CY9492 100 мм N-тип (P-допированный) кремниевой подложки Prime Grade (100), SSP, 0.001-0.01 ом-см

Подложка кремниевой пластины 100 мм N-типа (P-допированная) Prime Grade (100), SSP, 0,001-0,01 Ом-см Описание

Подложка изготовлена из высокочистого кремния с ориентацией по первому классу (100), что обеспечивает оптимальные кристаллографические свойства для интеграции устройств. Легирование N-типа с контролируемым включением P обеспечивает диапазон удельного сопротивления 0,001-0,01 Ом-см, что очень важно для точного электронного поведения. Обработка SSP обеспечивает гладкую поверхность с минимальным количеством дефектов, что благоприятствует высокопроизводительной обработке полупроводников. Равномерное распределение легирующих элементов и низкий уровень загрязнения обеспечивают стабильные электрические характеристики по всей пластине.

Подложка для кремниевых пластин 100 мм N-типа (P-допированная) Prime Grade (100), SSP, 0,001-0,01 ом-см Применение

Электроника
- Используется в качестве подложки для интегральных схем в полупроводниковых приборах для достижения контролируемых профилей легирующих элементов за счет использования определенной ориентации (100) и отделки SSP.
- Применяется в качестве базового материала при изготовлении высокоскоростных транзисторов для достижения низких потерь сигнала за счет использования заданного диапазона удельного сопротивления.

Промышленность
- Используется в массивах датчиков для обеспечения стабильных электрических характеристик за счет равномерного P-допирования, которое сводит к минимуму колебания при изменении условий окружающей среды.
- Применяется в качестве базового слоя в микроэлектромеханических системах для обеспечения точного электронного поведения благодаря контролируемой ориентации кристаллов.

Подложка для кремниевых пластин 100 мм N-типа (P-допированная) Prime Grade (100), SSP, упаковка 0,001-0,01 ом-см

Подложки индивидуально упакованы в антистатические носители с пенопластовой прокладкой и запечатаны во влагонепроницаемые пакеты для предотвращения загрязнения и механических повреждений. Они должны храниться в чистой, контролируемой по температуре среде, чтобы избежать теплового стресса и окисления. Для удовлетворения особых требований к хранению возможны нестандартные варианты упаковки, включая вакуумное уплотнение и среду инертного газа.

Часто задаваемые вопросы

Q1: Как обеспечивается плоскостность пластин и минимизация дефектов в процессе производства?
A1: SAM применяет точную химическую обработку и СЭМ-инспекцию с высоким разрешением для контроля однородности поверхности и плотности дефектов. Этот процесс позволяет оценить отклонения в толщине между пластинами и минимизировать микродефекты, обеспечивая стабильную плоскостность пластин для полупроводниковых приложений.

Q2: Какие условия хранения рекомендуются для этих кремниевых пластин?
A2: Храните пластины в контролируемой среде с низкой влажностью при стабильной комнатной температуре. Используйте антистатическую, влагостойкую упаковку для предотвращения загрязнения и механических воздействий при обработке и транспортировке.

Q3: Как в процессе производства поддерживается заданный диапазон удельного сопротивления?
A3: Производственный процесс включает контролируемое P-допирование с мониторингом удельного сопротивления в процессе производства. Благодаря этому каждая пластина остается в диапазоне 0,001-0,01 Ом-см, что обеспечивает стабильные электрические характеристики, необходимые для производства современных полупроводниковых устройств.

Дополнительная информация

Кремниевые пластины служат основополагающим материалом в полупроводниковой технологии, где точный контроль над распределением легирующих элементов и кристаллографической ориентацией имеет жизненно важное значение. Сочетание четко определенных электрических свойств и качества поверхности напрямую влияет на производительность устройства и сложность интеграции. Детальная метрология и контролируемые условия обработки необходимы для достижения тонких характеристик материала, требуемых в современных электронных системах.

Совершенствование технологий легирования и методов обработки поверхности продолжает способствовать улучшению характеристик полупроводниковых пластин. Эти разработки не только повышают надежность полупроводниковых устройств, но и обеспечивают дальнейшую миниатюризацию и интеграцию в различные высокотехнологичные отрасли.