CY9432 Кремниевая пластина с золотом диаметром 50 нм. 4 дюйма x 525 мкм толщиной

Кремниевая пластина с золотом диаметром 50 нм. 4 дюйма x 525 мкм толщина Описание

Эта кремниевая пластина имеет слой золота толщиной 50 нм, нанесенный на четырехдюймовую пластину толщиной 525 мкм. Золотая пленка нанесена с помощью калиброванной технологии физического осаждения из паровой фазы, которая позволяет добиться равномерного покрытия. Толщина и диаметр соответствуют стандартным спецификациям производства полупроводников, что обеспечивает совместимость с распространенным технологическим оборудованием. Инертный слой золота служит эффективным проводящим интерфейсом и барьером против окисления в процессе производства устройств.

Кремниевая пластина с золотым слоем диаметром 50 нм. 4 дюйма x 525 мкм толщиной Применение

Электроника и полупроводники
- Используется в качестве металлизации в микроэлектронных схемах для улучшения проводимости сигнала за счет равномерного золотого покрытия.
- Применяется в качестве подложки при изготовлении интегральных схем для снижения контактного сопротивления за счет контролируемого осаждения пленки.

Датчики и оптоэлектроника
- Используется в качестве проводящего слоя в массивах датчиков для минимизации окисления за счет инертности золотого слоя.
- Используется в фотодетекторных модулях для обеспечения стабильных электрических интерфейсов с равномерным профилем толщины.

Кремниевая пластина с золотым слоем толщиной 50 нм. Упаковка 4 дюйма x 525 мкм толщиной

Пластина упакована в антистатический контейнер с пенопластовой прокладкой для поглощения ударов и предотвращения механических повреждений. Для защиты поверхности золота в упаковку встроен барьер от влаги и средства контроля загрязнения. Контейнер предназначен для контролируемых условий хранения, исключающих перепады температуры. По запросу возможны нестандартные варианты упаковки, включая теплоизоляцию и специальную маркировку.

Часто задаваемые вопросы

Q1: Как процесс осаждения золота влияет на производительность пластины при производстве полупроводников?
A1: Метод физического осаждения из паровой фазы обеспечивает равномерное золотое покрытие толщиной 50 нм, которое обеспечивает постоянную электропроводность и пассивацию поверхности. Точный контроль толщины пленки сводит к минимуму загрязнения и неровности поверхности, что очень важно для последующих процессов фотолитографии и травления.

Q2: Какие условия хранения рекомендуются для сохранения целостности поверхности пластин?
A2: Подложки следует хранить в контролируемой среде со стабильной температурой и низкой влажностью. Антистатическая и влагозащищенная упаковка помогает ограничить загрязнение твердыми частицами и химическое воздействие, гарантируя, что золотой слой останется неповрежденным и функциональным в течение долгого времени.

Q3: Можно ли изменить размер пластины или толщину металла в соответствии с конкретными требованиями производства?
A3: Для изменения размеров или толщины металла имеются возможности настройки. Служба технической поддержки может проконсультировать по возможным модификациям для согласования со стандартными допусками на обработку полупроводников при сохранении целостности процесса осаждения.

Дополнительная информация

Кремниевые пластины являются основной подложкой при производстве интегральных схем. Точность изготовления пластин, включая обработку поверхности и контролируемое осаждение проводящих пленок, напрямую влияет на выход и производительность устройств. Детальный контроль параметров осаждения гарантирует, что слой металлизации будет поддерживать эффективное соединение и низкое контактное сопротивление.

Металлизация золотом широко применяется при изготовлении полупроводников благодаря его химической инертности и отличной проводимости. Процессы тонкопленочного осаждения, используемые для нанесения таких покрытий, оптимизированы для уменьшения загрязнения частицами и достижения равномерного слоя. Такой контролируемый подход обеспечивает стабильную работу на последующих этапах производства и способствует повышению стабильности устройств в течение длительного времени использования.