{{flagHref}}
Продукция
  • Продукция
  • Категории
  • Блог
  • Подкаст
  • Приложение
  • Документ
|
/ {{languageFlag}}
Выберите язык
Stanford Advanced Materials {{item.label}}
Stanford Advanced Materials
Выберите язык
Stanford Advanced Materials {{item.label}}

ST11189 Мишень для напыления сульфида галлия, мишень Ga2S3

Каталог нет. ST11189
Состав Ga2S3
Чистота ≥99,9%, или адаптированный
Форма Цель
Форма Прямоугольный, круглый
Размеры На заказ

Мишень для напыления сульфида галлия, Ga2S3 Target - это высокочистое соединение Ga2S3, разработанное для применения в области физического осаждения из паровой фазы. Мишень производится компанией Stanford Advanced Materials (SAM) и подвергается контролируемой корректировке состава и проверке микроструктуры с помощью таких методов, как рентгеновская дифракция и энергодисперсионная спектроскопия. Этот технический режим помогает поддерживать строгий контроль качества, обеспечивая соответствие мишени требованиям к однородности и производительности, необходимым для производства полупроводниковых устройств.

Запрос
Добавить в сравнение
Описание
Технические характеристики
Отзывы

FAQ

Как микроструктура мишени для напыления сульфида галлия влияет на процессы осаждения методом напыления?

Микроструктура мишени влияет на стабильность плазмы и однородность пленки. Контролируемый гранулометрический состав сводит к минимуму распыление частиц и обеспечивает равномерную передачу энергии, что напрямую влияет на адгезию и однородность пленки во время осаждения.

Какие методы обработки используются для достижения заданных размеров мишени?

Мишень изготавливается с помощью прецизионной механической обработки и контролируемых процессов спекания. Эти методы позволяют изменять размеры мишени для интеграции в конкретные конфигурации систем напыления, сохраняя целостность подложки.

Как свойства материала Ga2S3 влияют на адгезию пленки во время осаждения?

Контролируемый химический состав Ga2S3 и присущая ему термическая стабильность обеспечивают однородную поверхность мишени, что способствует равномерному распределению плазмы и улучшению адгезии пленки. Это минимизирует дефекты и повышает эффективность осаждения в различных полупроводниковых процессах.

ЗАПРОСИТЬ ЦЕНУ

Отправьте нам запрос сегодня, чтобы узнать больше и получить актуальные цены. Спасибо!

* Ваше имя
* Ваш e-mail
* Название продукта
* Ваш телефон
* Страна

Россия

    Комментарии
    Я хотел бы подписаться на рассылку, чтобы получать новости от Stanford Advanced Materials.
    Приложите чертежи:

    Храните файлы здесь или

    * Проверочный код
    Принимаемые форматы файлов: PDF, PNG, JPG, JPEG. Можно отправить несколько файлов одновременно. Размер каждого файла не должен превышать 2 МБ.
    Оставьте сообщение
    Оставьте сообщение
    * Ваше имя:
    * Ваш e-mail:
    * Название продукта:
    * Ваш телефон:
    * Комментарии: