{{flagHref}}
Продукция
  • Продукция
  • Категории
  • Блог
  • Подкаст
  • Приложение
  • Документ
|
/ {{languageFlag}}
Выберите язык
Stanford Advanced Materials {{item.label}}
Stanford Advanced Materials
Выберите язык
Stanford Advanced Materials {{item.label}}

ST11190 Индиевая мишень для планарного напыления, в мишени

Каталог нет. ST11190
Состав На сайте
Чистота ≥99.99%, или подгонянный
Форма Цель
Форма Прямоугольная
Размеры На заказ

Индиевая планарная мишень для напыления, In Target - это мишень для напыления, предназначенная для осаждения тонких пленок. Этот продукт производится компанией Stanford Advanced Materials (SAM) под строгим контролем технологического процесса, включающим проверку однородности поверхности с помощью микроскопии. SAM применяет детальный мониторинг процесса в ходе производства для поддержания точного контроля размеров и однородности материала, что гарантирует соответствие мишени строгим требованиям вакуумных систем осаждения.

Запрос
Добавить в сравнение
Описание
Технические характеристики
Отзывы

FAQ

Как обработка поверхности индиевой мишени влияет на процесс напыления?

Качество поверхности напрямую влияет на скорость эрозии при напылении. Гладкая, плоская поверхность способствует равномерному осаждению пленки, уменьшая загрязнение частицами и дефекты пленки. Оптимизированная подготовка поверхности сводит к минимуму прерывание процесса и повышает стабильность осаждения. Для получения подробных параметров свяжитесь с нами.

Какие параметры осаждения рекомендуются при использовании мишени для напыления индия?

Рекомендуемые настройки зависят от конфигурации камеры и желаемой толщины пленки. Как правило, низкие плотности мощности с контролируемой атмосферой аргона помогают добиться стабильного напыления. Может потребоваться корректировка в зависимости от расстояния между мишенью и подложкой, обеспечивающая оптимальную однородность пленки и минимальное тепловое напряжение.

Каким образом чистота индия влияет на характеристики пленки в полупроводниковых приложениях?

Высокая чистота индия сводит к минимуму дефекты, вызванные примесью во время роста пленки. Это приводит к улучшению электрических свойств и стабильному формированию интерфейсов. Более высокие уровни анализа снижают риски загрязнения и обеспечивают предсказуемое поведение осаждения, необходимое для прецизионных полупроводниковых процессов.

ЗАПРОСИТЬ ЦЕНУ

Отправьте нам запрос сегодня, чтобы узнать больше и получить актуальные цены. Спасибо!

* Ваше имя
* Ваш e-mail
* Название продукта
* Ваш телефон
* Страна

Россия

    Комментарии
    Я хотел бы подписаться на рассылку, чтобы получать новости от Stanford Advanced Materials.
    Приложите чертежи:

    Храните файлы здесь или

    * Проверочный код
    Принимаемые форматы файлов: PDF, PNG, JPG, JPEG. Можно отправить несколько файлов одновременно. Размер каждого файла не должен превышать 2 МБ.
    Оставьте сообщение
    Оставьте сообщение
    * Ваше имя:
    * Ваш e-mail:
    * Название продукта:
    * Ваш телефон:
    * Комментарии: