SC9901 Пластина из рекристаллизованного карбида кремния

Описание пластины из рекристаллизованного карбида кремния

Пластина из рекристаллизованного карбида кремния изготавливается из высокочистого (≥99%) SiC и имеет постоянную плотность около 2,7 г/см³. Форма пластины подходит для интеграции в стандартные промышленные системы и оборудование для высокотемпературной обработки. Контролируемый процесс рекристаллизации минимизирует микроструктурные дефекты и улучшает тепловые характеристики, что очень важно для приложений, требующих эффективного теплоотвода и стабильности структуры в экстремальных условиях.

Области применения пластин из рекристаллизованного карбида кремния

Электроника
- Используется в качестве подложки в высокотемпературных сенсорных модулях для снижения теплового напряжения за счет использования термической стабильности SiC.
- Применяется в качестве защитного барьера в оборудовании для обработки полупроводников для сохранения целостности компонентов при повышенных температурах за счет использования рекристаллизованной микроструктуры.

Промышленное оборудование
- Используется в качестве термораспределителя в футеровках печей для равномерного распределения тепла за счет высокой рабочей температуры.
- Используется в качестве опорного элемента в высокотемпературных реакторах для уменьшения деформации, вызванной нагревом, благодаря однородности и плотности структуры.

Упаковка пластин из рекристаллизованного карбида кремния

Пластины из рекристаллизованного карбида кремния упаковываются в антистатические, влагостойкие пакеты и помещаются в специальные мягкие контейнеры. Для предотвращения термоциклирования и загрязнения рекомендуется хранение в помещении с контролируемой температурой. Герметичная упаковка минимизирует попадание пыли, а также предоставляет возможность маркировки и разделения на отсеки, чтобы соответствовать особым требованиям к обращению и сохранять целостность продукта при транспортировке.

Часто задаваемые вопросы

Q1: Как процесс рекристаллизации влияет на тепловые характеристики пластины?
A1: Процесс рекристаллизации улучшает микроструктуру SiC и минимизирует дефекты границ зерен, что повышает теплопроводность и стабильность. Это приводит к улучшению характеристик при длительной высокотемпературной эксплуатации.

Q2: Какие меры контроля качества используются в процессе производства?
A2: Продукция подвергается оценке с помощью сканирующей электронной микроскопии и рентгеновской дифракции для проверки микроструктурной однородности и точности размеров. Эти меры контроля помогают поддерживать постоянство высокотемпературных рабочих параметров.

Q3: Можно ли подогнать размеры пластин под конкретные требования оборудования?
A3: Да, продукт допускает индивидуальные размеры. Инженеры могут указать требования к размерам, чтобы обеспечить оптимальную интеграцию с существующими высокотемпературными системами, тем самым повышая общую совместимость компонентов.

Дополнительная информация

Карбид кремния (SiC) ценится в материаловедении за высокую теплопроводность, твердость и стабильность при повышенных температурах. Его кристаллическая структура, достигаемая путем контролируемой рекристаллизации, обеспечивает повышенную производительность в сложных условиях. Понимание этих свойств материала необходимо для разработки компонентов, отвечающих жестким требованиям современных промышленных систем.

Достижения в области технологий обработки керамики позволили улучшить контроль над микроструктурой SiC, уменьшить плотность дефектов и обеспечить повторяемость характеристик при термических нагрузках. Эти улучшения способствуют более широкому применению в высокотемпературной электронике, промышленной обработке и прецизионных системах терморегулирования.