CY9491 150 мм Подложка для кремниевых пластин типа P (B-допированная) Prime Grade (100), SSP, 10-20 Ом-см

Подложка для кремниевых пластин 150 мм P-типа (B-допированная) Prime Grade (100), SSP, 10-20 Ом-см Описание

Эта подложка изготовлена из высокочистого кремния с контролируемым легированием бором для достижения удельного сопротивления в диапазоне 10-20 Ом-см. Кристаллографическая ориентация (100) обеспечивает однородную поверхность, идеально подходящую для процессов изготовления интегральных схем. Диаметр 150 мм поддерживает стандартное оборудование для производства полупроводников, обеспечивая совместимость с существующими технологическими инструментами. Контроль качества включает оптический контроль однородности поверхности и минимизацию дефектов.

Подложка для кремниевых пластин 150 мм P-типа (B-допированная) Prime Grade (100), SSP, 10-20 Ом-см Применение

Электроника и производство полупроводников
- Используется в качестве подложки в интегральных схемах для достижения равномерного распределения легирующих элементов за счет использования контролируемого удельного сопротивления, что повышает производительность устройств.
- Применяется при изготовлении микросхем памяти для обеспечения постоянных электрических характеристик за счет точного кристаллографического выравнивания.

Оптоэлектронные устройства
- Используется в качестве основы в массивах датчиков для улучшения однородности сигнала за счет использования чистоты материала и контролируемой обработки поверхности, обеспечивая точный отклик света.

Подложка для кремниевых пластин 150 мм P-типа (B-допированная) Prime Grade (100), SSP, упаковка 10-20 Ом-см

Подложки заключены в антистатический мягкий лоток, помещенный в герметичный влагостойкий контейнер для предотвращения загрязнения частицами и механических повреждений. Хранить рекомендуется в чистой, контролируемой по температуре среде. Для удовлетворения особых требований по обращению с изделиями доступны дополнительные опции, такие как индивидуальная маркировка носителей и включение влагопоглотителя.

Часто задаваемые вопросы

Q1: Как указанный диапазон удельного сопротивления влияет на электронные приложения?
A1: Диапазон удельного сопротивления 10-20 Ом-см поддерживает контролируемую концентрацию носителей, обеспечивая равномерные электрические характеристики, имеющие решающее значение для производительности устройств в полупроводниковых приложениях. Он помогает в последовательном контроле порогового напряжения и снижает вариабельность при изготовлении схем.

Q2: Какие меры контроля качества применяются для проверки плоскостности подложки?
A2: Плоскостность поверхности контролируется с помощью оптической профилометрии, которая позволяет проводить точные измерения для обеспечения минимального коробления и дефектов. Этот процесс имеет решающее значение для поддержания согласованности интерфейсов на последующих этапах обработки при производстве интегральных схем.

Q3: Каковы рекомендуемые условия хранения этих пластин?
A3: Пластины следует хранить в чистой, контролируемой по температуре среде с низкой влажностью. Защитная упаковка, такая как антистатические лотки и влагостойкие контейнеры, необходима для предотвращения загрязнения и механических повреждений во время хранения.

Дополнительная информация

Кремниевые пластины служат фундаментальным строительным блоком при изготовлении полупроводниковых приборов. Точный контроль уровней легирующих добавок и ориентации кристаллов имеет решающее значение для определения электрических свойств, необходимых при обработке устройств. Пластины типа P, в которых используется легирование бором, широко применяются в процессах комплементарных металл-оксид-полупроводников (КМОП) и служат подложкой для многочисленных электронных компонентов.

Достижения в области технологий изготовления, включая химическое осаждение из паровой фазы и передовые методы травления, позволили повысить общее качество и стабильность этих подложек. Понимание взаимосвязи между концентрацией легирующих элементов, удельным сопротивлением и кристаллографической ориентацией имеет решающее значение для оптимизации характеристик устройств в интегральных схемах высокой плотности.