SC9958 Балка из карбида кремния с реакционным покрытием 70 x 50 мм

Балка из карбида кремния с реакционной связкой 70 х 50 мм Описание

Балка из карбида кремния с реакционной связью 70 x 50 мм изготовлена из спеченного карбида кремния с минимальной чистотой 92%. Ее балочная форма и точные размеры обеспечивают совместимость со структурными сборками в высокотемпературных средах. Процесс контролируемого реакционного склеивания сводит к минимуму микроструктурные дефекты, улучшая механическую целостность и термостойкость до 1300 ℃. Присущая этому материалу химическая инертность делает его пригодным для применений, требующих стабильного терморегулирования и поддержки нагрузки.

Реакционно-связанная балка из карбида кремния 70 x 50 мм Применение

Промышленное применение
- Используется в качестве структурной опоры в узлах высокотемпературных печей для достижения равномерного распределения нагрузки за счет стабильности размеров и термостойкости.
- Применяются в качестве износостойких компонентов в оборудовании для абразивной обработки для ограничения деградации за счет химической инертности SiC.

Применение в электронике
- Используется в качестве держателя подложек в системах обработки полупроводников для достижения равномерного теплового профиля за счет использования его высокотемпературных возможностей и контролируемой плотности.
- Используется в высокотемпературных электронных испытательных приспособлениях для поддержания целостности системы за счет использования преимуществ микроструктуры с реакционной связью.

Реакционно связанный карбид кремния 70 x 50 мм Упаковка

Реакционно связанная балка из карбида кремния 70 x 50 мм упаковывается с использованием пенопластовых вставок и антистатических материалов в герметичные контейнеры, пригодные для вторичной переработки, для предотвращения механических повреждений и загрязнения. Упаковка контролирует факторы окружающей среды во время транспортировки и хранения, рекомендуя сухие условия при комнатной температуре. Возможны варианты нестандартной упаковки, включая разделение на отсеки и маркировку, в зависимости от требований заказа.

Часто задаваемые вопросы

Q1: Как процесс реакционного склеивания влияет на механические свойства балки?
A1: Процесс реакционного склеивания улучшает микроструктуру SiC, уменьшая пористость и повышая несущую способность. Это приводит к улучшению термостойкости и стабильности размеров при термических нагрузках, что очень важно для поддержания стабильных характеристик в высокотемпературных промышленных условиях.

В2: Какие меры контроля качества применяются в процессе производства?
A2: SAM использует спекание в контролируемой атмосфере, а также контроль структуры зерна и уровня чистоты с помощью РЭМ. Эти меры обеспечивают соблюдение строгих допусков на размеры и поддержание заданной чистоты и плотности SiC ≥92 %, что снижает риск изменения характеристик.

Q3: Можно ли изменить размеры балки для конкретных применений?
A3: По запросу возможны варианты настройки размеров. SAM оценивает каждый запрос, чтобы убедиться, что любые изменения не повлияют на процесс реакционного склеивания или структурную целостность балки, а для модифицированных заказов проводятся дополнительные пробные и проверочные испытания.

Дополнительная информация

Карбид кремния известен в материаловедении своей способностью выдерживать высокие термические и механические нагрузки. Его химическая инертность и высокая теплопроводность делают его основным объектом исследований для создания высокопроизводительных структурных компонентов. Метод реакционного склеивания улучшает эти свойства за счет уменьшения микроструктурных дефектов, что очень важно для обеспечения стабильной работы при повышенных температурах.

Достижения в области методов спекания и контроля существенно повлияли на современное производство керамики. Подробные методы контроля качества, такие как SEM-анализ, помогают оптимизировать свойства и однородность материала. Такой строгий подход помогает в тех областях применения, где точные характеристики материала и долгосрочная стабильность имеют большое значение как в промышленности, так и в электронике.