CY9494 Кремниевая пластина с серебряным P-типом 50 нм, диам. 2 дюйма x 525 мкм толщиной

Кремниевая пластина с серебряным P-образным покрытием 50 нм, диам. 2 дюйма x 525 мкм толщина Описание

Кремниевая пластина с серебряным P-Type покрытием толщиной 50 нм, диаметром 2 дюйма и толщиной 525 мкм. Слой серебра улучшает электрическую связь, а контролируемое легирование способствует интеграции конкретных схем. Стандартные размеры обеспечивают совместимость с обычными инструментами для обработки полупроводников. Меры контроля качества, включая проверку поверхности и картирование дефектов, помогают достичь стабильных электрических характеристик, необходимых для создания прототипов устройств и исследовательских приложений.

Кремниевая пластина с серебряным P-типом толщиной 50 нм, диам. 2 дюйма x 525 мкм толщиной Применение

Электроника
- Используется в качестве активной подложки в фотоэлектрических элементах для улучшения динамики носителей заряда за счет равномерного легирования серебром.
- Применяется в качестве основного слоя в интегральных схемах для достижения контролируемой проводимости за счет использования точного допуска по толщине.

Промышленность
- Используется в качестве подложки в полупроводниковых датчиках для достижения точной модуляции сигнала за счет использования последовательного легирования и стандартов изготовления.

Исследовательский
- Используется в качестве тестового образца при разработке полупроводниковых процессов для оценки эффективности легирования за счет контролируемого осаждения серебра.

Кремниевая пластина с 50 нм серебряным P-типом, диам. 2 дюйма x 525 мкм толщина Упаковка

Пластины индивидуально закреплены в статически диссипативных носителях и заключены в герметичные контейнеры для предотвращения загрязнения. Вставки из пенопласта предохраняют пластины от механических ударов во время транспортировки. Рекомендуется хранить продукт в сухом помещении с контролируемой температурой. Возможна индивидуальная маркировка и упаковка в соответствии с особыми протоколами обращения для чувствительных исследовательских приложений.

Часто задаваемые вопросы

Q1: Как проверяется наличие 50 нм серебряного слоя?
A1: Слой серебра толщиной 50 нм проверяется с помощью методов поверхностной метрологии, включая сканирующую электронную микроскопию (СЭМ) и эллипсометрию, откалиброванных в соответствии с промышленными стандартами для обеспечения равномерного осаждения по всей пластине.

Q2: Каким образом пластина способствует изготовлению полупроводниковых устройств?
A2: Точные размеры и контролируемое легирование P-типа облегчают интеграцию в полупроводниковые процессы. Совместимость со стандартным технологическим оборудованием обеспечивает воспроизводимые электрические характеристики и оптимизацию работы устройств в процессе изготовления.

Q3: Каковы наилучшие методы хранения этих пластин?
A3: Пластины следует хранить в условиях низкой влажности и температурного контроля в контейнерах, не создающих статического электричества. Это минимизирует риск физического или электростатического повреждения и сохраняет целостность поверхности для последующей обработки.

Дополнительная информация

Кремниевые пластины являются фундаментальными компонентами в производстве полупроводников, служащими основой для интегральных схем и различных электронных устройств. Включение серебряного покрытия в качестве допанта изменяет электрические свойства, что очень важно для настройки характеристик устройства. Такие изменения требуют точного контроля параметров осаждения и всестороннего анализа дефектов, что обеспечивает соответствие полупроводниковой пластины строгим стандартам исследований и разработок.

Последние тенденции в области обработки полупроводников направлены на достижение наноразмерной однородности металлических покрытий и легирования, что необходимо для повышения производительности микроэлектроники. Инженеры применяют строгие процессы контроля качества, включая поточные оптические инспекции и передовую метрологию, для поддержания постоянства, необходимого для высокопроизводительного производства и исследовательских приложений.