CY9496 Ультраплоская кремниевая пластина P-типа, диам. 6 дюймов x 675 мкм толщиной

Ультраплоская кремниевая пластина P-Type, диам. 6 дюймов x 675 мкм Описание

Ультраплоская кремниевая пластина P-Type, диам. 6 дюймов x 675 мкм толщиной - это кремниевая подложка, разработанная для полупроводниковых и микроэлектронных приложений. Ее диаметр 6 дюймов и толщина 675 мкм соответствуют установленным стандартам оборудования, а контролируемое легирование P-Type оптимизирует концентрацию носителей заряда. Для минимизации шероховатости поверхности пластина обрабатывается с помощью комбинации химической и механической планаризации. Гладкая поверхность облегчает точное литографическое нанесение рисунка и интеграцию процессов при изготовлении устройств.

Ультраплоская кремниевая пластина P-Type, диам. 6 дюймов x 675 мкм толщиной Применение

Электроника и производство полупроводников
- Используется в качестве подложки при изготовлении интегральных схем для получения точного рисунка за счет использования ультраплоской поверхности.
- Применяется в качестве основного материала при производстве солнечных элементов для обеспечения эффективного фотоэлектрического преобразования благодаря контролируемому легированию.

Исследования и разработки
- Используется в экспериментах по материаловедению для анализа электронных свойств благодаря однородной поверхности.
- Используется при изготовлении датчиков для достижения точного электромеханического отклика благодаря стабильному профилю легирования.

Ультраплоская кремниевая пластина P-Type, диам. 6 дюймов x 675 мкм толщина Упаковка

Пластина упакована в контейнер со статической диссипацией и пенопластовым вкладышем для защиты от физических ударов и загрязнений. Она помещена в антистатический пакет и запечатана во влагонепроницаемую упаковку. Для сохранения целостности материала рекомендуется хранение при контролируемой температуре. По запросу могут быть предложены нестандартные варианты упаковки, например, контейнеры, совместимые с чистыми помещениями, и особые требования к маркировке.

Часто задаваемые вопросы

Q1: Какие этапы обработки обеспечивают плоскостность поверхности пластин?
A1: Подложка проходит химико-механическую полировку с последующим интерферометрическим контролем. Эти этапы минимизируют микрошероховатости и обеспечивают соответствие поверхности строгим требованиям к плоскостности, необходимым для литографии полупроводников и интеграции устройств.

Q2: Как легирование P-типа влияет на электрические характеристики?
A2: Контролируемое легирование P-типа регулирует концентрацию носителей, что имеет решающее значение для достижения целевых электрических свойств полупроводниковых приборов. Такая настройка помогает снизить токи утечки и поддерживает стабильные характеристики при различных условиях обработки.

Q3: Каковы рекомендуемые условия хранения кремниевых пластин?
A3: Пластины следует хранить в условиях низкой влажности и контролируемой температуры, используя упаковку без статического электричества и влагозащитные пленки. Правильное хранение минимизирует загрязнение и сохраняет точные характеристики поверхности, необходимые для последующей обработки.

Дополнительная информация

Кремниевые подложки необходимы для производства современных полупроводниковых приборов благодаря их кристаллической стабильности и хорошо изученным электронным свойствам. Однородность кристаллической структуры кремния обеспечивает высокую плотность интеграции и надежную работу в различных производственных процессах.

Достижения в области технологий планаризации и легирования продолжают улучшать плоскостность и электрическую однородность пластин. Эти улучшения играют ключевую роль, поскольку производители стремятся к уменьшению технологических узлов и созданию более сложных архитектур устройств. Постоянное совершенствование методов изготовления способствует исследованиям и разработкам, позволяя проводить более точные моделирования и экспериментальные проверки в области материаловедения.