{{flagHref}}
Продукция
  • Продукция
  • Категории
  • Блог
  • Подкаст
  • Приложение
  • Документ
|
|
/ {{languageFlag}}
Выберите язык
Stanford Advanced Materials {{item.label}}
Stanford Advanced Materials
Выберите язык
Stanford Advanced Materials {{item.label}}
Пожалуйста, начните говорить

SC11684 Бушер из спеченного карбида кремния без давления Бушер из карбида кремния SiC

Каталог нет. SC11684
Материал Спеченный без давления SiC
Форма Бушер

Stanford Advanced Materials (SAM) применяет строгий контроль процесса и аналитические методы, включая микроструктурную оценку, для поддержания целостности материала в процессе производства. На предприятии SAM используются систематические поточные проверки во время спекания для контроля пористости и точности размеров, что гарантирует соответствие продукта определенным техническим стандартам для промышленных керамических применений.

Запрос
Добавить в сравнение
Описание
Технические характеристики
Отзывы

FAQ

Как процесс спекания без давления влияет на механические свойства SiC Busher?

Процесс спекания без давления минимизирует пористость и поддерживает плотную микроструктуру. Это может повлиять на прочность на сжатие и стабильность размеров бушера, что делает его подходящим для применений, где структурная целостность при термических нагрузках является критически важной. Свяжитесь с нами для получения подробной информации о характеристиках.

Может ли материал из карбида кремния выдерживать многократное термоциклирование в промышленных условиях?

Термическая стабильность, присущая SiC, спеченному без давления, помогает сохранить рабочие характеристики при термоциклировании. Процесс спекания материала способствует формированию стабильной микроструктуры, которая помогает минимизировать тепловое расширение и связанные с ним напряжения. Для получения более подробной информации о конкретных показателях тепловых характеристик, пожалуйста, свяжитесь с нами.

Какие факторы влияют на удельное электрическое сопротивление бушера SiC?

Электрическое сопротивление керамических компонентов из карбида кремния зависит от таких факторов, как чистота, пористость и микроструктура, достигнутая в процессе спекания без давления. Колебания этих параметров могут изменить изоляционные свойства бушера. Технические запросы по измерению удельного сопротивления приветствуются; свяжитесь с нами для получения дополнительной информации.

ЗАПРОСИТЬ ЦЕНУ

Отправьте нам запрос сегодня, чтобы узнать больше и получить актуальные цены. Спасибо!

* Ваше имя
* Ваш e-mail
* Название продукта
* Ваш телефон
* Страна

Россия

    Комментарии
    Я хотел бы подписаться на рассылку, чтобы получать новости от Stanford Advanced Materials.
    Приложите чертежи:

    Храните файлы здесь или

    * Проверочный код
    Принимаемые форматы файлов: PDF, PNG, JPG, JPEG. Можно отправить несколько файлов одновременно. Размер каждого файла не должен превышать 2 МБ.
    Оставьте сообщение
    Оставьте сообщение
    * Ваше имя:
    * Ваш e-mail:
    * Название продукта:
    * Ваш телефон:
    * Комментарии: