CY9507 Кремниевая пластина тип P (100) диам. 2 дюйма, SSP

Кремниевая пластина тип P (100) диам. 2 дюйма, SSP Описание

Кремниевая (Si) пластина с легированием типа P и кристаллографической ориентацией (100) служит фундаментальной подложкой для полупроводниковых процессов. Диаметр 2 дюйма обеспечивает совместимость со стандартным производственным оборудованием. Подложка подвергается контролируемой диффузии легирующих веществ и обработке с низким термическим напряжением для уменьшения плотности дислокаций. Полировка поверхности SSP улучшает однородность при последующих процессах осаждения и травления, что способствует воспроизводимости результатов при производстве интегральных схем.

Кремниевые пластины типа P (100) Диам. 2 дюйма, SSP Применение

1.Электроника и полупроводниковая промышленность
- Используется в качестве подложки при производстве интегральных схем для достижения равномерного распределения легирующих элементов за счет контролируемой диффузии.
- Применяется при изготовлении фотоэлектрических элементов для повышения эффективности преобразования энергии благодаря оптимизированным свойствам поверхности.

2.Промышленные применения
- Используется в качестве основы в массивах датчиков MEMS для генерирования точных электрических сигналов благодаря низкой плотности дислокаций.

Кремниевые пластины типа P (100) Диам. 2 дюйма, упаковка SSP

Кремниевые пластины упакованы в антистатический контейнер с пенопластовой прокладкой для предотвращения механического повреждения и повреждения частицами. Они хранятся в атмосфере азота для уменьшения окисления и поглощения влаги. Каждый блок запечатывается в специальный пластиковый пакет и помещается в жесткую картонную коробку. Возможны нестандартные варианты размеров, маркировки и разделения на отсеки для удовлетворения специфических требований к обращению и хранению.

Часто задаваемые вопросы

Q1: Какие методы тестирования используются для проверки равномерности легирования пластин?
A1: Для оценки распределения легирующего вещества по пластине компания SAM использует оптический контроль, электронную микроскопию и энергодисперсионную рентгеновскую спектроскопию. Эти методы позволяют выявить потенциальные отклонения, которые могут повлиять на последующую обработку полупроводников.

Q2: Как кристаллографическая ориентация (100) влияет на процессы изготовления?
A2: Ориентация (100) помогает достичь предсказуемых схем травления и осаждения, что очень важно для переноса рисунка при производстве интегральных схем. Такая ориентация способствует контролю и согласованности процессов.

Q3: Какие условия хранения помогают сохранить целостность поверхности пластин?
A3: Пластины следует хранить в среде с низкой влажностью и контролируемой температурой при минимальном воздействии кислорода. Для предотвращения загрязнения и ухудшения состояния поверхности рекомендуется использовать антистатическую упаковку и продувку азотом.

Дополнительная информация

Кремниевые подложки являются основой для изготовления полупроводниковых приборов и играют важнейшую роль в развитии современной электроники. Детальный анализ уровней легирующих элементов, плотности дислокаций и кристаллографической ориентации способствует совершенствованию методов микрофабрикации. Эти исследования помогают оптимизировать технологические параметры, обеспечивая более высокую степень интеграции и производительность электронных устройств.

Исследования в области обработки кремния постоянно совершенствуют методы травления, диффузии и осаждения. Достижения в области аналитических методов, включая электронную микроскопию и спектроскопию, обеспечивают необходимую обратную связь для корректировки процесса. Этот итеративный процесс обеспечивает надежное производство интегральных схем и других полупроводниковых компонентов, способствуя постоянному прогрессу в области электронных технологий.