SC9904 Пластина из рекристаллизованного карбида кремния толщиной 20 мм

Пластина из рекристаллизованного карбида кремния толщиной 20 мм Описание

Пластина из рекристаллизованного карбида кремния толщиной 20 мм производится из поликристаллического SiC с чистотой ≥99%. Толщина 20 мм обеспечивает надежную структурную целостность при повышенных температурах. Плотная микроструктура материала и присущая ему термостойкость способствуют эффективному рассеиванию тепла. Благодаря своим керамическим свойствам он подходит для применений, требующих минимального теплового расширения и высокой стабильности поверхности.

Пластина из рекристаллизованного карбида кремния толщиной 20 мм Области применения

1.Электроника и полупроводниковая техника
- Использование в качестве теплоотвода в узлах силовой электроники для достижения стабильных рабочих температур за счет высокой термической стойкости.
- Применяется в качестве структурного изолятора в мощных схемах для поддержания целостности характеристик при тепловых нагрузках.

2.промышленное и технологическое оборудование
- Используется в качестве износостойкого компонента в высокотемпературном технологическом оборудовании для поддержания стабильности размеров за счет высокой чистоты и плотности.
- Часто используется в футеровках печей для поддержания постоянных тепловых профилей и снижения теплопотерь в промышленных системах отопления.

Пластина из рекристаллизованного карбида кремния толщиной 20 мм Упаковка

Продукт надежно упакован в антистатическую, влагостойкую упаковку с жесткими пенопластовыми вставками для предотвращения механических повреждений. Для изоляции пластины от загрязнения при транспортировке используется индивидуальная защитная картонная упаковка. В инструкциях по хранению рекомендуется сухая, контролируемая по температуре среда. Для удовлетворения особых требований к транспортировке возможны нестандартные варианты упаковки, включая маркировку и разделение на отсеки.

Часто задаваемые вопросы

Q1: Какие методы используются для оценки однородности материала в пластине SiC?
A1: Пластина подвергается рентгеновской дифракции и сканирующей электронной микроскопии для оценки структуры зерна и распределения фаз, что гарантирует однородность материала и стабильность характеристик при термических нагрузках.

Q2: Как продукт работает при повышенных температурах?
A2: Благодаря рекристаллизованной микроструктуре SiC-пластина сохраняет стабильность размеров и тепловые характеристики при температурах до 1650 ℃, что делает ее подходящей для приложений, требующих эффективного управления теплом и устойчивости структуры.

Q3: Доступны ли варианты настройки размеров пластин SiC?
A3: Да, возможно изготовление пластин по индивидуальным размерам и отделке поверхности. Индивидуальные процессы резки, полировки и финишной обработки помогают удовлетворить специфические требования приложений.

Дополнительная информация

Карбид кремния (SiC) широко ценится в материаловедении за его высокую теплопроводность и химическую инертность. Процесс рекристаллизации улучшает микроструктуру, что приводит к повышению стабильности и производительности. Этот материал широко используется в средах с частыми термическими циклами, где традиционная керамика может выйти из строя. Понимание его фундаментальных свойств помогает оптимизировать конструкцию компонентов для терморегулирования и обеспечения механической целостности.

Передовые технологии обработки керамики продолжают развиваться, способствуя улучшению контроля границ зерен и плотности. Эти достижения напрямую влияют на эффективность компонентов на основе SiC в энергоемких и высокотемпературных приложениях, укрепляя их роль в современных промышленных и электронных системах.