности CVD-монослой WSe2 демонстрирует огромные перспективы для будущих технологических прорывов. Прямая полоса пропускания и ярко выраженные экситонные эффекты делают его главным кандидатом для фотоприемников и светоизлучающих диодов нового поколения, способствуя быстрой передаче данных и улучшению чистоты цвета в дисплейных технологиях. Толщина пленки в атомном масштабе также позволяет создавать транзисторные массивы высокой плотности, требующие минимального энергопотребления.

Команды исследователей, занимающиеся разработкой гибкой и носимой электроники, также ценят этот материал за его способность изгибаться без потери проводимости и оптической эффективности. Такая способность к адаптации открывает новые возможности для создания компактных каркасов датчиков, устройств для мониторинга состояния здоровья и ультратонких систем сбора энергии. Все эти передовые приложения подчеркивают значение монослойного CVD-диселенида вольфрама в формировании будущего электроники, фотоники и интегральных схем в глобальном масштабе.