CY9483 Подложка для кремниевых пластин типа P (B-допированная) Prime Grade (100), SSP, 10-20 Ом-см

Описание P Type (B-doped) Silicon Wafer Substrate Prime Grade (100), SSP, 10-20 ohm-cm

Подложка для кремниевых пластин P-типа (B-допированная) Prime Grade (100), SSP, 10-20 Ом-см производится из высокочистого кремния и легирована бором для достижения p-типа проводимости. Ее кристаллографическая ориентация (100) поддерживает равномерный эпитаксиальный рост в процессе обработки полупроводников. Обладая удельным сопротивлением в диапазоне 10-20 Ом-см, подложка отвечает электрическим и структурным требованиям производства современных устройств, сохраняя при этом низкую плотность дефектов и стабильное состояние поверхности.

Подложка для кремниевых пластин типа P (B-допированная) Prime Grade (100), SSP, 10-20 ом-см Применение

Электроника и производство полупроводников
- Используется в качестве подложки при изготовлении интегральных схем для достижения стабильного роста эпитаксиального слоя за счет точной ориентации (100).
- Применяется в качестве базового материала для силовых полупроводниковых приборов для контроля проводимости путем калиброванного легирования бором.

Промышленные и исследовательские применения
- Используется в экспериментальных исследованиях для анализа диффузии легирующих элементов в кремнии, обеспечивая количественные результаты благодаря равномерному удельному сопротивлению.
- Используется в лабораториях по разработке технологических процессов для тестирования передовых методов обработки поверхности, требующих стабильной, низкодефектной подложки.

Подложка для кремниевых пластин типа P (B-допированная) Prime Grade (100), SSP, упаковка 10-20 Ом-см

Подложки индивидуально закреплены в антистатических носителях и помещены в жесткие контейнеры с пенопластовой прокладкой для минимизации физического воздействия и загрязнения. Дополнительная защитная пленка предохраняет поверхность от попадания частиц из воздуха. Рекомендуется хранение в условиях низкой влажности и контроля температуры. Возможны варианты индивидуальной упаковки, включая вакуумное уплотнение и подробную маркировку, для соответствия конкретным протоколам обращения.

Часто задаваемые вопросы

Q1: Какие меры применяются для контроля консистенции легирующих добавок в этих пластинах?
A1: SAM использует передовые методы диффузии бора в сочетании с метрологией поверхности, такой как сканирование электрического сопротивления, для поддержания равномерного распределения легирующего вещества, что является критическим для поддержания заданного удельного сопротивления 10-20 Ом-см.

Q2: Как проверяется кристаллографическая ориентация (100)?
A2: Ориентация подтверждается с помощью анализов дифракции рентгеновских лучей (XRD) и дифракции обратного рассеяния электронов (EBSD). Эти методы гарантируют соответствие подложки строгим стандартам, необходимым для последующих эпитаксиальных процессов.

Q3: Какие условия хранения рекомендуются для сохранения целостности подложек?
A3: Подложки должны храниться в антистатической упаковке с регулируемой температурой и низкой влажностью, чтобы предотвратить загрязнение и механические нагрузки, тем самым сохраняя структурные и электрические свойства подложки.

Дополнительная информация

Кремниевые подложки являются основополагающими в полупроводниковой промышленности, обеспечивая основу для производства интегральных схем и микроэлектронных устройств. Контролируемая кристаллографическая ориентация и легирование обеспечивают надежную интеграцию процессов в операциях окисления, литографии и травления. Непрерывное развитие технологий обработки материалов способствует повышению производительности и выхода устройств в промышленных условиях.

Достижения в области контроля легирующих веществ и определения характеристик поверхности позволили повысить стабильность и производительность кремниевых пластин. Такие методы, как XRD и SEM, дают глубокое понимание структурных и морфологических характеристик, позволяя инженерам точно настраивать параметры процесса для оптимизации производительности устройств как в исследовательских лабораториях, так и на производстве.