CY8925 Пленка дисульфида вольфрама на подложке SiO2/Si Пленка WS2 10x10 мм

Пленка из дисульфида вольфрама на подложке SiO2/Si Пленка WS2 10x10 мм Описание

Наша высококачественная пленка дисульфида вольфрама (WS2) на подложке SiO2/Si размером 10×10 мм сочетает в себе исключительную стабильность с хорошо выраженными электронными и оптическими свойствами. Выращенный в контролируемых условиях, этот двумерный дихалькогенид переходного металла демонстрирует равномерную толщину слоя и минимальное количество дефектов. Его слоистая структура обеспечивает значительный зазор и отличную термическую и химическую стабильность, что делает его пригодным для передовых исследований в области электроники, фотоники и сенсорных технологий.

Каждая пленка WS2 проходит тщательный контроль, чтобы обеспечить постоянную толщину, чистоту и кристалличность. Эти строгие стандарты качества гарантируют оптимальную производительность и воспроизводимость устройств для академических и промышленных приложений. Если вы изучаете полупроводники нового поколения, разрабатываете новые датчики или исследуете передовые оптоэлектронные конструкции, эта пленка WS2 на подложке SiO2/Si обеспечивает надежность и эффективность, которые требуются для инновационных научных начинаний.

Дисульфидная пленка вольфрама на подложке SiO2/Si Пленка WS2 10x10 мм Применение

Пленка из дисульфида вольфрама на подложке SiO2/Si обладает рядом передовых характеристик, включая надежную химическую стабильность, высокую механическую прочность и отличные электронные свойства. Ее слоистая двумерная структура и регулируемая толщина позволяют создавать специализированные решения для электроники, научных исследований и коммерческого сектора. Используя ее уникальные качества, пользователи могут открыть новые технологии, в которых приоритетом является повышение производительности, надежности и эффективности.

1. Промышленные применения

-Высокоэффективные смазочные покрытия, снижающие трение и износ производственных инструментов

-Прочные защитные слои для оборудования химической переработки, повышающие коррозионную стойкость

-Передовые решения по терморегулированию для автомобильных компонентов, повышающие общую эффективность.

2. Научно-исследовательские применения

-Каналы транзисторов нового поколения в исследованиях полупроводников, используя превосходную подвижность носителей в WS2

-Создание прототипов фотодетекторов для оптоэлектроники с использованием его перестраиваемых оптических свойств

-Эксперименты по катализу в химической инженерии с использованием прочной химической стабильности пленки.

3. коммерческие приложения

-Гибкая электроника и дисплеи, использующие адаптируемую 2D-структуру пленки

-Высокочувствительные датчики в здравоохранении, позволяющие проводить более точную диагностику пациентов

-Усовершенствованные конструкции солнечных элементов в системах возобновляемой энергетики, улучшающие поглощение и преобразование света

Пленка дисульфида вольфрама на SiO2/Si подложке WS2 Film 10x10 мм Упаковка

Каждая пленка из дисульфида вольфрама (WS2) размером 10 x 10 мм на подложке SiO2/Si тщательно запечатана в антистатический, влагостойкий пакет с прокладкой из пенопласта. Это обеспечивает защиту от механических повреждений, влажности и загрязнений. Храните упакованные пленки в чистом, сухом помещении при комнатной температуре. Для дальнейшего снижения риска окисления можно дополнительно приобрести контейнеры с азотной продувкой. По запросу предлагаются индивидуальные упаковочные решения, отвечающие специфическим исследовательским или производственным требованиям.

Упаковка: Вакуумная упаковка, деревянная коробка или по индивидуальному заказу.

Дисульфидная пленка вольфрама на SiO2/Si подложке WS2 Film 10x10 мм Вопросы и ответы

Q1: Каковы основные свойства материала вольфрама дисульфида пленки на SiO2/Si субстрата WS2 фильм 10x10 мм?

A1: Свойства материала пленки из дисульфида вольфрама на подложке SiO2/Si вращаются вокруг ее слоистой структуры, четкой полупроводниковой полосы пропускания и сильной жесткости в плоскости. Типичная однородность толщины обеспечивает стабильное оптическое и электронное поведение, а химический состав поверхности пленки обеспечивает стабильную работу в стандартных условиях окружающей среды. Пленка WS2 обладает высокой термической стабильностью, низким коэффициентом трения и замечательной фоторезонансной способностью, что делает ее пригодной для передовых электронных и фотонных приложений.

Q2: Как следует обращаться с этим продуктом и хранить его?

A2: С этим продуктом следует работать в чистой среде в перчатках, чтобы минимизировать загрязнение частицами и маслом. Не подвергайте пленку воздействию повышенной влажности или экстремальных температур в течение длительного времени. По возможности храните каждую подложку в индивидуальной упаковке без статического электричества в дезиккаторе или герметичном контейнере. Это поможет сохранить структурную целостность пленки, предотвратить нежелательное окисление или деградацию поверхности, обеспечивая надежную работу на последующих этапах обработки и тестирования.

Q3: Какие стандарты качества и сертификаты применяются к пленке дисульфида вольфрама на SiO2/Si подложке WS2 Film 10x10 мм?

A3: Обеспечение качества пленки из дисульфида вольфрама обычно соответствует признанным стандартам для полупроводниковых материалов, таким как ISO 9001 для обеспечения последовательности и надежности производства. Производственный процесс часто включает в себя тщательные измерения толщины пленки, однородности и адгезии. Некоторые производители также проверяют соответствие экологическим директивам, таким как RoHS или REACH, гарантируя минимальное содержание вредных веществ. Эти стандарты помогают гарантировать производительность, повторяемость и прослеживаемость продукции по всей цепочке поставок для коммерческого и промышленного применения.

Сопутствующая информация

1. Производственный процесс

Для получения однородных и высококачественных пленок дисульфида вольфрама (WS2) на подложках SiO2/Si обычно используются оптимизированные методы химического осаждения из паровой фазы (CVD). В ходе этого процесса точно контролируемые температура и скорость потока газа обеспечивают постоянную толщину слоя на площади образца 10x10 мм. Тщательно контролируя условия роста, производители могут получать пленки WS2 с отличным покрытием, пониженной плотностью дефектов и сильной адгезией к нижележащему слою диоксида кремния.

Поддержание стабильной среды на протяжении всего процесса осаждения имеет решающее значение для минимизации загрязнений и сохранения структуры решетки WS2. Тщательный контроль состава прекурсоров и чистоты газа-носителя помогает добиться повышенной кристалличности и воспроизводимости результатов. В результате эти пленки демонстрируют строго контролируемые электрические, оптические и механические свойства, что делает их пригодными для широкого спектра коммерческих и исследовательских применений.

2. Тенденции мирового рынка

Последние отчеты свидетельствуют о растущем глобальном интересе к двумерным материалам, таким как WS2, что обусловлено их полезными свойствами в таких областях, как наноэлектроника, оптоэлектроника и хранение энергии. Спрос на пленки дисульфида вольфрама размером 10х10 мм на подложках SiO2/Si особенно высок в регионах с процветающими секторами полупроводников и передовых материалов, где научно-исследовательские институты и лидеры отрасли сотрудничают в разработке новых концепций устройств.

Увеличение финансирования исследований и разработок, а также тесное сотрудничество между академическими, коммерческими и государственными структурами ускорили усилия по интеграции WS2 в технологии следующего поколения. Расширяющийся рынок признает пленки WS2 универсальным вариантом для высокопроизводительных устройств - от сверхчувствительных сенсоров до многослойных электронных компонентов, что создает предпосылки для дальнейших инвестиций и инноваций в этой специализированной области.