SC9905 Пластина из рекристаллизованного карбида кремния толщиной 30 мм

Пластина из рекристаллизованного карбида кремния толщиной 30 мм Описание

Пластина из рекристаллизованного карбида кремния толщиной 30 мм изготовлена из SiC с чистотой ≥99% и имеет плотность около 2,7 г/см³. Значительная толщина пластины и присущие ей керамические свойства позволяют выдерживать повышенные температуры до 1650 ℃. Этот состав обеспечивает контролируемую зернистую структуру и минимальное количество включений, что крайне важно для поддержания структурной целостности и термической стабильности в сложных промышленных условиях.

Пластина из рекристаллизованного карбида кремния толщиной 30 мм Применение

Высокотемпературные промышленные применения
- Использование в качестве огнеупорного компонента в футеровке печей для достижения стабильного терморегулирования за счет способности выдерживать температуры до 1650 ℃.
- Применяется в качестве структурного элемента в теплообменниках для поддержания стабильности размеров и сопротивления тепловому удару.

Производство полупроводников и электроники
- Используется в качестве подложки в оборудовании для высокотемпературной обработки для достижения стабильной производительности за счет использования высокочистого состава и надежных размерных характеристик.

Пластина из рекристаллизованного карбида кремния толщиной 30 мм Упаковка

Продукт упакован в антистатический контейнер с пенопластовой прокладкой для снижения механических нагрузок и предотвращения загрязнения поверхности. Защитная упаковка и инертные барьерные пленки обеспечивают сохранность пластины при транспортировке. Рекомендуется хранить материал в сухом помещении с контролируемой температурой для защиты от влаги и температурных колебаний. Возможны нестандартные варианты упаковки, включая специальные этикетки и разделение на отсеки, в зависимости от конкретных требований к обработке и хранению.

Часто задаваемые вопросы

Q1: Как влияет ≥99% чистота SiC-пластины на ее эксплуатационные характеристики?
A1: Высокая чистота сводит к минимуму дефекты, вызванные примесью, которые могут ослабить структуру при термическом напряжении. Это приводит к более равномерной микроструктуре, необходимой для поддержания постоянной механической целостности при высокотемпературной эксплуатации.

Q2: Может ли пластина непрерывно работать при температуре около 1650℃?
A2: Указанная рабочая температура указывает на то, что пластина способна выдерживать длительное высокотемпературное воздействие. Однако разработчики должны учитывать условия эксплуатации, включая термоциклирование, для обеспечения долгосрочной стабильности.

Q3: Какие меры предосторожности следует принимать при очистке пластины SiC?
A3: Очищайте пластину неабразивными методами с использованием деионизированной воды и мягких растворителей. Избегайте агрессивных химических веществ, которые могут изменить свойства поверхности. Для сохранения целостности, необходимой для высокотемпературных применений, рекомендуется использовать контролируемый процесс очистки.

Дополнительная информация

Керамика из карбида кремния известна своей исключительной термической стабильностью и химической инертностью, что делает ее пригодной для высокопроизводительных промышленных применений. Процесс рекристаллизации улучшает структуру зерна, снижая внутренние напряжения и уменьшая риск распространения трещин в условиях теплового удара.

Понимание микроструктурной эволюции во время спекания и рекристаллизации имеет решающее значение для материаловедов. Оптимизация параметров обработки помогает добиться однородности свойств, что важно для применений, связанных с высокими тепловыми нагрузками и коррозионной средой. Эти знания помогают в разработке материалов, которые стабильно работают в жестких условиях эксплуатации.